21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-02-28

著者

• 池田 進

  東北大 理GCOE

• 斉木 幸一朗

  東大 新領域

• 三成 剛生

  物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

• 青柳 克信

  立命館大学coe推進機構

• 青柳 克信

  東工大総合理工学:crest(jst)

• 青柳 克信

  理化学研究所

• 斉木 幸一朗

  東大院理

• 宮寺 智彦

  東大理

• 宮寺 哲彦

  理研

• 池田 進

  東大院新領域

• 塚越 一仁

  産総研:crest(jst)

• 金森 由男

  東大院理

• 塚越 一仁

  物材機構:産総研ナノテクノロジー:理研

• 伊藤 裕美

  理化学研究所

• 池田 進

  高エネルギー研

• 三成 剛生

  理化学研究所

• 宮寺 哲彦

  理化学研究所

• 塚越 一仁

  理化学研究所

• 青柳 克彦

  理研フロンティア

関連論文

• 有機半導体分子のグラフォエピタキシー
• 23aHT-2 特徴的構造観測を目指した中性子回折装置の設計(23aHT X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGS-15 電極エッジに起因する有機半導体薄膜の面内配向成長とFETへの応用(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGS-3 κ型ET塩に対する静電キャリアドーピングIII(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 有機/金属電荷移動現象とそのデバイス応用
• 19aZA-5 ポンププローブ法によるAlq_3分子内エネルギー移動の研究(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
• InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 22pTE-12 (Pb,Sr)TiO_3ナノパウダーの構造解析(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21pGP-12 金属基板上における窒素ドープされたグラフェンの成長(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGP-6 Pt(111)上のPyridine重合で成長したグラフェンの構造解析(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aYG-4 ルブレン単結晶の電子構造の光電子分析(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYE-3 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性II(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aYH-8 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTA-6 化学的薄片剥離を用いたグラフェン薄膜形成手法の比較検討(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pRF-9 プロトン伝導体K_3H(SeO_4)_2のSeO_4四面体の動的振る舞いIII(27pRF 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
• 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
• カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
• ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
• アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
• 原子レベルの表面構造制御による窒化物半導体の欠陥密度の低減
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
• 多層グラフェンにおける超伝導近接効果(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
• 21aRB-8 ヘキサベンゾコロネン誘導体薄膜の形態と電界効果トランジスタ特性(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYF-9 ヘキサベンゾコロネン誘導体電界効果トランジスタ特性の温度依存性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aYC-5 金属表面上に成長したヘキサフルオロヘキサベンゾコロネン薄膜の構造および電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYE-7 CVD法による窒素ドープしたグラフェンの成長と電子状態(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aYE-2 酸化グラフェンナノシートの面間電導特性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pRC-10 ホール効果でみる有機単結晶への電界効果キャリア注入(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTA-7 Pt(111)面上に成長したナノグラフェンのエッジ状態(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pRG-12 カーボンナノウォールの作製と電子状態(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 18pRG-7 グラファイト超薄膜における近接効果による超伝導電流の観測(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aZB-12 グラファイト超薄膜の電気伝導の磁場・ゲート電圧依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYE-1 プロトン伝導体K_3H(SeO_4)_2のSeO_4四面体の動的振る舞いII(誘電体(水素結合),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21aRB-1 ペンタセンFETにおける気体分子吸着効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pRC-16 銅フタロシアニン単結晶の電界効果とキャリヤ輸送特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 25aYC-11 有機グラフォエピタキシーの基板依存性から見たその成長機構(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXJ-9 人工周期構造を持つ熱酸化シリコン基板上におけるsexithiopheneの面内選択配向成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 5a-Q-5 γ-Fe _Mn_における臨界現象
• 26pTG-6 電子線照射によるC_FETの特性変化(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 表面選択塗布法による選択的有機結晶成長とデバイス応用(応用を視野においた有機半導体の結晶成長)
• 有機トランジスタの端子と電流注入
• 21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• トップコンタクト短チャネル有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
