岡沢 哲晃 | 立命館大理工
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概要
関連著者
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岡沢 哲晃
立命館大学理工学部物理
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岡沢 哲晃
立命館大理工
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城戸 義明
立命館大理工
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城戸 義明
立命館大 理工
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西村 智朗
立命館大理工
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星野 靖
立命館大理工:神奈川大理
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星野 靖
立命館大理工
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岡沢 哲晃
産総研関西
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香山 正憲
産総研関西
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難波 秀利
立命館大理工
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城戸 義明
立命館大学理工学部物理科学科
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小北 哲也
コベルコ科研
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小川 浩二
立命館大理工
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橘堂 恭昌
立命館大理工
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佐藤 拓也
立命館大学理工学部物理
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竹内 史典
立命大学理工
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岩本 章信
立命館大理工
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藤原 真秀
立命館大理工
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中川 佳則
立命館大理工
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仙波 昌平
立命館大理工
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城戸 義明
立命館大学理工
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中田 俊隆
立命館大理工
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香山 正憲
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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西村 智朗
立命館大学国際関係学部
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中西 繁光
阪府大総合科
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小川 浩二
佐賀大シンクロ
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秋田 知樹
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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秋田 知樹
産総研関西
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中西 繁光
大阪府立大学
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中西 繁光
大阪府立大、総合科、物質
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中西 繁光
大阪府立大学総合科学部
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梅澤 憲司
大阪府立大学大学院理学系研究科物理科学専攻
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小川 浩二
立命館大学理工学部
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星野 靖
立命館大学理工
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小北 哲也
立命館大学理工学部物理
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小北 哲也
立命館大理工
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岩本 章伸
立命館大理工
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竹内 史典
立命館大理工
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竹内 史典
立命館大・理工・物理
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岡沢 哲晃
立命館大・理工・物理
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星野 靖
立命館大・理工・物理
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西村 智朗
立命館大・理工・物理
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城戸 義明
立命館大・理工・物理
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西村 智朗
立命館大学
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光原 圭
立命館大理工
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岡沢 哲晃
独立行政法人産業技術総合研究所関西センターナノ材料科学研究グループ
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渋谷 和樹
立命館大理工
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西澤 健夫
立命館大理工
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佐藤 拓也
立命館大理工
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Tanaka T.
産総研関西
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松本 紳吾
立命館大理工
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城戸 義明
立命館大・理工
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岡沢 哲晃
立命館大学理工学部
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八木 良博
立命館大理工
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城戸 義明
立命館大学理工学部
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浅見 良信
立命館大理工
著作論文
- 25pTE-8 NiAl(110)上に形成された極薄Al_2O_x膜の構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-8 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAI(110)表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-2 Ni(111)の極薄Au膜成長とO_2,NOの吸着(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aYA-6 中エネルギーHeイオンの結晶表面での荷電変換過程(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 13aTG-9 低、及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果(放射線物理, 領域 1)
- 17pWD-2 中エネルギーイオン散乱・光電子分光によるSi(001)-2xl表面初期酸化過程の研究
- 22aXB-4 TiO_2(110)及びSrTiO_3(001)上のAu超微粒子の成長過程と電子状態(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 金属酸化物基板上金ナノ粒子の成長過程と電子状態分析
- 18aXK-3 固体表面で散乱された中エネルギーHeイオンの荷電変換過程(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 23aYH-5 TiO_2(110)表面上Auナノ微粒子の電子状態(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aYH-10 Ni(111)面の初期酸化とNiO(111)/Ni(111)表面・界面の構造(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-2 NiO(001)およびTiO_2(110)表面における金ナノ微粒子の成長過程とその電子状態(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXF-7 NiO(001)単結晶上における金属微粒子の成長初期過程(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXD-3 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算による金属結晶表面格子ダイナミクスの解析(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 22aYD-4 NiO(001) 表面構造と格子ダイナミクスの温度依存性
- 31aWD-10 中エネルギーイオン散乱による NiO(001) 表面構造解析
- 18aTF-10 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるRbI(001)表面振動相関の検証
- 18pTD-2 中エネルギーHeイオンの大角・単回衝突における荷電変換
- 22aWB-12 SR光電子分光と中エネルギーイオン散乱によるSi(001)-2×2表面の初期酸化過程
- 22aWB-7 イオン散乱法と分子動力学計算によるRbI(001)表面構造解析
- 8aSM-7 6H-SiC(1120)の表面構造と初期酸化過程(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 6pWE-1 KI(001)及びRbI(001)表面格子ダイナミクスの高分解能イオン散乱による解析(放射線物理,領域1)
- 27pYF-11 熱処理に伴うNi(IML)Si(111)構造変化過程の(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 27pYF-4 中エネルギーイオン散乱と光電子分光による6H-Sic(0001)-√×√表面初期酸化過程の研究(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))