橋本 保 | 産総研計算科学
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概要
関連著者
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寺倉 清之
北陸先端大
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寺倉 清之
産総研:北陸先端大
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橋本 保
産総研
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橋本 保
産総研計算科学
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寺倉 清之
産総研
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寺倉 清之
Jrcat 産業技術融合領域研究所
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森川 良忠
阪大産研
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森分 博紀
ファインセラミックスセンター
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香山 正憲
産総研ユビキタスエネルギー
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石橋 章司
産総研計算科学
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森川 良忠
産総研
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藤川 安仁
東北大金研
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桜井 利夫
東北大wpi
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櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
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Lagally M.
Univ. of Wisconsin-Madison
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櫻井 利夫
東北大学際センター
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森分 博紀
JFCCナノ構造研究所
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長谷川 幸雄
東大物性研
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櫻井 利夫
東北大金研
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小野 雅紀
東大物性研
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江口 豊明
東大物性研
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平山 司
ファインセラミックスセンター
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安 東秀
東大物性研
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寺倉 清之
産総研計算科学
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寺倉 清之
北大創成科学
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安 東秀
東大物性研:jst
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長谷川 幸雄
東京大学物性研究所
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江口 豊明
東京大学物性研究所
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秋山 琴音
東京大学物性研究所
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小野 雅紀
理化学研究所
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秋山 琴音
東大物性研
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藤川 安仁
東北大学金属材料研究所
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香山 正憲
産総研生活環境
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香山 正憲
産総研計算科学
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櫻井 俊夫
東北大
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Lagally M.
University of Wisconsin-Madison
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平山 司
JFCCナノ構造研究所
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森分 博紀
(財)ファインセラミックスセンター
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平山 司
ファインセラミックスセ ナノ構造研
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森分 博紀
(財)ファインセラミックスセンター(jfcc)ナノ構造研究所
著作論文
- 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 27pWL-7 第一原理計算による(BEDT-TTF)_2I_3の結晶構造予測(ET塩(α・β・θ型))(領域7)
- 28aZA-3 第一原理計算による分子性固体の構造最適化
- 26aYE-11 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20pXA-4 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3系・SrTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26pXC-6 Ge/Si(105)の第一原理計算(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル