23aYC-11 メチル終端 Si(111) 表面の加熱による構造変化および電子分光測定
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
21aTA-6 化学的薄片剥離を用いたグラフェン薄膜形成手法の比較検討(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aWB-5 SiO_2上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
24pWB-1 Pt(111)基板上に成長したナノグラファイトのエッジ状態の観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性
-
21aTA-7 Pt(111)面上に成長したナノグラフェンのエッジ状態(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
18pRG-12 カーボンナノウォールの作製と電子状態(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
-
21aRB-1 ペンタセンFETにおける気体分子吸着効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
-
27pTD-6 低温STM/STS観測による局所擬ギャップ構造の温度依存性(27pTD 高温超伝導(トンネル分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
24pWA-2 オーバードープBi2201単結晶の低温STM/STS観測(高温超伝導(トンネル分光・輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
30pTL-1 アナターゼ型Ti_W_xO_2エピタキシャル薄膜の電気輸送特性と電子状態(30pTL Ti酸化物他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
26pTD-12 超伝導Nb探針を用いたFI(Field Ion)-STM(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
18aTG-8 Nb探針によるSTM観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
24aPS-84 Bi2212の低温磁場下STM/STS観察IV(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
21aPS-13 走査型トンネル顕微鏡によるC_薄膜の局所物性評価(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
30aUE-7 Bi2212の低温磁場下STM/STS観察III(30aUE 磁束量子系(磁束電子構造),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
19aYH-6 Bi2212の低温磁場下STM/STS観察II(磁束量子系(相図・可視化・電子状態),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
-
24pWA-3 Bi2212の低温磁場下STM/STS観察(高温超伝導(トンネル分光・輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
13aPS-13 不純物添加 Bi-2212 単結晶の低温 STM/STS 観察(低温 : 超伝導・金属絶縁体転移, 領域 8)
-
22aXJ-4 ステップバンチング表面上にエピタキシャル成長したペンタセン単分子膜の構造と電子状態(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
25aYC-11 有機グラフォエピタキシーの基板依存性から見たその成長機構(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28pXJ-9 人工周期構造を持つ熱酸化シリコン基板上におけるsexithiopheneの面内選択配向成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26pTG-6 電子線照射によるC_FETの特性変化(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
-
21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
-
13pWH-2 有機 FET の光応答機構(FET, 領域 8)
-
13pWH-2 有機 FET の光応答機構(FET, 領域 7)
-
27pZP-4 光照射によるC_FET特性の変化(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
-
27pZP-4 光照射によるC_FET特性の変化(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
-
22pXG-10 C_ 薄膜 FET の紫外光電子分光
-
31aZE-7 Cu(110) 表面上ペンタセン薄膜の構造と電子状態
-
19aTF-12 メチル終端Si(111)表面の電子分光
-
19aRH-3 (C_, In)/Si(111)系における電子状態
-
17aTF-6 変調分子線散乱法を用いた微傾斜基板表面上での有機分子拡散過程の解析
-
21aRB-7 グラフォエピタキシーによって面内配向制御した有機FETの特性評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
-
21aRJ-12 グラフォエピタキシーによる有機半導体薄膜の配向制御とFETへの応用(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
-
28pRC-5 AlPcCl薄膜のin situ FET特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
-
21aXA-10 有機薄膜トランジスタの膜厚依存性と電界効果電荷注入(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26pYK-7 有機薄膜トランジスタ断面の電位分布からみた電界効果電荷注入(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
-
22aTB-9 ボトムコンタクトFETにおける電極 : ペンタセン界面の接合形態と輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
-
24aXK-1 CVD法により成長したカーボンナノウォールの電子分光(ナノチューブ・ナノワイヤ,表面ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21aRJ-11 ペンタセンFETの検索インピーダンス解析II(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
-
21pRJ-1 ペンタセン薄膜における表面形態とFET特性の相関(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
-
26aYC-4 ペンタセン薄膜における自発的凝集過程の解析(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26aYC-6 ペンタセン超薄膜のモルフォロジー変化のLEEMによるin-situ観測(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28pRC-6 有機薄膜のin-situ AFM・FET測定 : 大気暴露による影響の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
-
28pRC-4 有機薄膜トランジスタの過渡現象における時定数の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
-
21aXA-1 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンスIII(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26aYF-10 ペンタセンFETの複素インピーダンス解析(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
-
28pRC-3 C_FETの揮発性有機分子吸着効果(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26pYK-5 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンス : II. 周波数解析(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26pYK-4 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンス : I. 電気容量の膜厚依存性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
-
13pWH-10 C_FET の膜厚依存性における伝導度異常(FET, 領域 8)
-
13pWH-4 過渡現象測定による有機薄膜の伝導機構の解析(FET, 領域 8)
-
13pWH-10 C_FET の膜厚依存性における伝導度異常(FET, 領域 7)
-
13pWH-4 過渡現象測定による有機薄膜の伝導機構の解析(FET, 領域 7)
-
23aYC-11 メチル終端 Si(111) 表面の加熱による構造変化および電子分光測定
-
24aYF-9 C_薄膜電気伝導度の膜厚依存性に観察されるピークについて(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
-
27pZP-2 ペンタセン超薄膜のトランジスタ特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
-
27pZP-2 ペンタセン超薄膜のトランジスタ特性(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
-
27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
-
21aTG-10 Pt(111)上に作製したナノグラフェンのSTM観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
-
27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
-
28pTA-1 グラフェンシート中への窒素ドープによるカーボンナノウォール伝導特性の変化(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
-
24pY-17 変調分子線散乱法による有機分子の表面拡散過程の解析
-
24aTE-6 アンモニア雰囲気下で成長した窒素ドープグラフェンの構造解析 その2(24aTE グラフェン・層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
-
19aEC-10 窒素ドープグラフェンの様々なドープ位置での酸素吸着特性(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
-
26pJB-4 グラフェンおよび窒素ドープグラフェンの分子吸着特性(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28aDK-5 グラフェンおよびグラファイトへの欠陥生成と酸素吸着(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
-
25pPSB-17 Cu(100)上に作製したC_60薄膜の構造と電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク