24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-09-10
著者
-
上野 啓司
東大院理
-
飯泉 謙一
東大院理
-
斉木 幸一朗
東大院創域
-
小間 篤
東大院理
-
上野 啓司
埼玉大理
-
城田 はまな
東大院理
-
小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
-
飯泉 謙一
東大院新領域
-
Ueno K
Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
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