15pXE-3 金属表面上に成長した TTC 超薄膜の構造および界面電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
木口 学
東工大院理工
-
太田 俊明
立命館大学SRセンター
-
太田 俊明
東大院理
-
斉木 幸一朗
東大院理
-
木口 学
東工大理工:jstさきがけ
-
圓谷 志郎
東大新領域
-
池田 進
東大新領域
-
園谷 志郎
東大新領域
-
吉川 元起
東大院理
-
木口 学
東大新領域
-
中井 郁代
東大院理
-
近藤 寛
東大院理
-
吉川 元起
東北大金研
-
近藤 寛
慶應義塾大学理工学部化学科
-
中井 郁代
京都大学大学院理学研究科化学専攻
-
吉川 元起
東北大学金属材料研究所
-
吉川 元起
東京大学大学院理学系研究科
-
圓谷 志郎
物質・材料研究機構
-
太田 俊昭
東大理
関連論文
- 23aGL-6 極低温水素雰囲気下におけるAu,Ag,Cu単原子接合の電気伝導特性(23aGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aGL-5 Au電極に架橋したベンゼンジチオール単分子の電気伝導特性の置換基位置依存性(23aGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aGL-3 Au電極に架橋したピラー型のかご状単分子の電気伝導特性(23aGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 定年退職者あいさつ
- 20aGS-9 電気化学ドーピングによる活性炭素繊維の電気伝導度制御(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 様々な形態の試料に対する軟X線領域XAFS測定システムの開発 (特集 量子ビームによるナノバイオエレクトロニクス)
- 23aGL-4 金属電極に架橋したCe@C_単分子の伝導度特性(23aGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGS-7 X線吸収分光による活性炭素繊維の電子状態の研究(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYH-3 置換基の位置の異なるベンゼンジアミン単分子接合の電気伝導度計測(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aTE-10 Au電極間に架橋したポルフィリン単分子の電気伝導度計測(30aTE 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aTB-3 CO吸着によるFe/Cu(001)薄膜の磁気状態の変化(領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aTB-3 CO吸着によるFe/Cu(001)薄膜の磁気状態の変化(18aTB 領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aYH-2 Ru/Co/Ru(0001)における垂直磁気異方性の起源(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYH-2 Ru/Co/Ru(0001)における垂直磁気異方性の起源(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pXD-4 Fe/Co系における元素選択的ヒステリシス測定(領域9, 領域3合同表面・界面磁性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pXD-4 Fe/Co系における元素選択的ヒステリシス測定(表面・界面磁性,領域9,領域3合同)
- 2p-J-6 不整合構造をもつ層状カルコゲナイド(MS)_x(TiS_2)_n (M=希土類:n=1, 2)の電子状態
- 放射光シンポジウム'94『放射光化学の最先端』報告
- 25pW-12 Si(111)-(7x7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程
- 19pPSB-23 絶縁体薄膜/金属単結晶界面のバンドアライメント
- 28aYQ-1 MgO(100)/Ag(100)界面の構造及び電子状態
- 21aGP-3 単分子接合における電子輸送とフォノン散乱(21aGP 領域9,領域7合同シンポジウム:分子狭窄系の物理,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYH-5 金属電極間に架橋したパイ共役単分子の電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pYH-4 極低温水素雰囲気下におけるCo単原子接合の電気伝導度と振動スペクトルの同時計測(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aTE-2 Pt電極に架橋したベンゼン単分子接合の構造および電子伝導特性(30aTE 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aXB-8 金属表面を利用した新規ナノ構造の作製および新たな表面・界面物性の探索(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pYC-3 電極接合単一分子系の伝導実験(24pYC 領域9,領域7合同シンポジウム:単一分子伝導研究の現状と課題,領域9(表面・界面,結晶成長))
- イオン結晶の極性表面は可能か?--分子線エピタキシーによるMgO極性表面の実現と第一原理電子状態計算
- 27aWB-5 SiO_2上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 26pXC-7 重合方向を制御した長鎖ジアセチレン誘導体LB膜のNEXAFS解析(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pWB-1 Pt(111)基板上に成長したナノグラファイトのエッジ状態の観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXE-3 金属表面上に成長した TTC 超薄膜の構造および界面電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
- 12pYD-3 金属/絶縁体界面の電子状態 : MIGS と極性面(実験)(主題 : ヘテロ界面における新しい電子状態と制御, 領域 9)
- 12aXF-9 水素吸着 C_ 単結晶薄膜の構造および電子状態(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
- 軟X線を用いた金属/絶縁体界面における金属誘起ギャップ準位の研究
- 22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性
- 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察
- 塩分飛来環境におけるAl含有鋼さび中のAl状態分析
- 24aWD-5 磁性不純物原子を含む銀クラスター負イオンの電子構造(24aWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aXG-1 マンガンクラスター正イオン中の原子間結合(化学物理一般,光応答・光散乱,量子系・電子状態,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 14aPS-96 マンガン二量体とその酸化物における交換相互作用(ポスターセッション, 領域 11)
- バナジウム炭化物クラスター負イオンの構造
- 半導体表面上金属超薄膜の量子井戸状態の研究
- 30aPS-48 遷移金属炭化物クラスター中の金属-炭素結合
- 時間分解NEXAFSとモンテカルロ法によるPt(111)上の水生成反応の反応機構の解明
- 25aXD-13 光電子型軟X線定在波法の有機薄膜への応用(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25aXD-5 Au(111)上ヘキサンチオレートストライプ相の構造(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-158 時間分解NEXAFS, XPS法の開発と高密度分子吸着相の観測(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 立命館大学SRセンター軟X線顕微鏡の現状報告と改良計画
- 25p-Z-6 グラファイトのバンドの二次元測定
- 分子吸着による表面磁性制御
- 放射光X線分光で見る白金族表面上での化学反応
- 24aTK-5 N/Cu(001)表面上のCoナノドットの電子状態(光電子分光・MCD,領域5,光物性)
- 触媒表面反応における中間体の役割 : 高速表面XAFS法による研究
- 26aYH-8 遷移金属をドープしたTiO_2エピタキシャル膜の磁場中XMCD測定(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aYH-8 遷移金属をドープしたTiO_2エピタキシャル膜の磁場中XMCD測定(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 分散型軟X線吸収分光法による表面化学反応追跡
- 28aSC-4 遷移金属をドープしたTiO_2エピタキシャル膜のXAS,XMCD測定(28aSC 領域9,領域3合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 7a-PS-19 角度分解光電子分光法によるSi(001)1x2-Ge表面の電子構造研究
- 20pYC-14 アルカリハライド/金属ヘテロ構造の STM 観察
- 26aWX-8 ピラー型かご状単分子接合の電気伝導度の分子サイズ依存性(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aWX-7 Ptナノ電極間を架橋したエチレン・アセチレン分子接合の構造およびその電気伝導特性(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pRA-1 グラフェンナノリボンにおける磁性エッジ状態の観測(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 31pWD-6 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 II
- 31pWD-5 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 I
- 28pPSB-21 アルカリハライド/金属界面の構造と電子状態
- 19pWD-4 金属単結晶基板上のアルカリ-ハライドのエピタキシャル成長
- 19pWD-3 複合ヘテロ構造によるGaAs(001)基板上へのCoO単結晶薄膜の作製
- 29pPSA-17 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の電子構造
- ナノグラフェン,グラフェン端の電子構造と磁性 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 29p-T-9 Cl/Cu(100)表面上のCl原子の熱振動異方性
- 29a-PS-40 Ni(111)表面に作成したPd超薄膜上でのSO_2分子の吸着構造
- Cu(100)表面上の塩素原子の熱振動異方性
- 23aYE-9 アルカリハライド/金属界面における金属誘起ギャップ状態
- 23aYC-9 金属表面上に成長したオリゴチオフェン超薄膜の構造および電子状態
- 27pZP-2 ペンタセン超薄膜のトランジスタ特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-2 ペンタセン超薄膜のトランジスタ特性(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 金属誘起ギャップ状態--絶縁体/金属界面で何が起こるか
- 24pZ-1 アルカリハライドヘテロエピタキシャル薄膜界面構造のEXAFSによる研究
- 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 23aWA-9 絶縁体上の Co 超薄膜の構造と磁性
- 23aWA-9 絶縁体上の Co 超薄膜の構造と磁性
- 金属電極に架橋したベンゼン, C_ 単分子接合の構造および伝導特性の解明
- 26a-P-3 Cu/HOPG薄膜成長のEXAFSによる研究
- 22aT-2 アルカリハライドヘテロ構造界面の格子ひずみ
- 25pWB-14 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の構造及び電子状態
- 25aWD-12 LiF/LiBrヘテロ界面の電子状態
- 22aT-9 LiF/LiBr/Si(001)ヘテロ薄膜の原子,電子構造
- 25pTG-3 非弾性トンネル分光によるアセチレン・エチレン単分子接合の構造決定(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTA-9 電気化学的ドーピングによるナノグラフェンの磁性制御(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTH-4 規定された伝導度を示すベンゼン単分子接合の探索(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-66 単一分子接合におけるフォノン散乱効果(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pHA-4 規定された伝導度を示すπ共役単分子接合の探索(24pHA ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pHA-5 水素単分子接合における伝導電子による分子振動励起効果(24pHA ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pCK-2 1,4-ベンゼンジチオール分子接合における電気伝導度とラマンスペクトル計測(26pCK ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29aXK-2 単一ベンゼンジチオール分子の熱起電力計測(29aXK ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aJA-5 窒素分子を利用した銅単原子ワイヤーの安定形成(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))