星野 靖 | 立命館大理工
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概要
関連著者
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城戸 義明
立命館大理工
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星野 靖
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星野 靖
立命館大理工:神奈川大理
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岡沢 哲晃
立命館大学理工学部物理
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岡沢 哲晃
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城戸 義明
立命館大 理工
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西村 智朗
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松本 紳吾
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難波 秀利
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仙波 昌平
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中田 俊隆
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小川 浩二
立命館大理工
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橘堂 恭昌
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浅見 良信
立命館大理工
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岩見 基弘
岡山大理
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岩見 基弘
岡大物理
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岩見 基弘
岡山大学教授;理学部附属界面科学研究施設
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中西 繁光
阪府大総合科
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小川 浩二
佐賀大シンクロ
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小北 哲也
コベルコ科研
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中西 繁光
大阪府立大学
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中西 繁光
大阪府立大、総合科、物質
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中西 繁光
大阪府立大学総合科学部
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梅澤 憲司
大阪府立大学大学院理学系研究科物理科学専攻
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城戸 義明
立命館大学理工学部物理科学科
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小川 浩二
立命館大学理工学部
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小北 哲也
立命館大理工
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岩本 章伸
立命館大理工
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岡沢 哲晃
産総研関西
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福山 亮
立命館大理工
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岩本 章信
立命館大理工
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豊田 英司郎
立命館大理工
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八木 良博
立命館大理工
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城戸 義明
立命館大学理工学部
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北村 理
立命館大理工
著作論文
- 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aXJ-8 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAI(110)表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-2 Ni(111)の極薄Au膜成長とO_2,NOの吸着(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 13aTG-9 低、及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果(放射線物理, 領域 1)
- 17pWD-2 中エネルギーイオン散乱・光電子分光によるSi(001)-2xl表面初期酸化過程の研究
- 18aTF-10 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるRbI(001)表面振動相関の検証
- 18pTD-2 中エネルギーHeイオンの大角・単回衝突における荷電変換
- 22aWB-12 SR光電子分光と中エネルギーイオン散乱によるSi(001)-2×2表面の初期酸化過程
- 22aWB-7 イオン散乱法と分子動力学計算によるRbI(001)表面構造解析
- 28aWP-3 6H-SiC(0001^^-)-2x2表面構造と初期酸化過程(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 22aYD-6 熱処理による極薄 Ni/SiC(0001) 界面の初期反応過程
- 22aYD-5 6H-SiC(0001)-√x√ 表面上における極薄 Ni 膜のエピタキシャル成長
- 29aZF-1 6H-SiC(1120) 表面の初期酸化過程
- 23pYN-3 中エネルギーHeイオン散乱スペクトルに現れる異常表面ピークの解析
- 8aSM-7 6H-SiC(1120)の表面構造と初期酸化過程(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 6pWE-1 KI(001)及びRbI(001)表面格子ダイナミクスの高分解能イオン散乱による解析(放射線物理,領域1)
- 8aSM-6 Ni(1ML)/SiC(0001)熱処理による構造変化(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 24aZA-9 単回・大角散乱におけるHe,Neイオンの荷電変換(24aZA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
- 27pYF-11 熱処理に伴うNi(IML)Si(111)構造変化過程の(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 27pYF-4 中エネルギーイオン散乱と光電子分光による6H-Sic(0001)-√×√表面初期酸化過程の研究(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))