斉木 幸一朗 | 東大院創域

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 東大院創域の論文著者

関連著者

• 斉木 幸一朗

  東大院創域

• 小間 篤

  東大院理

• 小間 篤

  Department Of Chemistry The University Of Tokyo

• 上野 啓司

  東大院理

• 上野 啓司

  埼玉大理

• Ueno K

  Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation

• 木口 学

  東工大院理工

• 木口 学

  東大院創域

• 飯泉 謙一

  東大院理

• 飯泉 謙一

  東大院新領域

• 城田 はまな

  東大院理

• 後藤 貴之

  上智大理工

• 後藤 貴之

  東大院理

• 中原 伴徳

  東大院理

• 井上 宏昭

  東大院理

• 三谷 洋興

  北陸先端大

• 岩佐 義宏

  北陸先端大

• 三谷 忠興

  北陸先端大

• 内野 康訓

  東大院理

• 稲田 康平

  北陸先端大

• 永井 清恵

  北陸先端大

• 上野 啓司

  埼玉大院理工

• 井上 宏昭

  東大院創域

• 園谷 志郎

  東大新領域

• 片山 正士

  東大院理

• 林 利行

  東大院理

• Dai Z.R.

  Univ.Washington

• 大内 二三夫

  Univ.Washington

• 小間 篇

  東大院理

• 圓谷 志郎

  物質・材料研究機構

• 千秋 智彦

  東大院理

• 圓谷 志郎

  東大院創域

もっと見る 閉じる

著作論文

• 25aS-4 La@C_薄膜の電子エネルギー損失スペクトル
• 19pPSB-23 絶縁体薄膜/金属単結晶界面のバンドアライメント
• 28aYQ-1 MgO(100)/Ag(100)界面の構造及び電子状態
• 29pPSA-31 Bilayer-GaSe終端Si(111)表面のSTM観察
• 24pPSA-28 Bilaye-GaSe上に形成したGa量子ドットの電子分光
• 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
• 22aWA-7 C_/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル
• 23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構
• 22aW-5 (C_,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル
• 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定
• 24aPS-22 異種原子終端Si(111)基板に吸着したC_
• 19pWD-4 金属単結晶基板上のアルカリ-ハライドのエピタキシャル成長
• 19pWD-3 複合ヘテロ構造によるGaAs(001)基板上へのCoO単結晶薄膜の作製
• 22aT-2 アルカリハライドヘテロ構造界面の格子ひずみ
• 25pWB-14 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の構造及び電子状態
• 25aWD-12 LiF/LiBrヘテロ界面の電子状態

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク