第一原理計算における物質探索, 物質設計, 物性予測
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 耐火物技術協会の論文
- 2010-09-01
著者
-
小林 一昭
無機材研
-
小林 一昭
青学大理工
-
小林 一昭
物質・材料研究機構計算材料科学研究センター第一原理反応グループ
-
小林 一昭
科学技術庁無機材質研究所未知物質探索センター
-
小林 一昭
物質・材料研究機構
-
小林 一昭
物質・材料研究機構計算科学センター第一原理反応グループ
関連論文
- 31a-YM-4 定圧条件下での第一原理分子動力学法によるBCNの定圧構造とその物性
- 28p-PS-21 BaPb_Bi_xO_3のトンネル分光 III
- 24aZA-1 LiB_2及びその関連物質の第一原理計算(24aZA 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27aXF-2 C_6B_2及びC_7Bとその関連物質の電子状態及び格子振動の第一原理計算(27aXF 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 3.9.1.15 地球マントル物質の流動解析要素技術の開発研究(3.9.1 関係機関との共同研究,3.9 共同研究,3. 研究業務)
- 3.8.1.11 地球マントル物質の流動解析要素技術の開発研究(3.8.1 関係機関との共同研究,3.8 共同研究,3. 研究業務)
- 25pYK-2 C_6B_2の電子状態計算と超伝導の可能性(グラファイト, LB膜,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30p-E-2 第一原理分子動力学法によるシリカの圧力依存性II
- 27a-ZM-4 第一原理分子動力学法によるシリカ多形の安定構造の圧力依存性
- 29a-YR-3 第一原理計算による水素結合の量子効果の研究
- 27a-Y-8 Si(001)表面の低被覆率でのアルカリ金属吸着構造と電子状態
- 31a-PS-29 Si(100)表面におけるC原子の吸着と進入
- 7a-PS-49 強電界中のSi_nC_m(m+n=5)マイクロクラスターの構造と電子状態
- 6p-B-3 強電界下Si表面と吸着原子との相互作用に関する第一原理電子論
- 29a-PS-12 強電界下におけるC原子とSi表面との相互作用
- 第一原理分子動力学法による遷移金属の計算III
- 第一原理分子動力学法による遷移金属の計算
- 12a-DF-4 第一原理分子動力学法によるダイアモンド中の欠陥(不純物)の計算
- 22pPSA-76 六方晶窒化ホウ素(h-BN)及び関連物質の電子状態とバンドギャップ(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aPS-27 10Hポリタイプ構造における、BN,AIN,SiCのの第一原理計算(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- H.Dreysse, ed.Electronic Structure and Physical Properties of Solids;The Uses of the LMTO Method Springer-Verlag, Berlin and Heidelberg, New York, 2000, x+458p., 24.0×16.0cm, DM 179.9, [大学院向]
- 26aPS-31 還移金属ホウ化物TaB_2(0001)、WB_2(0001)の表面緩和
- 26p-YR-10 層状物質TaB_2、HfB_2における(0001)安定終端表面
- 24pPSA-22 単純金属二ホウ化物表面構造と電子状態
- 22aT-5 第一原理計算によるWB_2(0001)表面の振動解析
- 29p-F-4 Ni-Pd合金の状態密度
- 28a-ZS-1 Si(001)清浄表面再構成のシミュレーション
- 28a-E-7 Si(100)清浄表面の安定構造
- 28a-ZS-2 第一原理分子動力学法による、Li/Si(001)表面の研究
- 29pPSA-2 第一原理分子動力学法による、TiX (X=B, C, N, O, F)表面の安定構造と電子状態
- 25pWD-2 第一原理計算による遷移金属窒化物表面の安定構造と電子状態
- 24aPS-27 第一原理計算による遷移金屈炭化物表面の安定構造
- 固体物理とバンド計算と計算機(第44回 物性若手夏の学校(1999年度),講義ノート)
- エンドユーザーによるVPP、SXでのバンド計算プログラムの並列化
- 2p-YF-4 第一原理分子動力学法によるTiC(001)表面の計算
- 自己相互作用補正を考慮したノルム保存擬ポテンシャルによる第一原理電子状態計算
- 31a-PS-30 ノルム保存擬ポテンシャルデータベースNCPS97の構築
- 第一原理分子動力学法と擬ポテンシャルデータベースと物質設計
- 第一原理計算における物質探索, 物質設計, 物性予測
- (第一原理)バンド計算と実験との距離
- 徹底解剖 第一原理計算(第12回・最終回)まとめ
- 徹底解剖 第一原理計算(第11回)参考資料紹介
- 徹底解剖 第一原理計算(第10回)高速化と並列化と電子計算機
- 徹底解剖 第一原理計算(第9回)計算上の落し穴(問題点)
- 徹底解剖 第一原理計算(第8回)各種方法論(全電子法,CP法など)
- 徹底解剖 第一原理計算(第7回)Ek,Etot,ρ(r)が求まれば,後は"おまけ"
- 徹底解剖 第一原理計算(第6回)収束するとは?
- 徹底解剖 第一原理計算(第5回)第一原理って
- 徹底解剖 第一原理計算(第4回)バンド計算で使われる単位と全エネルギーの相対差
- 徹底解剖 第一原理計算(第3回)ポテンシャル
- 徹底解剖 第一原理計算(第2回)原子から固体へ
- 徹底解剖 第一原理計算(第1回)とっかかり
- 28a-E-9 Na,K/Si(001)系の吸着エネルギー被覆率依存性
- 28a-E-8 Na、K/Si(001)系の低被覆率での吸着位置と電子状態
- 15aTB-6 負のポアソン比を示す物質の第一原理計算による探索(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 20aTK-6 HBC (水素化ボロンカーバイド)の異方的圧縮下における格子異常
- 23aPS-7 静電相互作用を起源として負のポアソン比を示す結晶格子 II
- 28aZC-1 異方的圧力下における LiBC の格子変化の異常と電子状態 II
- 20aTG-1 異方的圧縮下におけるMgB_2の電子状態と構造転移の可能性
- Sn/InSb(110)系の電子状態
- 28p-PSB-5 α-Sn/InSb(111)Aヘテロ界面の電子構造と安定性II
- 2p-PSA-6 α-Sn/InSb(111)Aヘテロ界面の電子構造と安定性
- 25pPSB-12 多様なBN, SiC, AlNポリタイプの第一原理計算(25pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 8pQC-3 異方的圧力下におけるLiBCの格子変化の異常と電子状態(結晶・アモルファス・クラスター・液体金属,領域6)
- 8aPS-45 ペロブスカイト型酸化物SrMO_3(M=Rh,Pd)の電子構造(遍歴磁性,化合物磁性,スピングラス・ランダム系,量子スピン系,磁気共鳴一般,実験技術開発等,領域3)
- 30p-LC-2 BaPb_Bi_xO_3の超伝導エネルギーギャップの測定(低温)
- 24aYH-11 a,b軸圧縮下におけるMgB_2の電子状態と格子変化(24aYH 高温超伝導・理論(超伝導機構,硼化物),領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))