28a-ZS-2 第一原理分子動力学法による、Li/Si(001)表面の研究

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1992-03-12

著者

• 森川 良忠

  阪大産研

• 小林 一昭

  無機材研

• 小林 一昭

  無機材研(jrcat)

• 寺倉 清之

  産総研:北陸先端大

• 寺倉 清之

  東大物性研

• 森川 良忠

  東大物性研

関連論文

• 21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYG-1 C_-Pt(111)系の局所電子状態 : 金属波動関数の漸近特性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTE-3 分子-金属界面における局所電子状態 : C_6H_5SH,C_6H_5SeH/Pt(111)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-84 Pt(111)-アルカンチオール系における吸着誘起準位(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pTE-7 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の表面構造の解明(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31a-YM-4 定圧条件下での第一原理分子動力学法によるBCNの定圧構造とその物性
• 3.9.1.15 地球マントル物質の流動解析要素技術の開発研究(3.9.1 関係機関との共同研究,3.9 共同研究,3. 研究業務)
• 3.8.1.11 地球マントル物質の流動解析要素技術の開発研究(3.8.1 関係機関との共同研究,3.8 共同研究,3. 研究業務)
• Ge/Si(105)表面の原子間力顕微鏡観察
• 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 27aYG-2 電子励起原子移動によるダイマーフラーレン合成の第一原理的研究(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYH-1 Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aPS-73 Pt_/グラファイトの原子構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-12 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aRD-7 単分子水和反応の制御と可視化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-13 Cu(110)におけるアセチレンの環化反応(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXB-3 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-9 第一原理計算によるSi(111) 2x2表面でのN原子及びO原子吸着(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30p-E-2 第一原理分子動力学法によるシリカの圧力依存性II
• 27a-ZM-4 第一原理分子動力学法によるシリカ多形の安定構造の圧力依存性
• 26pXC-6 Ge/Si(105)の第一原理計算(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル
• 触媒反応の第一原理シミュレーション:動的過程の解明に向けて
• 24aPS-44 第一原理電子状態計算によるメタノール合成反応の研究(III)
• 24aPS-6 Phase Transitions and Electronic Structures on Si(100)
• 24aW-9 第一原理分子動力学法によるメタノール合成反応の研究(II)
• 31p-S-9 第一原理計算によるZn蒸着Cu表面上でのCO_2とH_2からのメタノール合成反応の研究
• 31p-W-9 電子構造計算によるLaMnO_3のJahn-Teller歪みと磁気秩序
• 29a-WB-10 Ultrasoft pseudopotentialによるO/K/Si(001)表面系の研究
• 29a-YR-3 第一原理計算による水素結合の量子効果の研究
• 第一原理分子動力学法 : カー・パリネロ法 (「第一原理による電子物性」)
• 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
• 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
• 27a-Y-8 Si(001)表面の低被覆率でのアルカリ金属吸着構造と電子状態
• 31a-PS-29 Si(100)表面におけるC原子の吸着と進入
• 7a-PS-49 強電界中のSi_nC_m(m+n=5)マイクロクラスターの構造と電子状態
• 6p-B-3 強電界下Si表面と吸着原子との相互作用に関する第一原理電子論
• 29a-PS-12 強電界下におけるC原子とSi表面との相互作用
• 第一原理分子動力学法による遷移金属の計算III
• 第一原理分子動力学法による遷移金属の計算
• 12a-DF-4 第一原理分子動力学法によるダイアモンド中の欠陥(不純物)の計算
• 28pYH-1 Pt/グラフェンへののCO吸着(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYH-3 第一原理計算によるペンタセン/貴金属界面に関する理論的研究(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYG-1 Si(111)-(7×7)の表面電子構造 : 再訪(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pZK-5 界面電気二重層の起源と理論予測(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-2 Alq_3/金属界面における分子-基板間及び分子間相互作用の精密計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-1 金属上への水吸着に対するファン・デル・ワールス力の影響(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pRD-6 第一原理計算によるベンゼン/貴金属界面の界面双極子に関する理論的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pRD-4 