星野 靖 | 立命館大理工:神奈川大理
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概要
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星野 靖
立命館大理工:神奈川大理
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城戸 義明
立命館大理工
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立命館大理工
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星野 靖
立命館大理工
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岡沢 哲晃
立命館大学理工学部物理
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岡沢 哲晃
立命館大理工
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星野 靖
京大工
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城戸 義明
立命館大学理工学部物理科学科
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福山 亮
立命館大理工
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松原 佑典
立命館大理工
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竹内 史典
立命大学理工
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西村 智朗
立命館大学
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松本 紳吾
立命館大理工
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立命館大学理工学部
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城戸 義明
立命館大学理工
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西村 智朗
立命館大学国際関係学部
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竹内 史典
立命館大理工
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星野 靖
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神奈川大学情報
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立命館大理工
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立命館大理工
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岡山大理
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難波 秀利
立命館大学理工学部
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大谷 茂樹
物材機構
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岩見 基弘
岡大物理
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岩見 基弘
岡山大学教授;理学部附属界面科学研究施設
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岩見 基弘
岡山大学理学部
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産総研ユビキタスエネルギー
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香山 正憲
産総研ユビキタスエネルギー
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中西 繁光
阪府大総合科
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小川 浩二
佐賀大シンクロ
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岡崎 一行
阪大工
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香山 正憲
産総研ユビキタス
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岡崎 一行
産総研ユビキタス
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中西 繁光
大阪府立大学
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中西 繁光
大阪府立大、総合科、物質
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中西 繁光
大阪府立大学総合科学部
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梅澤 憲司
大阪府立大学大学院理学系研究科物理科学専攻
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小川 浩二
立命館大学理工学部
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小川 浩二
立命館大理工
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左右田 龍太郎
無機材研
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大谷 茂樹
無機材質研究所
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渋谷 誠
立命館大学理工
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橘堂 恭昌
立命館大学理工
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硲 正明
立命館大学理工
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佐藤 拓也
立命館大学理工学部物理
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小北 哲也
立命館大学理工学部物理
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小北 哲也
立命館大理工
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岩本 章伸
立命館大理工
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岡沢 哲晃
産総研関西
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星野 靖
パリ第6・7大学
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西村 智朗
立命大学理工
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城戸 義明
立命大学理工
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星野 靖
パリ第6-7大学
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竹内 史典
立命館大・理工・物理
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岡沢 哲晃
立命館大・理工・物理
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星野 靖
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西村 智朗
立命館大・理工・物理
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城戸 義明
立命館大・理工・物理
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城戸 義明
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福山 亮
立命館大学理工
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大谷 茂樹
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左右田 龍太郎
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大谷 茂樹
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立命館大学・理工・物理
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産総研ユビキタス
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立命館大学理工学部
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八木 良博
立命館大理工
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岡崎 一行
産業技術総合研究所
著作論文
- 23aXB-6 6H-SiC(0001)3×3再構成表面の構造と初期酸化過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aRB-6 中エネルギーH、Heイオンの固体最表面での荷電変換(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 25pTE-8 NiAl(110)上に形成された極薄Al_2O_x膜の構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-8 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAI(110)表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXJ-11 6H-SiC{0001}-3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-2 Ni(111)の極薄Au膜成長とO_2,NOの吸着(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-6 6H-SiC(0001)-C終端3×3表面の構造と電子状態(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-10 6H-SiC(1120)清浄表面の酸窒化過程 : 界面の構造とキネティクス(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYC-9 SiC(0001)-3×3表面の構造と電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-5 Ni(0.2-10ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-2 極薄Ni/SiC(0001)表面における2√×2√構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-1 極薄Ni/SiC(0001)表面における擬3×1構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aYA-6 中エネルギーHeイオンの結晶表面での荷電変換過程(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aWB-3 極薄Ni/SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(II)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWB-2 極薄Ni/6H-SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(I)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13aTG-9 低、及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果(放射線物理, 領域 1)
- 15pXG-2 極薄 Ni と 6H-SiC(0001) の界面反応過程(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15pXG-1 6H-SiC(0001)-2×2 Si-rich 清浄表面の構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 17pWD-2 中エネルギーイオン散乱・光電子分光によるSi(001)-2xl表面初期酸化過程の研究
- 18aTF-10 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるRbI(001)表面振動相関の検証
- 18pTD-2 中エネルギーHeイオンの大角・単回衝突における荷電変換
- 22aWB-12 SR光電子分光と中エネルギーイオン散乱によるSi(001)-2×2表面の初期酸化過程
- 22aWB-7 イオン散乱法と分子動力学計算によるRbI(001)表面構造解析
- 27aY-9 中エネルギーイオン散乱によるTiC(001)、Ta(001)表面緩和とランブリングの決定
- 14pXG-1 Ni-Silicide 反応に伴う Si の表面偏析(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28aWP-3 6H-SiC(0001^^-)-2x2表面構造と初期酸化過程(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 22aYD-6 熱処理による極薄 Ni/SiC(0001) 界面の初期反応過程
- 22aYD-5 6H-SiC(0001)-√x√ 表面上における極薄 Ni 膜のエピタキシャル成長
- 29aZF-1 6H-SiC(1120) 表面の初期酸化過程
- Si(111)表面上Auの初期反応過程 (特集 Au/Si界面の科学)
- 23pYN-3 中エネルギーHeイオン散乱スペクトルに現れる異常表面ピークの解析
- 22aWB-13 Si(111)-7×7初期酸化過程の中エネルギーイオン散乱光電子分光分析
- Si(111)表面上Auの初期反応過程
- 8aSM-7 6H-SiC(1120)の表面構造と初期酸化過程(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 6pWE-1 KI(001)及びRbI(001)表面格子ダイナミクスの高分解能イオン散乱による解析(放射線物理,領域1)