齋木 幸一朗 | 東大理
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概要
関連著者
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齋木 幸一朗
東大理
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斉木 幸一朗
東大 新領域
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斉木 幸一朗
東大院理
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小幡 誠司
東大院理
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池田 進
東北大 理GCOE
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斉木 幸一朗
東大院新領域
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今村 岳
東大院理
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池田 進
高エネルギー研
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和田 恭雄
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
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和田 恭雄
東洋大 学際・融合
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上野 啓司
埼玉大院理工
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佐藤 裕樹
東大新領域
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吉田 雅史
埼玉大院理工
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斉木 幸一朗
東京大学大学院 新領域創成科学研究科 複雑理工学専攻
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霍間 勇輝
東大院新領域
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池田 進
東大院新領域
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小間 篤
東大理
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金森 由男
東大院理
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久城 育夫
東京大学理学部
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北沢 英明
物材機構
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寺嶋 和夫
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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久城 育夫
東大・院理
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永原 裕子
東大・院理
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池田 進
東北大理GCOE
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科
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有馬 朗人
科技団
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有馬 朗人
前科学技術庁:日本物理学会
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河野 匡
東大・理・植物
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後藤 英一
神奈川大学理学部情報科学科
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櫻井 利夫
東北大金研
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杉ノ原 伸夫
東京大学気候システム研究センター
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北澤 英明
理研
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北沢 英明
理研
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北澤 英明
物材研
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國井 利泰
東京大学
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金 那美
東京大学理学部
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田中 浩成
東大院理
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白石 淳子
東大新領域
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服部 功三
東大新領域
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斉木 幸一朗
東大新領域
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佐川 弘幸
東大理
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大内 二三夫
Univ.Washington
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渡部 芳夫
産業技術総合研究所地質調査総合センター
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佐川 弘幸
会津大数理科学セ
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藤川 安仁
東北大金研
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桜井 利夫
東北大wpi
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櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
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林 幹治
東京大学理学部地球物理研究施設
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清水 謙多郎
東大院・農生科・応生工
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吉川 元起
東北大金研
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上野 啓司
東大理
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松野 太郎
地球フロンティア研究システム
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住 明正
東京大学CCSR
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Sadowski J.
東北大金研
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嶋 昭紘
東大 大学院新領域創成科学研究科
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多田 博一
東大理
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巻出 義紘
東京大学アイソトープ総合センター
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山本 麻由
東大院新領域
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福辻 貴也
東大院新領域
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遠藤 幸子
東大・理・生化
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酒井 彦一
東大・理・生化
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後藤 英一
東大理
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新免 輝男
姫路工業大学・理・生命科学
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Al-Mahboob A.
東北大金研
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山本 達人
宇宙科学研究所
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吉田 宣章
東大理
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サドウスキー J.
東北大金研
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吉川 元起
東北大学金属材料研究所
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吉川 元起
東京大学大学院理学系研究科
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Sadowski Jerzy
東北大金研
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富永 健
東大
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富永 健
東京大学 (理学部)
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上野 啓司
埼玉大学大学院理工学研究科
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巻出 義紘
東大アイソトープ総セ
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岩上 直幹
東大 理
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アルマフーブ A.
東北大金研
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櫻井 利夫
東北大学際センター
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池田 進
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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和田 恭雄
東洋大学大学院学際・融合科学研究科
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稲葉 克彦
株式会社リガク
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和田 恭雄
東洋大学際・融合
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奈良坂 紘一
東大理
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吉田 宣章
関西大学総合情報学部
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和田 恭雄
東洋大学大学院
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坪井 宏政
東大院新領域
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巻出 義紘
東大 アイソトープ総合セ
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Shimada T
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
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飯島 東
東大・理・地質
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前川 守
電気通信大学情報システム学研究科情報システム設計学専攻
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高橋 景一
国際基督教大学
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國井 利泰
東京大学理学部
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飯島 東
University of Tokyo
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三田 高志
静岡県大・食品
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Parkinson B.a.
デュポン
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大内 二三夫
デュポン
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真行寺 千佳子
東京大学大学院理学系研究科 生物科学専攻
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小幡 誠司
東大院新領域
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後藤 拓也
三菱ガス化学(株)
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菅沼 洸一
埼玉大学大学院理工学研究科
著作論文
- 有機半導体分子のグラフォエピタキシー
- 22pGS-15 電極エッジに起因する有機半導体薄膜の面内配向成長とFETへの応用(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGP-12 金属基板上における窒素ドープされたグラフェンの成長(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGP-6 Pt(111)上のPyridine重合で成長したグラフェンの構造解析(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYE-3 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性II(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYH-8 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTA-6 化学的薄片剥離を用いたグラフェン薄膜形成手法の比較検討(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYE-7 CVD法による窒素ドープしたグラフェンの成長と電子状態(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYE-2 酸化グラフェンナノシートの面間電導特性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aTA-7 Pt(111)面上に成長したナノグラフェンのエッジ状態(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 理学部研究ニュース
- 26pTG-6 電子線照射によるC_FETの特性変化(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pWS-11 金属基板上におけるヘテロ原子をドープしたグラフェンの成長と電子状態(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWS-10 ナノグラフェンおよび窒素ドープグラフェン上への酸素吸着(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 有機半導体のグラフォエピタキシー(応用を視野においた有機半導体の結晶成長)
- 22aTB-9 ボトムコンタクトFETにおける電極 : ペンタセン界面の接合形態と輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTB-7 ペンタセンFETの周波数応答測定 : 電極SAMs処理の効果(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 1p-Z-12 金属フタロシアニン超薄膜のエピタキシャル成長
- 28pTA-3 アンモニア雰囲気下で成長した窒素ドープグラフェンの構造解析(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTA-2 金属基板上に成長するグラフェンへのヘテロ原子ドーピング(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
- 2a-E-12 ファンデアワールス・エピタキシー法によりヘテロ成長した超薄膜のSTM観察
- 24aTE-6 アンモニア雰囲気下で成長した窒素ドープグラフェンの構造解析 その2(24aTE グラフェン・層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
- グラフェン塗布電極を用いた有機FETの作製と評価(センサー,デバイス,一般)