斉木 幸一朗 | 東大新領域
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概要
関連著者
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斉木 幸一朗
東大新領域
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木口 学
東大新領域
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圓谷 志郎
東大新領域
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池田 進
東大新領域
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園谷 志郎
東大新領域
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圓谷 志郎
物質・材料研究機構
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木口 学
東工大院理工
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池田 進
東北大 理GCOE
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小間 篤
東大院理
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池田 進
高エネルギー研
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上野 啓司
埼玉大理
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斉木 幸一朗
東大 新領域
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島田 敏宏
東大理
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吉川 元起
東大院理
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中山 学
東大新領域
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科
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上野 啓司
埼玉大院理工
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小野木 亮
埼玉大理
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吉川 元起
東北大金研
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吉川 元起
東北大学金属材料研究所
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吉川 元起
東京大学大学院理学系研究科
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青木 秀夫
東大理
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長谷川 哲也
東大理
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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長谷川 哲也
神奈川科学技術アカデミー
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上野 啓司
東大院理
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嘉治 寿彦
東北大金研
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木口 学
東工大理工:jstさきがけ
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宮寺 智彦
東大理
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宮寺 哲彦
東大理
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島田 敏宏
東大院理
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宮寺 哲彦
理研
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阿部 重臣
埼玉大理
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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中山 学
東大院理
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Ueno K
Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
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和田 恭雄
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
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和田 恭雄
東洋大 学際・融合
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池田 進
東北大理GCOE
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黒木 和彦
電通大量子・物質工
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太田 俊明
東大理
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大塚 孝治
東大理
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鈴木 維允
東大理
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科
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鈴木 維允
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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諏訪 雄二
日立基礎研
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西原 寛
東京大学大学院理学系研究科
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太田 俊明
立命館大学SRセンター
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後藤 貴之
上智大理工
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藤原 宏平
理研
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青木 秀夫
東大理:jst-trip
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藤原 宏平
東大新領域
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後藤 貴之
東大院理
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有田 亮太郎
理研
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吉川 元起
東大理
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中井 郁代
東大理
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木口 学
北大理
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近藤 寛
東大理
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山本 義朗
東大理
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片山 正士
東大院理
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森 朋彦
豊田中研
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菊澤 良弘
豊田中研
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竹内 久人
豊田中研
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嘉治 寿彦
東大院理
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近藤 寛
慶應義塾大学理工学部化学科
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小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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斉木 幸一朗
東大院新領域
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島田 敏宏
東大・理
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中井 郁代
京都大学大学院理学研究科化学専攻
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能川 玄之
東大理
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稲葉 和久
KAST
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廣瀬 靖
KAST
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古林 寛
KAST
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山本 幸生
KAST
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一杉 太郎
東大理
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齋木 幸一朗
東大理
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植田 敦希
東京大学大学院理学系研究科化学専攻修士課程進学
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廣瀬 靖
東大院理
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笠井 淳平
KAST
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古林 寛
(財)神奈川科学技術アカデミー
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嘉治 寿彦
東大理
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植田 敦希
東大理
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一杉 太郎
東北大wpi材料機構
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澤村 正也
北大 大学院理学研究科
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和田 恭雄
東洋大学際・融合
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浜田 剛志
東大理
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大島 紀一
東大理
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山野井 康徳
東大理
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西原 寛
東大理
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Shimada T
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
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太田 俊昭
東大理
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鳥田 敏宏
東大院理
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黒木 和彦
電通大 量子・物質工
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稲葉 和久
Kast:東工大
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大澤 一明
東大院新領域
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黒木 和彦
電通大
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飯泉 謙一
東大新領域
著作論文
- 22pGS-15 電極エッジに起因する有機半導体薄膜の面内配向成長とFETへの応用(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pWB-1 Pt(111)基板上に成長したナノグラファイトのエッジ状態の観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 12aXF-9 水素吸着 C_ 単結晶薄膜の構造および電子状態(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
- 26pYK-6 有機FETのtime of flight移動度測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性
- 26aYC-5 金属表面上に成長したヘキサフルオロヘキサベンゾコロネン薄膜の構造および電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 14aXD-12 Pt(111) 基板上に成長したナノグラファイトの電子状態および磁性(表面・界面磁性, 領域 3)
- 14aXD-12 Pt(111) 基板上に成長したナノグラファイトの電子状態および磁性(表面・界面磁性, 領域 9)
- 28pRC-14 有機半導体界面におけるトラップのスピン偏極(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 研究紹介
- 13pWH-8 高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機 FET の動作特性(FET, 領域 8)
- 13pWH-8 高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機 FET の動作特性(FET, 領域 7)
- 22pXG-1 異方的成長条件下で成長したペンタセン薄膜を用いた有機 FET
- 31pWD-5 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 I
- 21aXA-7 有機薄膜FETのtime of flight移動度測定(2)(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aYE-9 アルカリハライド/金属界面における金属誘起ギャップ状態
- 28pXJ-11 偏光配向したAlq3薄膜の結晶構造解析(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aRG-3 ジメチルアミノピロールオリゴマー薄膜の構造および電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pYK-4 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンス : I. 電気容量の膜厚依存性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aPS-44 ハイドロフラレン単結晶薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 27pRC-4 C_薄膜の気体分子吸着における電子状態の変化(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXA-10 酸素雰囲気下での光照射によるC_の電子状態の変化(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aPS-42 UV/オゾン処理およびアニーリングによるSiO_2表面状態の変化(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aWA-9 絶縁体上の Co 超薄膜の構造と磁性
- 23aWA-9 絶縁体上の Co 超薄膜の構造と磁性
- 13pWH-1 有機薄膜 FET の表面分光によるプラズマ振動の観測(FET, 領域 7)
- 領域9,7「ヘテロ界面における新しい電子状態と制御」(2004年秋季大会シンポジウム(物性領域)の報告)
- 28pTA-1 グラフェンシート中への窒素ドープによるカーボンナノウォール伝導特性の変化(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
- 12pYD-8 ヘテロ界面における新しい電子状態と制御-おわりに(主題 : ヘテロ界面における新しい電子状態と制御, 領域 9)
- 9aSM-5 金属上に成長したアルカリハライド単結晶超薄膜の電子状態のEXAFSによる研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 9aSM-10 酸化物薄膜極性面の成長とその電子状態(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 25aYF-1 ヘテロ成長によるCsBr薄膜の結晶構造制御とその電子状態に関する研究(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 24aYF-2 アルカリハライド薄膜表面の表面構造および光電子収率(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 6aSM-9 紫外光電子分光法によるAl/Sn界面の電子状態(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 24aYF-1 Ni,Cu(111)表面上のC_60単結晶エピタキシャル薄膜の構造および電子状態(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))