21aRB-2 周波数応答測定を用いたペンタセンFETの半導体・電極間の接触抵抗の評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-08-21

著者

• 池田 進

  東北大 理GCOE

• 斉木 幸一朗

  東大 新領域

• 斉木 幸一朗

  東大院理

• 池田 進

  東大院新領域

• 金森 由男

  東大院理

• 池田 進

  高エネルギー研

関連論文

• 有機半導体分子のグラフォエピタキシー
• 23aHT-2 特徴的構造観測を目指した中性子回折装置の設計(23aHT X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGS-15 電極エッジに起因する有機半導体薄膜の面内配向成長とFETへの応用(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aZA-5 ポンププローブ法によるAlq_3分子内エネルギー移動の研究(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
• 22pTE-12 (Pb,Sr)TiO_3ナノパウダーの構造解析(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21pGP-12 金属基板上における窒素ドープされたグラフェンの成長(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGP-6 Pt(111)上のPyridine重合で成長したグラフェンの構造解析(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYE-3 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性II(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aYH-8 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTA-6 化学的薄片剥離を用いたグラフェン薄膜形成手法の比較検討(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pRF-9 プロトン伝導体K_3H(SeO_4)_2のSeO_4四面体の動的振る舞いIII(27pRF 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 15pXE-3 金属表面上に成長した TTC 超薄膜の構造および界面電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
• 25aYA-2 中性子回折装置Siriusを用いた10GPa高圧実験
• 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察
• 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
• 30aYA-5 K_3H(SeO_4)_2の中性子準弾性散乱(30aYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 30aYA-4 K_3H(SeO_4)_2の中性子粉末構造解析(30aYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYN-4 K_3H(SeO_4)_2の高温相における中性子粉末構造解析(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pZF-7 BaFeO_の構造解析
• 26pPSA-57 Sr_3Fe_2O_の磁性
• 24pPSA-31 Sr_3Fe_2O_の磁気構造
• 26pYA-1 超高分解能・高強度中性子回折装置Siriusを用いた構造解析の可能性
• 27aYR-10 Cu(COO)_2・4H_2Oの中性子非干渉性散乱
• 22pYP-1 中性子散乱法を用いた氷の分散関係の研究
• 24aYA-5 氷におけるプロトンのダイナミクス
• 25pYK-5 中性子散乱法による氷の分子振動の研究
• 21aRB-8 ヘキサベンゾコロネン誘導体薄膜の形態と電界効果トランジスタ特性(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYF-9 ヘキサベンゾコロネン誘導体電界効果トランジスタ特性の温度依存性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aYC-5 金属表面上に成長したヘキサフルオロヘキサベンゾコロネン薄膜の構造および電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYE-7 CVD法による窒素ドープしたグラフェンの成長と電子状態(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aYE-2 酸化グラフェンナノシートの面間電導特性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aTA-7 Pt(111)面上に成長したナノグラフェンのエッジ状態(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pRG-12 カーボンナノウォールの作製と電子状態(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aYE-1 プロトン伝導体K_3H(SeO_4)_2のSeO_4四面体の動的振る舞いII(誘電体(水素結合),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21aRB-1 ペンタセンFETにおける気体分子吸着効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYC-11 有機グラフォエピタキシーの基板依存性から見たその成長機構(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXJ-9 人工周期構造を持つ熱酸化シリコン基板上におけるsexithiopheneの面内選択配向成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pYC-14 アルカリハライド/金属ヘテロ構造の STM 観察
• 5a-Q-5 γ-Fe _Mn_における臨界現象
• 26pTG-6 電子線照射によるC_FETの特性変化(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pRL-14 有機半導体単結晶の光励起誘導放出作用に及ぼす基板表面修飾の影響(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pVE-2 (K_Rb_x)_3H(SeO_4)_2の中性子粉末構造解析(21pVE 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pWS-11 金属基板上におけるヘテロ原子をドープしたグラフェンの成長と電子状態(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWS-10 ナノグラフェンおよび窒素ドープグラフェン上への酸素吸着(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 13pWH-2 有機 FET の光応答機構(FET, 領域 8)
• 13pWH-2 有機 FET の光応答機構(FET, 領域 7)
• 27pZP-4 光照射によるC_FET特性の変化(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
• 27pZP-4 光照射によるC_FET特性の変化(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
• 31pWD-6 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 II
• 31aZE-7 Cu(110) 表面上ペンタセン薄膜の構造と電子状態
• 28pPSB-21 アルカリハライド/金属界面の構造と電子状態
• 有機半導体のグラフォエピタキシー(応用を視野においた有機半導体の結晶成長)
• アモルファス基板上における有機薄膜の面内配向制御 : 電界効果トランジスタへの応用に向けて