• 23pRL-14 有機半導体単結晶の光励起誘導放出作用に及ぼす基板表面修飾の影響(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pVE-2 (K_Rb_x)_3H(SeO_4)_2の中性子粉末構造解析(21pVE 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pWS-11 金属基板上におけるヘテロ原子をドープしたグラフェンの成長と電子状態(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWS-10 ナノグラフェンおよび窒素ドープグラフェン上への酸素吸着(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
• 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
• 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
• ナノスケール物質電気伝導探索のためのナノギャップ電極作製と応用
• 有機半導体のグラフォエピタキシー(応用を視野においた有機半導体の結晶成長)
• アモルファス基板上における有機薄膜の面内配向制御 : 電界効果トランジスタへの応用に向けて
• 21aRB-7 グラフォエピタキシーによって面内配向制御した有機FETの特性評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-12 グラフォエピタキシーによる有機半導体薄膜の配向制御とFETへの応用(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pRC-5 AlPcCl薄膜のin situ FET特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aXA-10 有機薄膜トランジスタの膜厚依存性と電界効果電荷注入(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 低次元ナノ構造物質の電気特性
• 22aTB-9 ボトムコンタクトFETにおける電極 : ペンタセン界面の接合形態と輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aRB-2 周波数応答測定を用いたペンタセンFETの半導体・電極間の接触抵抗の評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aXK-1 CVD法により成長したカーボンナノウォールの電子分光(ナノチューブ・ナノワイヤ,表面ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aRJ-7 真性有機半導体の電荷極性について(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-11 ペンタセンFETの検索インピーダンス解析II(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRJ-1 ペンタセン薄膜における表面形態とFET特性の相関(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYC-4 ペンタセン薄膜における自発的凝集過程の解析(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aYC-6 ペンタセン超薄膜のモルフォロジー変化のLEEMによるin-situ観測(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pRC-6 有機薄膜のin-situ AFM・FET測定 : 大気暴露による影響の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pRC-4 有機薄膜トランジスタの過渡現象における時定数の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXA-7 C_-金属薄膜におけるin-situ電気伝導度測定(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pXJ-11 偏光配向したAlq3薄膜の結晶構造解析(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18aRG-3 ジメチルアミノピロールオリゴマー薄膜の構造および電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 磁場印加下で2次元スキャン可能な近接場光学顕微鏡の開発
• 21pXA-6 単層カーボンナノチューブの電気化学トランジスタ(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTB-7 ペンタセンFETの周波数応答測定 : 電極SAMs処理の効果(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aYF-10 ペンタセンFETの複素インピーダンス解析(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pRC-3 C_FETの揮発性有機分子吸着効果(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYF-9 C_薄膜電気伝導度の膜厚依存性に観察されるピークについて(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aPS-44 ハイドロフラレン単結晶薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aTG-10 Pt(111)上に作製したナノグラフェンのSTM観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pRC-4 C_薄膜の気体分子吸着における電子状態の変化(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXA-10 酸素雰囲気下での光照射によるC_の電子状態の変化(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aPS-42 UV/オゾン処理およびアニーリングによるSiO_2表面状態の変化(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• interview 印刷技術応用の塗布法で大面積・低コストの有機半導体デバイスを開発--(独)物質・材料研究機構 MANA研究者/(独)理化学研究所 客員研究員 三成剛生氏
• 溶液から高移動度有機結晶トランジスタ (特集 次世代ディスプレイを実現するフレキシブル有機エレクトロニクス)
• 28pTA-3 アンモニア雰囲気下で成長した窒素ドープグラフェンの構造解析(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTA-2 金属基板上に成長するグラフェンへのヘテロ原子ドーピング(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aTE-6 アンモニア雰囲気下で成長した窒素ドープグラフェンの構造解析 その2(24aTE グラフェン・層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTG-1 有機電界効果トランジスタの発光と伝搬に及ぼす基板表面修飾の影響(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• グラフェン塗布電極を用いた有機FETの作製と評価(センサー,デバイス,一般)
• 表面選択塗布法による有機トランジスタの形成

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク