Ueno K | Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
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概要
関連著者
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上野 啓司
埼玉大理
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Ueno K
Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
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上野 啓司
東大院理
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小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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小間 篤
東大院理
-
斉木 幸一朗
東大院創域
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飯泉 謙一
東大院新領域
-
飯泉 謙一
東大院理
-
小間 篤
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
-
上野 啓司
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
-
小間 篤
東京大学大学院理学系研究科
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木口 学
東工大院理工
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斉木 幸一朗
東大院理
-
斉木 幸一朗
東大新領域
-
木口 学
東大新領域
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城田 はまな
東大院理
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中原 伴徳
東大院理
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牧野 淳一郎
国立天文台
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島田 敏宏
東大理
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三谷 洋興
北陸先端大
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岩佐 義宏
北陸先端大
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岡 良隆
東大・理・動物
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岡 良隆
東京大学大学院理学系研究科
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岡 良隆
東大・院・理・附属臨海実験所
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三谷 忠興
北陸先端大
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内野 康訓
東大院理
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稲田 康平
北陸先端大
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永井 清恵
北陸先端大
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藤原 宏平
理研
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藤原 宏平
東大新領域
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斉木 幸一朗
東京大学大学院 新領域創成科学研究科 複雑理工学専攻
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山本 義朗
東大理
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中山 学
東大新領域
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島田 敏宏
東大院理
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上野 啓司
埼玉大学理学部基礎化学科
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片山 正士
東大院理
-
林 利行
東大院理
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Dai Z.R.
Univ.Washington
-
大内 二三夫
Univ.Washington
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斉木 幸一郎
東大院創域
-
上野 啓司
東大理
-
小間 篤
東大理
-
河野 孝臣
東大理
-
斉木 幸一朗
東大・理
-
小間 篤
東大・理
-
飯泉 謙一
東大・理
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上野 啓司
東大・理
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磯部 寛之
東北大 大学院理学研究科
-
斉木 幸一郎
東大創域
著作論文
- 25aS-4 La@C_薄膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 26pYK-6 有機FETのtime of flight移動度測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性
- 表面不活性化シリコン基板上における異方的有機薄膜成長
- 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察
- 表面不活性基板を利用した有機・無機ナノ構造の形成(ナノ結晶)
- 29pPSA-31 Bilayer-GaSe終端Si(111)表面のSTM観察
- 層状物質基板
- 24pPSA-28 Bilaye-GaSe上に形成したGa量子ドットの電子分光
- 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
- 22aWA-7 C_/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル
- OME2000-51 異種原子終端Si基板上でのフラーレン分子のエピタキシー
- 23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構
- 22aW-5 (C_,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル
- 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定
- 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
- 24aZ-6 Si(111)-7×7および(100)-2×1表面上に作製したC_単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 研究ニュース
- 31a-S-12 不活性基板表面上に成長したC-単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 24aZ-1 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定(II)