斉木 幸一朗 | 東大院新領域
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概要
関連著者
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斉木 幸一朗
東大院新領域
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池田 進
東大院新領域
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池田 進
東北大 理GCOE
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斉木 幸一朗
東大 新領域
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池田 進
高エネルギー研
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島田 敏宏
東大院理
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科
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Shimada T
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
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霍間 勇輝
東大院新領域
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宮寺 智彦
東大理
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宮寺 哲彦
理研
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宮寺 哲彦
東大院理
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和田 恭雄
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
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吉川 元起
東北大金研
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齋木 幸一朗
東大理
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吉川 元起
東北大学金属材料研究所
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吉川 元起
東京大学大学院理学系研究科
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木口 学
東大院新領域
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木口 学
東工大院理工
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小間 篤
東大院理
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嘉治 寿彦
東北大金研
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園谷 志郎
東大新領域
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中山 学
東大新領域
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嘉治 寿彦
東大院理
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圓谷 志郎
東大院新領域
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和田 恭雄
早大ナノテク研
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飯泉 謙一
東大院新領域
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圓谷 志郎
物質・材料研究機構
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中山 学
東大院新領域
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筒井 謙
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
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小幡 誠司
東大院理
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小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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筒井 謙
早大ナノテク研
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寺嶋 和夫
東大院新領域
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山川 秀充
東大院新領域
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寺嶋 和夫
東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻
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小幡 誠司
東大院新領域
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和田 恭雄
東洋大 学際・融合
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櫻井 利夫
東北大金研
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藤川 安仁
東北大金研
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桜井 利夫
東北大wpi
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櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
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江面 知彦
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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白山 和久
東大院新領域
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佐々木 岳彦
東大院新領域
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山本 麻由
東大院新領域
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福辻 貴也
東大院新領域
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Al-Mahboob A.
東北大金研
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伊藤 義泰
リガク
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サドウスキー J.
東北大金研
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江面 知彦
早大ナノテク研
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稲葉 克彦
リガク
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Sadowski Jerzy
東北大金研
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アルマフーブ A.
東北大金研
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櫻井 利夫
東北大学際センター
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稲葉 克彦
株式会社リガク
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薬袋 祐介
東大院新領域
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佐々木 岳彦
東大新領域
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宮副 裕之
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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吉田 雅史
埼玉大院理工
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上野 啓司
埼玉大院理工
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斉木 幸一朗
東大新領域
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吉川 元起
東大院理
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薬袋 裕介
東大院新領域
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Sadowski J.
東北大金研
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金森 由男
東大院理
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宮副 裕之
東大院新領域
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和田 恭雄
東洋大院学際・融合
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AL-MAHBOOB Abdullah
東北大金研
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大澤 一明
東大院新領域
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今村 岳
東大院新領域
著作論文
- 21aTA-6 化学的薄片剥離を用いたグラフェン薄膜形成手法の比較検討(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aTA-7 Pt(111)面上に成長したナノグラフェンのエッジ状態(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pRG-12 カーボンナノウォールの作製と電子状態(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRB-1 ペンタセンFETにおける気体分子吸着効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYC-11 有機グラフォエピタキシーの基板依存性から見たその成長機構(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXJ-9 人工周期構造を持つ熱酸化シリコン基板上におけるsexithiopheneの面内選択配向成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pTG-6 電子線照射によるC_FETの特性変化(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 31aZE-7 Cu(110) 表面上ペンタセン薄膜の構造と電子状態
- 19aTF-12 メチル終端Si(111)表面の電子分光
- 19aRH-3 (C_, In)/Si(111)系における電子状態
- 21aRB-7 グラフォエピタキシーによって面内配向制御した有機FETの特性評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-12 グラフォエピタキシーによる有機半導体薄膜の配向制御とFETへの応用(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aXA-10 有機薄膜トランジスタの膜厚依存性と電界効果電荷注入(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYK-7 有機薄膜トランジスタ断面の電位分布からみた電界効果電荷注入(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTB-9 ボトムコンタクトFETにおける電極 : ペンタセン界面の接合形態と輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aXK-1 CVD法により成長したカーボンナノウォールの電子分光(ナノチューブ・ナノワイヤ,表面ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pRJ-1 ペンタセン薄膜における表面形態とFET特性の相関(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYC-4 ペンタセン薄膜における自発的凝集過程の解析(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYC-6 ペンタセン超薄膜のモルフォロジー変化のLEEMによるin-situ観測(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pRC-6 有機薄膜のin-situ AFM・FET測定 : 大気暴露による影響の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-3 C_FETの揮発性有機分子吸着効果(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 13pWH-10 C_FET の膜厚依存性における伝導度異常(FET, 領域 8)
- 13pWH-10 C_FET の膜厚依存性における伝導度異常(FET, 領域 7)
- 23aYC-11 メチル終端 Si(111) 表面の加熱による構造変化および電子分光測定
- 24aYF-9 C_薄膜電気伝導度の膜厚依存性に観察されるピークについて(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pZP-2 ペンタセン超薄膜のトランジスタ特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-2 ペンタセン超薄膜のトランジスタ特性(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 21aTG-10 Pt(111)上に作製したナノグラフェンのSTM観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 28pTA-1 グラフェンシート中への窒素ドープによるカーボンナノウォール伝導特性の変化(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aTE-6 アンモニア雰囲気下で成長した窒素ドープグラフェンの構造解析 その2(24aTE グラフェン・層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aEC-10 窒素ドープグラフェンの様々なドープ位置での酸素吸着特性(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pJB-4 グラフェンおよび窒素ドープグラフェンの分子吸着特性(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aDK-5 グラフェンおよびグラファイトへの欠陥生成と酸素吸着(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
- 25pPSB-17 Cu(100)上に作製したC_60薄膜の構造と電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))