28aWP-3 6H-SiC(0001^^-)-2x2表面構造と初期酸化過程(表面界面構造(半導体))(領域9)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-03-03

著者

• 城戸 義明

  立命館大理工

• 星野 靖

  立命館大理工:神奈川大理

• 福山 亮

  立命館大理工

• 城戸 義明

  立命館大 理工

• 松本 紳吾

  立命館大理工

• 星野 靖

  立命館大理工

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