• 21aRB-7 グラフォエピタキシーによって面内配向制御した有機FETの特性評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-12 グラフォエピタキシーによる有機半導体薄膜の配向制御とFETへの応用(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pRC-5 AlPcCl薄膜のin situ FET特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aXA-10 有機薄膜トランジスタの膜厚依存性と電界効果電荷注入(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pYK-7 有機薄膜トランジスタ断面の電位分布からみた電界効果電荷注入(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTB-9 ボトムコンタクトFETにおける電極 : ペンタセン界面の接合形態と輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aRB-2 周波数応答測定を用いたペンタセンFETの半導体・電極間の接触抵抗の評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aXK-1 CVD法により成長したカーボンナノウォールの電子分光(ナノチューブ・ナノワイヤ,表面ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aRJ-7 真性有機半導体の電荷極性について(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-11 ペンタセンFETの検索インピーダンス解析II(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRJ-1 ペンタセン薄膜における表面形態とFET特性の相関(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYC-4 ペンタセン薄膜における自発的凝集過程の解析(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aYC-6 ペンタセン超薄膜のモルフォロジー変化のLEEMによるin-situ観測(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pRC-6 有機薄膜のin-situ AFM・FET測定 : 大気暴露による影響の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pRC-4 有機薄膜トランジスタの過渡現象における時定数の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXA-7 C_-金属薄膜におけるin-situ電気伝導度測定(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aXA-1 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンスIII(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aPS-149 銀単結晶基板上に配列したα-sexithienylのSTM観察II(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 12aXF-7 銀単結晶基板上に配列したα-sexithienyl の STM 観察(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 23aYC-9 金属表面上に成長したオリゴチオフェン超薄膜の構造および電子状態
• 28pXJ-11 偏光配向したAlq3薄膜の結晶構造解析(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18aRG-3 ジメチルアミノピロールオリゴマー薄膜の構造および電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aTB-7 ペンタセンFETの周波数応答測定 : 電極SAMs処理の効果(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aYF-10 ペンタセンFETの複素インピーダンス解析(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pRC-3 C_FETの揮発性有機分子吸着効果(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pYK-5 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンス : II. 周波数解析(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 13pWH-4 過渡現象測定による有機薄膜の伝導機構の解析(FET, 領域 8)
• 13pWH-4 過渡現象測定による有機薄膜の伝導機構の解析(FET, 領域 7)
• 24aYF-9 C_薄膜電気伝導度の膜厚依存性に観察されるピークについて(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aPS-44 ハイドロフラレン単結晶薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aTG-10 Pt(111)上に作製したナノグラフェンのSTM観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pRC-4 C_薄膜の気体分子吸着における電子状態の変化(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXA-10 酸素雰囲気下での光照射によるC_の電子状態の変化(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aPS-42 UV/オゾン処理およびアニーリングによるSiO_2表面状態の変化(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
• 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
• 28pTA-3 アンモニア雰囲気下で成長した窒素ドープグラフェンの構造解析(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTA-2 金属基板上に成長するグラフェンへのヘテロ原子ドーピング(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aTE-6 アンモニア雰囲気下で成長した窒素ドープグラフェンの構造解析 その2(24aTE グラフェン・層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTG-1 有機電界効果トランジスタの発光と伝搬に及ぼす基板表面修飾の影響(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• グラフェン塗布電極を用いた有機FETの作製と評価(センサー,デバイス,一般)
• 26pSB-6 金属基板上に成長したグラフェンへの欠陥生成(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aEC-9 金属基板上に成長した窒素ドープグラフェンの構造とその吸着特性(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aXP-5 窒素ドープグラフェンの酸素吸着活性とその吸着構造(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 9aSM-7 STMによるLiBr/Si(001)ヘテロ構造の観察(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 9aSM-6 紫外光照射によるアルカリハライド薄膜可視光応答の発現機構(表面界面構造・電子物性,領域9)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク