26pXC-6 Ge/Si(105)の第一原理計算(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-03-04

著者

• 森川 良忠

  阪大産研

• 寺倉 清之

  北陸先端大

• 寺倉 清之

  産総研

• 寺倉 清之

  産総研:北陸先端大

• 橋本 保

  産総研

• 橋本 保

  産総研計算科学

• 寺倉 清之

  Jrcat 産業技術融合領域研究所

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