斉木 幸一朗 | 創域
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概要
関連著者
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斉木 幸一朗
創域
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斉木 幸一朗
東大理
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小間 篤
東大理
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小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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西田 晃一
東大理
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西田 晃一
東大院理
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合田 晃
東大・理
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和氣 智子
東大理
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内山 裕士
理研播磨研:spring-8 Jasri
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飯泉 謙一
東大院新領域
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斉木 幸一朗
東大・理
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飯泉 謙一
東大理
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合田 晃
東大理
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寺崎 一郎
早大理工
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小暮 敏博
東大・院理
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小暮 敏博
東京大学大学院理学系研究科
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山本 文子
理研
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胡 尉之
超電導工研
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山本 文子
超電導工研
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田島 節子
超電導工研
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山本 文子
Jst-trip:理研
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胡 尉之
理研
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内山 裕士
超電導工研
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片山 正士
東大院理
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藤川 安仁
東大理
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藤川 安仁
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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Sokolov N.s.
Ioffe研
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片山 正士
東大理
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河野 孝臣
東大理
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赤間 信幸
東大理
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小暮 敏博
東大理
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内山 裕士
東大理
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小間 篤
東大・理
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西川 洋行
東大理
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Nucker N.
Forschungszentrum Karlsruhe
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Fink J.
IFW Dresden
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西田 直史
東大理
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ニュッカー ニコラス
KfK
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フィンク ヨルグ
IFW. Dresden
著作論文
- 27aY-7 Si単結晶表面上でのNiOの分解
- 29a-L-5 HgBa_2CuO_の光電子分光
- 28p-S-8 Si, GaAs基板上への岩塩型酸化物の成長
- 26p-YR-7 Si(111)面上へのMgのエピタキシャル成長
- 26p-YR-5 高感度RHEED法によるアルカリハライドヘテロ構造の評価
- 26p-YR-4 GaAs基板上に成長したMgOの表面構造
- 30a-YE-8 in-situ光学測定によるアルカリハライドヘテロ界面の評価
- 8a-B-5 電子線照射によるCaF_2表面の変質と酸化物の形成
- 29p-T-1 低速電子エネルギー損失分光による金属Baの酸化過程
- 28a-T-2 アルカリハライドMBE成長膜表面の異方性
- 28a-YC-13 CdF_2の電子エネルギー損失スペクトル
- アルカリハライド(111)面の表面物性
- MF_2(M=Mn, Fe, Co, Ni)の電子エネルギー損失スペクトル
- 31a-K-10 (111)方向に成長したNaCl薄膜の表面物性
- 31p-B-8 TiX_2(X=S, Se)薄膜の結晶成長 : その形態及び成長過程
- 30a-PS-46 銅ハライドエピタキシャル薄膜の表面電子状態
- 29p-PSB-29 半導体基板上フラーレン単層膜のHREELS測定
- 30a-X-1 MoS_2励起子の並進運動質量
- 31p-S-10 CuClエピタキシャル薄膜の表面構造
- 30p-YM-7 遷移金属ダイカルコゲナイドのプラズモン分散