OME2000-50 金属内包フラーレンのエピタキシャル成長と電子状態
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概要
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金属内包フラーレンであるLa@C_<82>をMBE法を用いてMoS_2劈開面上にエピタキシャル成長させることに成功した。得られたエピタキシャル膜の分子間距離はバルクの単結晶のものと一致することが分かった。またこのエピタキシャル膜の電子エネルギー損失分光(EELS)を測定することによりLa@C_<82>薄膜が金属または半金属であることを見いだした。さらにEELSに現れたバンド間遷移のピークからLa@C_<82>エピタキシャル膜のエネルギーダイアグラムを考案した。MBE法とEELSの組み合わせは大量合成が難しい物質の電子構造の解明に対して非常に有用であることを実証した。またこの組み合わせは理論計算が中心であった他の金属内包フラーレンの電子構造解明のブレークスルーとなる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-21
著者
-
小間 篤
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
-
小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
-
小間 篤
東京大学大学院理学系研究科
-
飯泉 謙一
東大院新領域
-
飯泉 謙一
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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