斉木 幸一朗 | 東大理
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概要
関連著者
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斉木 幸一朗
東大理
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東大理
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創域
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Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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東大理
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東北大金研
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東大理
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嘉治 寿彦
東大理
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東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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吉川 元起
東北大学金属材料研究所
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東京大学大学院理学系研究科
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和氣 智子
東大理
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中村 裕之
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西田 晃一
東大院理
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東大理
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木口 学
東工大院理工
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長谷川 哲也
東大理
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東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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長谷川 哲也
神奈川科学技術アカデミー
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太田 俊明
立命館大学SRセンター
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内山 裕士
理研播磨研:spring-8 Jasri
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上野 啓司
埼玉大院理工
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木口 学
東工大理工:jstさきがけ
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宮寺 智彦
東大理
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中井 郁代
東大理
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池田 進
東大新領域
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木口 学
北大理
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近藤 寛
東大理
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小野木 亮
埼玉大理
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宮寺 哲彦
理研
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近藤 寛
慶應義塾大学理工学部化学科
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中井 郁代
京都大学大学院理学研究科化学専攻
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桜井 正敏
東大理
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中村 栄一
東大理
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飯泉 謙一
東大院新領域
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河野 孝臣
東大理
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合田 晃
東大・理
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飯泉 謙一
東大理
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合田 晃
東大理
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西田 直史
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太田 俊昭
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斉木 幸一朗
東大 新領域
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小暮 敏博
東京大学大学院理学系研究科
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東大先端研
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宮野 健次郎
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宮野 健次郎
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ニュッカー ニコラス
KfK
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IFW. Dresden
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東大理
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森岡 宗子
東大理
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東大理
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劉 光佑
東大理
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小川 直毅
理研CERG
著作論文
- 19aZA-5 ポンププローブ法によるAlq_3分子内エネルギー移動の研究(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
- 27aWB-5 SiO_2上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 26pXC-7 重合方向を制御した長鎖ジアセチレン誘導体LB膜のNEXAFS解析(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 30p-BPS-2 ヘテロエピタキシャル成長した層状物質のSTMによる評価
- 30p-H-13 C_C_薄膜の高分解能エネルギー損失スペクトル
- 29p-C-13 種々の基板上へのフラーレン超薄膜のエピタキシャル成長
- 22pYE-11 バッキーフェロセンエピタキシャル膜の低温STM観察(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pXG-10 C_ 薄膜 FET の紫外光電子分光
- 29a-L-5 HgBa_2CuO_の光電子分光
- 28p-S-8 Si, GaAs基板上への岩塩型酸化物の成長
- 26p-YR-7 Si(111)面上へのMgのエピタキシャル成長
- 26p-YR-5 高感度RHEED法によるアルカリハライドヘテロ構造の評価
- 26p-YR-4 GaAs基板上に成長したMgOの表面構造
- 30a-YE-8 in-situ光学測定によるアルカリハライドヘテロ界面の評価
- 8a-B-5 電子線照射によるCaF_2表面の変質と酸化物の形成
- 29p-T-1 低速電子エネルギー損失分光による金属Baの酸化過程
- 28a-YC-13 CdF_2の電子エネルギー損失スペクトル
- アルカリハライド(111)面の表面物性
- MF_2(M=Mn, Fe, Co, Ni)の電子エネルギー損失スペクトル
- 31a-K-10 (111)方向に成長したNaCl薄膜の表面物性
- 31p-B-8 TiX_2(X=S, Se)薄膜の結晶成長 : その形態及び成長過程
- 30a-PS-46 銅ハライドエピタキシャル薄膜の表面電子状態
- 29p-PSB-29 半導体基板上フラーレン単層膜のHREELS測定
- 31p-S-10 CuClエピタキシャル薄膜の表面構造
- 30p-YM-7 遷移金属ダイカルコゲナイドのプラズモン分散
- 21aXA-2 有機極性分子のin situ FET特性評価(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 12aXF-6 バッキーフェロセンエピタキシャル薄膜の膜厚による構造変化(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
- 28a-Z-12 ヘテロ成長したアルカリハライド薄膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
- 29p-PS-17 半導体基板上に於けるアルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長
- 30p-A-6 KI/KCl超格子の励起子吸収
- 1p-N-5 アルカリハライド単結晶超薄膜のエピタキシャル成長
- 28a-M-4 金属フタロシアニンのヘテロエピタキシャル成長
- 28p-S-9 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定
- C_エピタキシャル薄膜の初期成長過程
- 29p-PS-18 水素終端処理したSi基板上へのファンデアワールス・エピタキシー
- 1a-F4-1 CaF2単結晶表面の電子線照射効果とヘテロエピタキシー(表面・界面)