22pXG-10 C_<60> 薄膜 FET の紫外光電子分光
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
19aZA-5 ポンププローブ法によるAlq_3分子内エネルギー移動の研究(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
-
M&BE研究会「有機分子集合体の物性と機能-界面電子構造の基礎から実用デバイスまで-」報告
-
27aWB-5 SiO_2上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
26pXC-7 重合方向を制御した長鎖ジアセチレン誘導体LB膜のNEXAFS解析(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
24pWB-1 Pt(111)基板上に成長したナノグラファイトのエッジ状態の観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
26pYK-6 有機FETのtime of flight移動度測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
-
30p-BPS-2 ヘテロエピタキシャル成長した層状物質のSTMによる評価
-
31p-N-15 表面X線回折法による層状物質ヘテロエピタキシャル超薄膜の構造決定
-
26aYH-8 遷移金属をドープしたTiO_2エピタキシャル膜の磁場中XMCD測定(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
26aYH-8 遷移金属をドープしたTiO_2エピタキシャル膜の磁場中XMCD測定(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28aSC-4 遷移金属をドープしたTiO_2エピタキシャル膜のXAS,XMCD測定(28aSC 領域9,領域3合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28aSC-4 遷移金属をドープしたTiO_2エピタキシャル膜のXAS,XMCD測定(28aSC 領域9,領域3合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
30p-H-13 C_C_薄膜の高分解能エネルギー損失スペクトル
-
29p-C-13 種々の基板上へのフラーレン超薄膜のエピタキシャル成長
-
22pWF-2 アナターゼ型NbドープTiO_2の非金属-金属転移(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
-
22pYE-11 バッキーフェロセンエピタキシャル膜の低温STM観察(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28pRC-14 有機半導体界面におけるトラップのスピン偏極(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26aYF-7 有機半導体のサブバンドギャップ励起特性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
-
21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
-
13pWH-2 有機 FET の光応答機構(FET, 領域 8)
-
13pWH-2 有機 FET の光応答機構(FET, 領域 7)
-
27pZP-4 光照射によるC_FET特性の変化(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
-
27pZP-4 光照射によるC_FET特性の変化(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
-
22pXG-10 C_ 薄膜 FET の紫外光電子分光
-
19aTF-12 メチル終端Si(111)表面の電子分光
-
29a-L-5 HgBa_2CuO_の光電子分光
-
28p-S-8 Si, GaAs基板上への岩塩型酸化物の成長
-
26p-YR-7 Si(111)面上へのMgのエピタキシャル成長
-
26p-YR-5 高感度RHEED法によるアルカリハライドヘテロ構造の評価
-
26p-YR-4 GaAs基板上に成長したMgOの表面構造
-
30a-YE-8 in-situ光学測定によるアルカリハライドヘテロ界面の評価
-
8a-B-5 電子線照射によるCaF_2表面の変質と酸化物の形成
-
29p-T-1 低速電子エネルギー損失分光による金属Baの酸化過程
-
28a-YC-13 CdF_2の電子エネルギー損失スペクトル
-
アルカリハライド(111)面の表面物性
-
MF_2(M=Mn, Fe, Co, Ni)の電子エネルギー損失スペクトル
-
31a-K-10 (111)方向に成長したNaCl薄膜の表面物性
-
31p-B-8 TiX_2(X=S, Se)薄膜の結晶成長 : その形態及び成長過程
-
30a-PS-46 銅ハライドエピタキシャル薄膜の表面電子状態
-
29p-PSB-29 半導体基板上フラーレン単層膜のHREELS測定
-
31p-S-10 CuClエピタキシャル薄膜の表面構造
-
30p-YM-7 遷移金属ダイカルコゲナイドのプラズモン分散
-
有機分子・バイオエレクトロニクス
-
有機分子・バイオエレクトロニクス
-
第67回応用物理学会学術講演会(2005/8/29-9/1@立命館大)の報告 : 分科名 : 10. 有機分子・バイオエレクトロニクス大分類分科
-
21aXA-2 有機極性分子のin situ FET特性評価(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
-
21aRJ-11 ペンタセンFETの検索インピーダンス解析II(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
-
28pRC-6 有機薄膜のin-situ AFM・FET測定 : 大気暴露による影響の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
-
28pRC-4 有機薄膜トランジスタの過渡現象における時定数の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
-
21aXA-1 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンスIII(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
-
28pXJ-11 偏光配向したAlq3薄膜の結晶構造解析(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26aYF-10 ペンタセンFETの複素インピーダンス解析(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
-
28pRC-3 C_FETの揮発性有機分子吸着効果(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26pYK-5 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンス : II. 周波数解析(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26pYK-4 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンス : I. 電気容量の膜厚依存性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
-
13pWH-10 C_FET の膜厚依存性における伝導度異常(FET, 領域 8)
-
13pWH-4 過渡現象測定による有機薄膜の伝導機構の解析(FET, 領域 8)
-
13pWH-10 C_FET の膜厚依存性における伝導度異常(FET, 領域 7)
-
13pWH-4 過渡現象測定による有機薄膜の伝導機構の解析(FET, 領域 7)
-
23aYC-11 メチル終端 Si(111) 表面の加熱による構造変化および電子分光測定
-
12aXF-6 バッキーフェロセンエピタキシャル薄膜の膜厚による構造変化(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
-
28a-Z-12 ヘテロ成長したアルカリハライド薄膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
-
15aPS-63 超高真空・低温・磁場印加型磁気力顕微鏡 (MFM) の開発(領域 9)
-
29p-PS-17 半導体基板上に於けるアルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長
-
30p-A-6 KI/KCl超格子の励起子吸収
-
1p-N-5 アルカリハライド単結晶超薄膜のエピタキシャル成長
-
28a-M-4 金属フタロシアニンのヘテロエピタキシャル成長
-
13pWH-1 有機薄膜 FET の表面分光によるプラズマ振動の観測(FET, 領域 7)
-
28a-K-6 DCNQI金属錯体の超薄膜成長と電子分光による評価
-
2p-J-9 TaSe_2エピタキシャル超薄膜の電気伝導
-
2p-J-8 TiSe_2超薄膜のエピタキシャル成長及び電気伝導度測定
-
28p-S-9 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定
-
C_エピタキシャル薄膜の初期成長過程
-
29p-PS-18 水素終端処理したSi基板上へのファンデアワールス・エピタキシー
-
29p-PSB-28 有機分子エピタキシャル超薄膜の光吸収定量による昇温脱離
-
1a-F4-1 CaF2単結晶表面の電子線照射効果とヘテロエピタキシー(表面・界面)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク