25aYF-1 ヘテロ成長によるCsBr薄膜の結晶構造制御とその電子状態に関する研究(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-03-01

著者

• 小間 篤

  東大院理

• 圓谷 志郎

  東大新領域

• 斉木 幸一朗

  東大新領域

• 木口 学

  東大新領域

関連論文

• 22pGS-15 電極エッジに起因する有機半導体薄膜の面内配向成長とFETへの応用(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aS-4 La@C_薄膜の電子エネルギー損失スペクトル
• 19pPSB-23 絶縁体薄膜/金属単結晶界面のバンドアライメント
• 28aYQ-1 MgO(100)/Ag(100)界面の構造及び電子状態
• 27aWB-5 SiO_2上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24pWB-1 Pt(111)基板上に成長したナノグラファイトのエッジ状態の観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXE-3 金属表面上に成長した TTC 超薄膜の構造および界面電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
• 12aXF-9 水素吸着 C_ 単結晶薄膜の構造および電子状態(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 26pYK-6 有機FETのtime of flight移動度測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性
• 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察
• 29pPSA-31 Bilayer-GaSe終端Si(111)表面のSTM観察
• 24pPSA-28 Bilaye-GaSe上に形成したGa量子ドットの電子分光
• 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
• 22aWA-7 C_/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル
• 23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構
• 22aW-5 (C_,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル
• 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定
• 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
• 24aZ-6 Si(111)-7×7および(100)-2×1表面上に作製したC_単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
• 26aYC-5 金属表面上に成長したヘキサフルオロヘキサベンゾコロネン薄膜の構造および電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 14aXD-12 Pt(111) 基板上に成長したナノグラファイトの電子状態および磁性(表面・界面磁性, 領域 3)
• 14aXD-12 Pt(111) 基板上に成長したナノグラファイトの電子状態および磁性(表面・界面磁性, 領域 9)
• 28pRC-14 有機半導体界面におけるトラップのスピン偏極(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 研究紹介
• 13pWH-8 高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機 FET の動作特性(FET, 領域 8)
• 13pWH-8 高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機 FET の動作特性(FET, 領域 7)
• 22pXG-1 異方的成長条件下で成長したペンタセン薄膜を用いた有機 FET
• 31pWD-6 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 II
• 31pWD-5 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 I
• 31aZE-7 Cu(110) 表面上ペンタセン薄膜の構造と電子状態
• 28pPSB-21 アルカリハライド/金属界面の構造と電子状態
• 19pWD-4 金属単結晶基板上のアルカリ-ハライドのエピタキシャル成長
• 19pWD-3 複合ヘテロ構造によるGaAs(001)基板上へのCoO単結晶薄膜の作製
• 19aTF-12 メチル終端Si(111)表面の電子分光
• 19aRH-3 (C_, In)/Si(111)系における電子状態
• 17aTF-6 変調分子線散乱法を用いた微傾斜基板表面上での有機分子拡散過程の解析
• 29pPSA-17 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の電子構造
• 21aXA-7 有機薄膜FETのtime of flight移動度測定(2)(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aYE-9 アルカリハライド/金属界面における金属誘起ギャップ状態
• 23aYC-9 金属表面上に成長したオリゴチオフェン超薄膜の構造および電子状態
• 24aF-11 KドープC_薄膜の内殻励起電子エネルギー損失スペクトル
• 28pXJ-11 偏光配向したAlq3薄膜の結晶構造解析(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18aRG-3 ジメチルアミノピロールオリゴマー薄膜の構造および電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pYK-4 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンス : I. 電気容量の膜厚依存性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aPS-44 ハイドロフラレン単結晶薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
• 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
• 27pRC-4 C_薄膜の気体分子吸着における電子状態の変化(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXA-10 酸素雰囲気下での光照射によるC_の電子状態の変化(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aPS-42 UV/オゾン処理およびアニーリングによるSiO_2表面状態の変化(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aWA-9 絶縁体上の Co 超薄膜の構造と磁性
• 23aWA-9 絶縁体上の Co 超薄膜の構造と磁性
• 13pWH-1 有機薄膜 FET の表面分光によるプラズマ振動の観測(FET, 領域 7)
• 領域9,7「ヘテロ界面における新しい電子状態と制御」(2004年秋季大会シンポジウム(物性領域)の報告)
• 28pTA-1 グラフェンシート中への窒素ドープによるカーボンナノウォール伝導特性の変化(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aT-2 アルカリハライドヘテロ構造界面の格子ひずみ
• 25pWB-14 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の構造及び電子状態
• 25aWD-12 LiF/LiBrヘテロ界面の電子状態
• 22aT-9 LiF/LiBr/Si(001)ヘテロ薄膜の原子,電子構造
• 24pY-17 変調分子線散乱法による有機分子の表面拡散過程の解析
• 12pYD-8 ヘテロ界面における新しい電子状態と制御-おわりに(主題 : ヘテロ界面における新しい電子状態と制御, 領域 9)
• 9aSM-5 金属上に成長したアルカリハライド単結晶超薄膜の電子状態のEXAFSによる研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 9aSM-10 酸化物薄膜極性面の成長とその電子状態(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 25aYF-1 ヘテロ成長によるCsBr薄膜の結晶構造制御とその電子状態に関する研究(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 25pPSB-17 Cu(100)上に作製したC_60薄膜の構造と電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 24aYF-2 アルカリハライド薄膜表面の表面構造および光電子収率(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 9aSM-7 STMによるLiBr/Si(001)ヘテロ構造の観察(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 6aSM-9 紫外光電子分光法によるAl/Sn界面の電子状態(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 24aYF-1 Ni,Cu(111)表面上のC_60単結晶エピタキシャル薄膜の構造および電子状態(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 9aSM-6 紫外光照射によるアルカリハライド薄膜可視光応答の発現機構(表面界面構造・電子物性,領域9)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク