有機半導体のグラフォエピタキシー(<特集>応用を視野においた有機半導体の結晶成長)
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概要
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有機半導体はそのフレキシビリティー,低コスト化などの観点から,新しい電子デバイス材料として注目を集めている.実デバイスとするためには高いキャリア移動度が要求されるが,例えば薄膜トランジスタにしばしば用いられるアモルファス基板(ゲート絶縁体)上で薄膜成長を行うと,面内方位がランダムな多結晶性薄膜となり,単結晶がもつ物質本来の移動度を引き出すことができない.このような基板に起因する有機半導体薄膜成長の問題点を解決する手段として,無機材料の分野で研究が進んでいるグラフォエピタキシーに着目した.本報では,有機半導体薄膜の面内配向制御にグラフォエピタキシーを応用した結果と有機グラフォエピタキシーに特有な結晶成長メカニズムについて解説する.
- 日本結晶成長学会の論文
著者
-
和田 恭雄
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
-
寺嶋 和夫
東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
池田 進
東北大 理GCOE
-
和田 恭雄
東洋大 学際・融合
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斉木 幸一朗
東大 新領域
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
-
島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科
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斉木 幸一朗
東京大学大学院 新領域創成科学研究科 複雑理工学専攻
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齋木 幸一朗
東大理
-
池田 進
高エネルギー研
-
池田 進
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
-
和田 恭雄
東洋大学大学院学際・融合科学研究科
-
稲葉 克彦
株式会社リガク
-
和田 恭雄
東洋大学大学院
-
Shimada T
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
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