9aSM-6 紫外光照射によるアルカリハライド薄膜可視光応答の発現機構(表面界面構造・電子物性,領域9)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2002-08-13
著者
-
上野 啓司
東大院理
-
小間 篤
東大院理
-
斉木 幸一朗
東大院理
-
吉川 元起
東大院理
-
木口 学
東大新領域
-
小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
関連論文
- 25aS-4 La@C_薄膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 21pGP-12 金属基板上における窒素ドープされたグラフェンの成長(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGP-6 Pt(111)上のPyridine重合で成長したグラフェンの構造解析(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYE-3 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性II(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYH-8 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pPSB-23 絶縁体薄膜/金属単結晶界面のバンドアライメント
- 28aYQ-1 MgO(100)/Ag(100)界面の構造及び電子状態
- 15pXE-3 金属表面上に成長した TTC 超薄膜の構造および界面電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
- 12aXF-9 水素吸着 C_ 単結晶薄膜の構造および電子状態(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
- 26pYK-6 有機FETのtime of flight移動度測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy Study of LiBr/Si(001) Heterostructure
- 22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性
- 表面不活性化シリコン基板上における異方的有機薄膜成長
- 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察
- 表面不活性基板を利用した有機・無機ナノ構造の形成(ナノ結晶)
- 29pPSA-31 Bilayer-GaSe終端Si(111)表面のSTM観察
- 層状物質基板
- 24pPSA-28 Bilaye-GaSe上に形成したGa量子ドットの電子分光
- 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
- 22aWA-7 C_/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル
- OME2000-51 異種原子終端Si基板上でのフラーレン分子のエピタキシー
- 23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構
- 22aW-5 (C_,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル
- 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定
- 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
- 24aZ-6 Si(111)-7×7および(100)-2×1表面上に作製したC_単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 21aRB-8 ヘキサベンゾコロネン誘導体薄膜の形態と電界効果トランジスタ特性(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYF-9 ヘキサベンゾコロネン誘導体電界効果トランジスタ特性の温度依存性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYE-7 CVD法による窒素ドープしたグラフェンの成長と電子状態(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYE-2 酸化グラフェンナノシートの面間電導特性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 研究紹介
- 研究ニュース
- 20pYC-14 アルカリハライド/金属ヘテロ構造の STM 観察
- 24aPS-22 異種原子終端Si(111)基板に吸着したC_
- 21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pWS-11 金属基板上におけるヘテロ原子をドープしたグラフェンの成長と電子状態(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWS-10 ナノグラフェンおよび窒素ドープグラフェン上への酸素吸着(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 13pWH-2 有機 FET の光応答機構(FET, 領域 8)
- 13pWH-2 有機 FET の光応答機構(FET, 領域 7)
- 27pZP-4 光照射によるC_FET特性の変化(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-4 光照射によるC_FET特性の変化(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- Metal-induced gap states at well defined alkali-halide/metal interfaces.
- 31pWD-6 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 II
- 31pWD-5 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 I
- 31aZE-7 Cu(110) 表面上ペンタセン薄膜の構造と電子状態
- 28pPSB-21 アルカリハライド/金属界面の構造と電子状態
- Dynamic and Static Disorder of Alkali Halide Solid Solutions studied by Temperature-dependent Extended X-Ray-Absorption Fine Structure
- 19pWD-4 金属単結晶基板上のアルカリ-ハライドのエピタキシャル成長
- 19pWD-3 複合ヘテロ構造によるGaAs(001)基板上へのCoO単結晶薄膜の作製
- 19aTF-12 メチル終端Si(111)表面の電子分光
- 19aRH-3 (C_, In)/Si(111)系における電子状態
- 17aTF-6 変調分子線散乱法を用いた微傾斜基板表面上での有機分子拡散過程の解析
- 29pPSA-17 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の電子構造
- 27aY-7 Si単結晶表面上でのNiOの分解
- 29a-L-5 HgBa_2CuO_の光電子分光
- 28p-S-8 Si, GaAs基板上への岩塩型酸化物の成長
- 26p-YR-7 Si(111)面上へのMgのエピタキシャル成長
- 26p-YR-5 高感度RHEED法によるアルカリハライドヘテロ構造の評価
- 28pRC-5 AlPcCl薄膜のin situ FET特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aRB-2 周波数応答測定を用いたペンタセンFETの半導体・電極間の接触抵抗の評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-7 真性有機半導体の電荷極性について(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-11 ペンタセンFETの検索インピーダンス解析II(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28pRC-6 有機薄膜のin-situ AFM・FET測定 : 大気暴露による影響の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-4 有機薄膜トランジスタの過渡現象における時定数の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXA-7 C_-金属薄膜におけるin-situ電気伝導度測定(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXA-1 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンスIII(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aPS-149 銀単結晶基板上に配列したα-sexithienylのSTM観察II(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 12aXF-7 銀単結晶基板上に配列したα-sexithienyl の STM 観察(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
- 23aYE-9 アルカリハライド/金属界面における金属誘起ギャップ状態
- 23aYC-9 金属表面上に成長したオリゴチオフェン超薄膜の構造および電子状態
- OME2000-50 金属内包フラーレンのエピタキシャル成長と電子状態
- 24aF-11 KドープC_薄膜の内殻励起電子エネルギー損失スペクトル
- 22aTB-7 ペンタセンFETの周波数応答測定 : 電極SAMs処理の効果(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYF-10 ペンタセンFETの複素インピーダンス解析(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYK-5 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンス : II. 周波数解析(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 13pWH-4 過渡現象測定による有機薄膜の伝導機構の解析(FET, 領域 8)
- 13pWH-4 過渡現象測定による有機薄膜の伝導機構の解析(FET, 領域 7)
- 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 23aWA-9 絶縁体上の Co 超薄膜の構造と磁性
- 23aWA-9 絶縁体上の Co 超薄膜の構造と磁性
- 28pTA-3 アンモニア雰囲気下で成長した窒素ドープグラフェンの構造解析(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTA-2 金属基板上に成長するグラフェンへのヘテロ原子ドーピング(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aT-2 アルカリハライドヘテロ構造界面の格子ひずみ
- 25pWB-14 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の構造及び電子状態
- 25aWD-12 LiF/LiBrヘテロ界面の電子状態
- 22aT-9 LiF/LiBr/Si(001)ヘテロ薄膜の原子,電子構造
- 24pY-17 変調分子線散乱法による有機分子の表面拡散過程の解析
- 26pSB-6 金属基板上に成長したグラフェンへの欠陥生成(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aEC-9 金属基板上に成長した窒素ドープグラフェンの構造とその吸着特性(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 29aXP-5 窒素ドープグラフェンの酸素吸着活性とその吸着構造(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 9aSM-5 金属上に成長したアルカリハライド単結晶超薄膜の電子状態のEXAFSによる研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 9aSM-10 酸化物薄膜極性面の成長とその電子状態(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 25aYF-1 ヘテロ成長によるCsBr薄膜の結晶構造制御とその電子状態に関する研究(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-17 Cu(100)上に作製したC_60薄膜の構造と電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 24aYF-2 アルカリハライド薄膜表面の表面構造および光電子収率(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 9aSM-7 STMによるLiBr/Si(001)ヘテロ構造の観察(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 6aSM-9 紫外光電子分光法によるAl/Sn界面の電子状態(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 24aYF-1 Ni,Cu(111)表面上のC_60単結晶エピタキシャル薄膜の構造および電子状態(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 9aSM-6 紫外光照射によるアルカリハライド薄膜可視光応答の発現機構(表面界面構造・電子物性,領域9)