Rh(111)表面に水素と共吸着した水の第一原理的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXA-6 第一原理電子状態計算による分子スイッチ機構の研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXB-2 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の自己再生機構の解明(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aRB-9 第一原理電子状態理論による宥機分子/金属における界面電気二重層の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aXJ-1 白金表面における水素の第一原理的研究 : 被覆率、電場および溶媒効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aRJ-6 水ダイマーにおける水素結合交換の観測(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aPS-136 貴金属/無機ヘテロ界面の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXE-5 TiO_2(110) 表面上に吸着した貴金属の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
• 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-27 10Hポリタイプ構造における、BN,AIN,SiCのの第一原理計算(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• H.Dreysse, ed.Electronic Structure and Physical Properties of Solids;The Uses of the LMTO Method Springer-Verlag, Berlin and Heidelberg, New York, 2000, x+458p., 24.0×16.0cm, DM 179.9, [大学院向]
• 26aPS-31 還移金属ホウ化物TaB_2(0001)、WB_2(0001)の表面緩和
• 26p-YR-10 層状物質TaB_2、HfB_2における(0001)安定終端表面
• 24pPSA-22 単純金属二ホウ化物表面構造と電子状態
• 22aT-5 第一原理計算によるWB_2(0001)表面の振動解析
• 28a-ZS-1 Si(001)清浄表面再構成のシミュレーション
• 28a-E-7 Si(100)清浄表面の安定構造
• 21pWH-7 水/白金界面における電気化学反応の第一原理シミュレーション(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pYH-2 Pt(111)表面上での電極反応の第一原理シミュレーション(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27a-Y-7 Electronic and Atomic Structures of the (3×1) Reconstructed Surface of Na/Si(111)
• 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
• 28a-ZS-2 第一原理分子動力学法による、Li/Si(001)表面の研究
• 29pPSA-2 第一原理分子動力学法による、TiX (X=B, C, N, O, F)表面の安定構造と電子状態
• 25pWD-2 第一原理計算による遷移金属窒化物表面の安定構造と電子状態
• 24aPS-27 第一原理計算による遷移金屈炭化物表面の安定構造
• 固体物理とバンド計算と計算機(第44回 物性若手夏の学校(1999年度),講義ノート)
• 第一原理計算における物質探索, 物質設計, 物性予測
• (第一原理)バンド計算と実験との距離
• 徹底解剖 第一原理計算(第12回・最終回)まとめ
• 徹底解剖 第一原理計算(第11回)参考資料紹介
• 徹底解剖 第一原理計算(第10回)高速化と並列化と電子計算機
• 徹底解剖 第一原理計算(第9回)計算上の落し穴(問題点)
• 徹底解剖 第一原理計算(第8回)各種方法論(全電子法,CP法など)
• 徹底解剖 第一原理計算(第7回)Ek,Etot,ρ(r)が求まれば,後は"おまけ"
• 徹底解剖 第一原理計算(第6回)収束するとは?
• 徹底解剖 第一原理計算(第5回)第一原理って
• 徹底解剖 第一原理計算(第4回)バンド計算で使われる単位と全エネルギーの相対差
• 徹底解剖 第一原理計算(第3回)ポテンシャル
• 21pWH-1 第一原理計算によるAl/Alq_3界面の構造と電子状態の解明(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pYC-4 電極表面上の単一分子電子状態の第一原理計算(24pYC 領域9,領域7合同シンポジウム:単一分子伝導研究の現状と課題,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pYB-5 Alq_3/Al界面の構造と電子状態に関する理論的研究(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYL-14 Alq_3/Al界面の構造と電子状態(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
• 28a-E-9 Na,K/Si(001)系の吸着エネルギー被覆率依存性
• 28a-E-8 Na、K/Si(001)系の低被覆率での吸着位置と電子状態
• 25a-R-9 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化IV
• 25a-R-8 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化III
• 25pYH-1 金表面上チオール系分子の吸着に関する第一原理シミュレーション(25pYH 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 領域9,3「反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道」(第63回年次大会シンポジウムの報告)
• 15pXE-7 n-アルカンと金属表面との相互作用(表面界面電子物性, 領域 9)
• 25pYK-4 ルチル型TiO_2(110)面に吸着した水素に関する第一原理計算(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aWB-7 有機-金属界面の第一原理量子シミュレーション(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク