香山 正憲 | 産総研ユビキタス
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
香山 正憲
産総研ユビキタス
-
香山 正憲
産総研ユビキタスエネルギー
-
田中 真悟
産総研ユビキタス
-
田中 真悟
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
-
香山 正憲
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
-
田中 真悟
産総研ユビキタスエネルギー
-
秋田 知樹
産総研ユビキタス
-
秋田 知樹
産総研ユビキタスエネルギー
-
秋田 知樹
産業技術総合研
-
秋田 知樹
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
-
岡崎 一行
産業技術総合研究所
-
秋田 知樹
産業技術総合研究所 ユゼキタスエネルギー研究部門
-
岡崎 一行
阪大工
-
石橋 章司
産業技術総合研究所計算科学研究部門
-
石橋 章司
CREST:産総研
-
秋田 知樹
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門
-
香山 正憲
産総研ユビキタス:JST-CREST
-
堀 史説
大阪府立大
-
田村 友幸
産総研計算科学
-
石橋 章司
産総研計算科学
-
坂本(原田) 晶子
産総研ユビキタスエネルギー
-
下條 冬樹
熊大院自然
-
星野 公三
広大院総合科
-
田口 昇
大阪府大工院
-
竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
-
Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
-
竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
-
Takeda Shigeru
National Laboratory For High Energy Physics
-
Takeda Shuzaburo
Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University
-
竹田 精治
大阪大学・産業科学研究所
-
椎原 良典
東大生産研
-
田村 友幸
名工大創成シミュ
-
森川 良忠
阪大産研
-
森川 良忠
阪大院工
-
竹田 精治
阪大院理
-
寺倉 清之
北陸先端大融合院
-
寺倉 清之
北大創成科学
-
下篠 冬樹
広大総合
-
Takeda Shingo
Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.
-
Shimojo F
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
Shimojo Fuyuki
Graduate School Of Science And Technology Kumamoto University
-
下條 冬樹
Department of Physics, Kumamoto University
-
前田 泰
産総研ユビキタス
-
前田 泰
産総研関西
-
森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
-
石橋 章司
産総研ナノシステム
-
堀 史説
大学院工学研究科
-
奥村 光隆
阪大院理
-
橘田 晃宣
産総研ユビキタスエネルギー
-
吉田 秀人
大阪大学大学院理学研究科
-
河野 日出夫
大阪大学大学院理学研究科
-
春田 正毅
首都大学東京都市環境学部
-
堀 史説
大阪府大工院
-
河野 日出夫
阪大院理
-
森州 良忠
阪大産研
-
田口 昇
阪府大院工
-
堀 史説
阪府大院工
-
石橋 章司
産総研
-
春田 正毅
首都大東京
-
岡崎 一行
阪大理
-
岡崎 一行
阪大院理
-
Wang Hao
産総研ユビキタス
-
堀 史説
大阪府大工
-
Bhattacharya Somesh
産総研ユビキタス
-
島田 悟史
首都大学東京都市環境学部
-
徳本 圓
防衛大
-
田中 寿
産総研
-
小林 速男
分子研
-
森川 良忠
産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体
-
城戸 義明
立命館大理工
-
田中 寿
産総研ナノテク
-
徳本 圓
産総研ナノテク
-
吉川 純
阪大・基礎工
-
岡崎 一行
産総研ユビキタス
-
吉田 秀人
阪大院理
-
椎原 良典
産総研計算科学
-
田渕 光春
産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門蓄電デバイス研究グループ
-
鹿野 昌弘
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門
-
小林 昭子
東大院理
-
星野 靖
立命館大理工:神奈川大理
-
星野 靖
京大工
-
堀 史説
阪府大工
-
岡崎 一行
大阪大学大学院工学研究科機械工学専攻
-
岡崎 一行
CRESR JST
-
城戸 義明
立命館大 理工
-
田渕 光春
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門
-
吉川 純
産総研ユビキタスエネ
-
田渕 光春
産総研ユビキタスエネ
-
鹿野 昌弘
産総研ユビキタスエネ
-
辰巳 国昭
産総研ユビキタスエネ
-
昇 史説
大阪府大工院
-
奥村 光隆
阪大理
-
香山 正憲
産業技術総合研究所
-
小林 明子
上智大理工
-
鹿野 昌弘
(独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門蓄電デバイス研究グループ
-
吉田 秀人
阪大産研
-
竹田 精治
阪大産研
-
松浦 公治
阪大院理
-
[クワ]うち 康文
阪大産研
-
島田 悟史
首都大東京
-
椎原 良典
産総研計算科学:東大生研
-
うち 康文
阪大産研
-
辰巳 国昭
(独)産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門
-
田中 寿
産総研ナノシステム
-
田渕 光春
(独)産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門
-
松本 一
産総研ユビキタス
-
Valencia Hubert
産総研ユビキタス
-
Sun Keju
産総研ユビキタス
-
斎藤 繁喜
産総研ユビキタス
-
前田 泰
産総研ユビキタスエネルギー
-
Sharma Vikas
産総研ユビキタス
著作論文
- 23aHS-2 電子線エネルギー損失分光スペクトルとそのEdge Threshold Energyの第一原理計算(23aHS 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション,転位,点欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aHT-6 ナノ構造化グラファイトに結合した水素の第一原理分子動力学シミュレーション(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aGP-5 第一原理計算による金表面での酸素原子吸着構造(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGL-5 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(20aGL 微粒子・クラスター/若手奨励賞,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYG-8 Al(111)表面の第一原理局所応力計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pXB-2 界面を含む系での応力・誘電率の微視的分布および電歪の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29pTE-8 分子性固体の第一原理電子状態計算における有効クーロン相互作用Uの導入効果(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYH-1 Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTD-8 第一原理分子動力学法によるナノ構造化グラファイト中の水素・炭化水素の結合状態(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aPS-73 Pt_/グラファイトの原子構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 23aTG-3 グラフェンのエッジに結合した水素・炭化水素の第一原理分子動力学シミュレーション(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pWB-5 単一成分分子性導体の第一原理電子状態計算(陽ラジカル塩,単一成分系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pTE-4 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pTD-14 第一原理PAW法によるAu@Pdコア・シェル微粒子の原子構造と吸着子の局所的な反応性(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-14 第一原理PAW法によるAu-Pdコア・シェル微粒子の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28pYH-1 Pt/グラフェンへののCO吸着(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 金属/カーボン界面系の構造と反応性の第一原理計算
- 24aWY-4 第一原理分子動力学法によるナノ構造化グラファイト中の炭化水素の動的性質(24aWY 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 25aWS-10 エチレンを吸着したAu-Pdスラブの第一原理計算による評価(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pWA-3 リチウムイオン電池電極材料におけるLi濃度分布の可視化(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25aWS-6 金表面上の酸素・一酸化炭素の共吸着構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pXD-9 第一原理計算による貴金属ナノ微粒子のコア・シェル界面電子構造(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 26aTG-5 Pt/CeO_2触媒のガス種に依存した形状変化の環境TEM観察(26aTG 微粒子・クラスター・ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pTJ-4 第一原理分子動力学法によるナノ構造化グラファイト中の炭化水素の動的性質II(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(炭素・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pHA-5 Au(111)表面上でのCO酸化反応(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGQ-9 第一原理PAW法によるSi・Diamond・SiC粒界のELNES/XANES計算(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28pTH-8 金表面上でのCO・OHの共吸着構造(28pTH 表面界面構造(金属),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pCL-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理計算 : 金属粒界への適用(26pCL 格子欠陥・ナノ構造・フォノン(金属・ナノ粒子・点欠陥・水素材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pBB-6 金属/無機ナノヘテロ界面の原子・電子挙動 : 金触媒とLiイオン電池(25pBB 領域10,領域9合同シンポジウム:エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-9 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属の粒界・欠陥への適用(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pAR-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム表面の原子・電子構造(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pXS-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属粒界や異相界面への適用(27pXS 格子欠陥・ナノ構造(招待・理論・電子論・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム吸蔵/脱離二相界面の原子・電子構造(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25aKA-5 第一原理計算によるLi_2TiO_3の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25aKA-6 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 鉄粒界への適用(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))