池田 進 | 東大新領域
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概要
関連著者
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池田 進
東大新領域
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斉木 幸一朗
東大新領域
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園谷 志郎
東大新領域
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圓谷 志郎
物質・材料研究機構
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圓谷 志郎
東大新領域
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木口 学
東工大院理工
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吉川 元起
東北大金研
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吉川 元起
東北大学金属材料研究所
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吉川 元起
東京大学大学院理学系研究科
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池田 進
東北大 理GCOE
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木口 学
東大新領域
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吉川 元起
東大院理
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池田 進
高エネルギー研
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太田 俊明
立命館大学SRセンター
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木口 学
東工大理工:jstさきがけ
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近藤 寛
慶應義塾大学理工学部化学科
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中井 郁代
京都大学大学院理学研究科化学専攻
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太田 俊昭
東大理
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斉木 幸一朗
東大 新領域
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太田 俊明
東大理
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斉木 幸一朗
東大院理
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吉川 元起
東大理
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中井 郁代
東大理
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木口 学
北大理
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近藤 寛
東大理
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小野木 亮
埼玉大理
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斉木 幸一朗
東大理
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小間 篤
東大院理
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嘉治 寿彦
東北大金研
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上野 啓司
埼玉大院理工
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宮寺 智彦
東大理
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上野 啓司
埼玉大理
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宮寺 哲彦
理研
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小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科
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青木 秀夫
東大理
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黒木 和彦
電通大量子・物質工
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鈴木 維允
東大理
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島田 敏宏
東大理
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長谷川 哲也
東大理
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科
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鈴木 維允
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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諏訪 雄二
日立基礎研
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西原 寛
東京大学大学院理学系研究科
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長谷川 哲也
神奈川科学技術アカデミー
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太田 俊明
東大院理
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青木 秀夫
東大理:jst-trip
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有田 亮太郎
理研
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小野 木亮
埼玉大理
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中原 弘雄
埼玉大理
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宮寺 哲彦
東大理
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中井 郁代
東大院理
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近藤 寛
東大院理
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森 朋彦
豊田中研
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菊澤 良弘
豊田中研
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竹内 久人
豊田中研
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嘉治 寿彦
東大院理
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嘉治 寿彦
東大理
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浜田 剛志
東大理
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大島 紀一
東大理
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山野井 康徳
東大理
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西原 寛
東大理
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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Shimada T
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
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黒木 和彦
電通大 量子・物質工
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黒木 和彦
電通大
著作論文
- 27aWB-5 SiO_2上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 26pXC-7 重合方向を制御した長鎖ジアセチレン誘導体LB膜のNEXAFS解析(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pWB-1 Pt(111)基板上に成長したナノグラファイトのエッジ状態の観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXE-3 金属表面上に成長した TTC 超薄膜の構造および界面電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
- 26aYC-5 金属表面上に成長したヘキサフルオロヘキサベンゾコロネン薄膜の構造および電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 14aXD-12 Pt(111) 基板上に成長したナノグラファイトの電子状態および磁性(表面・界面磁性, 領域 3)
- 14aXD-12 Pt(111) 基板上に成長したナノグラファイトの電子状態および磁性(表面・界面磁性, 領域 9)
- 31pWD-6 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 II
- 31pWD-5 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 I
- 23aYE-9 アルカリハライド/金属界面における金属誘起ギャップ状態
- 23aYC-9 金属表面上に成長したオリゴチオフェン超薄膜の構造および電子状態
- 28pXJ-11 偏光配向したAlq3薄膜の結晶構造解析(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aRG-3 ジメチルアミノピロールオリゴマー薄膜の構造および電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aPS-44 ハイドロフラレン単結晶薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRC-4 C_薄膜の気体分子吸着における電子状態の変化(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXA-10 酸素雰囲気下での光照射によるC_の電子状態の変化(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aPS-42 UV/オゾン処理およびアニーリングによるSiO_2表面状態の変化(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 6aSM-9 紫外光電子分光法によるAl/Sn界面の電子状態(表面界面構造・電子物性,領域9)