小林 一昭 | 物質・材料研究機構計算材料科学研究センター第一原理反応グループ
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概要
関連著者
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小林 一昭
物質・材料研究機構計算材料科学研究センター第一原理反応グループ
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小林 一昭
物質・材料研究機構
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小林 一昭
無機材研
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山本 一雄
神奈川工科大学一般科
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新井 正男
物質・材料研究機構
-
新井 正男
物材機構
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小林 一昭
青学大理工
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小林 一昭
科学技術庁無機材質研究所未知物質探索センター
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左右田 龍太郎
無機材研
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山本 一雄
神奈川工大
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川野輪 仁
無機材研:東理大基礎工
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佐々木 泰造
物質・材料研究機構
-
川野輪 仁
無機材研
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佐々木 泰造
NRIM
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佐々木 泰造
物質・材料研究機構・計算科学センター
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佐々木 泰造
金属材料技術研究所
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秋光 純
青学大理工
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相澤 俊
無機材質研究所
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相澤 俊
無機材研
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小林 一昭
物質・材料研究機構計算科学センター第一原理反応グループ
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左右田 龍太郎
物質・材料研究機構
-
左右田 龍太郎
無機材質研究所
-
左右田 龍太郎
物材研機構・物質
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山本 一雄
無機材研
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秋光 純
青山学院大
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新井 正男
Advanced Materials Laboratory (aml) National Institute Of Materials Science (nims)
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浴野 稔一
広大総合科
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銭谷 勇磁
青学大理工
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渡邊 賢司
物材機構
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銭谷 勇磁
青山学院大・理
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浴野 稔一
青学大理工
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渡邊 賢司
物質研究所
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谷口 尚
物質研究所
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谷口 尚
物質・材料研究機構 物質研究所
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谷口 尚
物質・材料研究機構
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谷口 尚
(独)物質・材料研究機構ナノスケール物質萌芽ラボ 超高圧グループ
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小松 正二郎
物質・材料研究機構
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川野輪 仁
東理大基礎工
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小松 正二郎
独立行政法人物質・材料研究機構物質研究所
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谷口 尚
NIMS
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谷口 尚
物質・材料研究機構 超高圧グループ
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小松 正二郎
東大工
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小林 一昭
物質材料研究機構
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新井 正男
物質材料研究機構
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佐々木 泰造
物質材料研究機構
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山本 一雄
無機材料
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小林 一昭
無機材料
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佐藤 洋一郎
無機材料
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谷口 尚
物質・材料研究機構 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ
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新井 正男
物質・材料研究機構計算材料科学研究センター第一原理反応グループ
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小林 一昭
物質・材料研究機構物質研究所計算科学ステーション
著作論文
- 28p-PS-21 BaPb_Bi_xO_3のトンネル分光 III
- 24aZA-1 LiB_2及びその関連物質の第一原理計算(24aZA 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27aXF-2 C_6B_2及びC_7Bとその関連物質の電子状態及び格子振動の第一原理計算(27aXF 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 25pYK-2 C_6B_2の電子状態計算と超伝導の可能性(グラファイト, LB膜,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pPSA-76 六方晶窒化ホウ素(h-BN)及び関連物質の電子状態とバンドギャップ(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aPS-27 10Hポリタイプ構造における、BN,AIN,SiCのの第一原理計算(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- H.Dreysse, ed.Electronic Structure and Physical Properties of Solids;The Uses of the LMTO Method Springer-Verlag, Berlin and Heidelberg, New York, 2000, x+458p., 24.0×16.0cm, DM 179.9, [大学院向]
- 26aPS-31 還移金属ホウ化物TaB_2(0001)、WB_2(0001)の表面緩和
- 26p-YR-10 層状物質TaB_2、HfB_2における(0001)安定終端表面
- 24pPSA-22 単純金属二ホウ化物表面構造と電子状態
- 22aT-5 第一原理計算によるWB_2(0001)表面の振動解析
- 第一原理計算における物質探索, 物質設計, 物性予測
- (第一原理)バンド計算と実験との距離
- 15aTB-6 負のポアソン比を示す物質の第一原理計算による探索(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 20aTK-6 HBC (水素化ボロンカーバイド)の異方的圧縮下における格子異常
- 23aPS-7 静電相互作用を起源として負のポアソン比を示す結晶格子 II
- 28aZC-1 異方的圧力下における LiBC の格子変化の異常と電子状態 II
- 20aTG-1 異方的圧縮下におけるMgB_2の電子状態と構造転移の可能性
- Sn/InSb(110)系の電子状態
- 28p-PSB-5 α-Sn/InSb(111)Aヘテロ界面の電子構造と安定性II
- 2p-PSA-6 α-Sn/InSb(111)Aヘテロ界面の電子構造と安定性
- 8pQC-3 異方的圧力下におけるLiBCの格子変化の異常と電子状態(結晶・アモルファス・クラスター・液体金属,領域6)