27pZP-4 光照射によるC_<60>FET特性の変化(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-03-03

著者

• 斉木 幸一朗

  東大院理

• 山本 義朗

  東大理

• 島田 敏宏

  東大院理

• 山本 義朗

  東大院理

関連論文

• 21pGP-12 金属基板上における窒素ドープされたグラフェンの成長(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGP-6 Pt(111)上のPyridine重合で成長したグラフェンの構造解析(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYE-3 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性II(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aYH-8 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
• 15pXE-3 金属表面上に成長した TTC 超薄膜の構造および界面電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
• 26pYK-6 有機FETのtime of flight移動度測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性
• 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察
• 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
• 21aRB-8 ヘキサベンゾコロネン誘導体薄膜の形態と電界効果トランジスタ特性(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYF-9 ヘキサベンゾコロネン誘導体電界効果トランジスタ特性の温度依存性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYE-7 CVD法による窒素ドープしたグラフェンの成長と電子状態(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aYE-2 酸化グラフェンナノシートの面間電導特性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pTD-6 低温STM/STS観測による局所擬ギャップ構造の温度依存性(27pTD 高温超伝導(トンネル分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pWA-2 オーバードープBi2201単結晶の低温STM/STS観測(高温超伝導(トンネル分光・輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 30pTL-1 アナターゼ型Ti_W_xO_2エピタキシャル薄膜の電気輸送特性と電子状態(30pTL Ti酸化物他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pTD-12 超伝導Nb探針を用いたFI(Field Ion)-STM(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aTG-8 Nb探針によるSTM観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aPS-84 Bi2212の低温磁場下STM/STS観察IV(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21aPS-13 走査型トンネル顕微鏡によるC_薄膜の局所物性評価(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aUE-7 Bi2212の低温磁場下STM/STS観察III(30aUE 磁束量子系(磁束電子構造),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19aYH-6 Bi2212の低温磁場下STM/STS観察II(磁束量子系(相図・可視化・電子状態),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pWA-3 Bi2212の低温磁場下STM/STS観察(高温超伝導(トンネル分光・輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 13aPS-13 不純物添加 Bi-2212 単結晶の低温 STM/STS 観察(低温 : 超伝導・金属絶縁体転移, 領域 8)
• 22aXJ-4 ステップバンチング表面上にエピタキシャル成長したペンタセン単分子膜の構造と電子状態(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYC-11 有機グラフォエピタキシーの基板依存性から見たその成長機構(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXJ-9 人工周期構造を持つ熱酸化シリコン基板上におけるsexithiopheneの面内選択配向成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pYC-14 アルカリハライド/金属ヘテロ構造の STM 観察
• 21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pWS-11 金属基板上におけるヘテロ原子をドープしたグラフェンの成長と電子状態(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWS-10 ナノグラフェンおよび窒素ドープグラフェン上への酸素吸着(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 13pWH-2 有機 FET の光応答機構(FET, 領域 8)
• 13pWH-2 有機 FET の光応答機構(FET, 領域 7)
• 27pZP-4 光照射によるC_FET特性の変化(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
• 27pZP-4 光照射によるC_FET特性の変化(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
• 22pXG-10 C_ 薄膜 FET の紫外光電子分光
• 31pWD-6 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 II
• 28pPSB-21 アルカリハライド/金属界面の構造と電子状態
• 19aTF-12 メチル終端Si(111)表面の電子分光
• 19aRH-3 (C_, In)/Si(111)系における電子状態
• 17aTF-6 変調分子線散乱法を用いた微傾斜基板表面上での有機分子拡散過程の解析
• 21aRB-7 グラフォエピタキシーによって面内配向制御した有機FETの特性評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-12 グラフォエピタキシーによる有機半導体薄膜の配向制御とFETへの応用(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pRC-5 AlPcCl薄膜のin situ FET特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aXA-10 有機薄膜トランジスタの膜厚依存性と電界効果電荷注入(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pYK-7 有機薄膜トランジスタ断面の電位分布からみた電界効果電荷注入(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aRB-2 周波数応答測定を用いたペンタセンFETの半導体・電極間の接触抵抗の評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-7 真性有機半導体の電荷極性について(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-11 ペンタセンFETの検索インピーダンス解析II(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pRC-4 有機薄膜トランジスタの過渡現象における時定数の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXA-7 C_-金属薄膜におけるin-situ電気伝導度測定(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aXA-1 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンスIII(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aPS-149 銀単結晶基板上に配列したα-sexithienylのSTM観察II(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 12aXF-7 銀単結晶基板上に配列したα-sexithienyl の STM 観察(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 23aYC-9 金属表面上に成長したオリゴチオフェン超薄膜の構造および電子状態
• 22aTB-7 ペンタセンFETの周波数応答測定 : 電極SAMs処理の効果(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aYF-10 ペンタセンFETの複素インピーダンス解析(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pYK-5 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンス : II. 周波数解析(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 13pWH-4 過渡現象測定による有機薄膜の伝導機構の解析(FET, 領域 8)
• 13pWH-4 過渡現象測定による有機薄膜の伝導機構の解析(FET, 領域 7)
• 23aYC-11 メチル終端 Si(111) 表面の加熱による構造変化および電子分光測定
• 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
• 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
• 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
• 28pTA-3 アンモニア雰囲気下で成長した窒素ドープグラフェンの構造解析(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTA-2 金属基板上に成長するグラフェンへのヘテロ原子ドーピング(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pY-17 変調分子線散乱法による有機分子の表面拡散過程の解析
• 26pSB-6 金属基板上に成長したグラフェンへの欠陥生成(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aEC-9 金属基板上に成長した窒素ドープグラフェンの構造とその吸着特性(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aXP-5 窒素ドープグラフェンの酸素吸着活性とその吸着構造(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pPSB-17 Cu(100)上に作製したC_60薄膜の構造と電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 9aSM-7 STMによるLiBr/Si(001)ヘテロ構造の観察(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 9aSM-6 紫外光照射によるアルカリハライド薄膜可視光応答の発現機構(表面界面構造・電子物性,領域9)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク