8aSM-6 Ni(1ML)/SiC(0001)熱処理による構造変化(表面界面構造・電子物性,領域9)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
23aGP-11 過塩素酸水溶液中におけるAu(111)電極の表面トポグラフィー変化(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
タンパク質結晶成長と欠陥形成の関連
-
22pTE-10 KNbO_3の構造相転移(2) : X線回折による研究(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
-
24a-PS-38 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程
-
27pYG-5 高分解能イオン散乱と第1原理計算によるNiAl(110)表面の構造・ダイナミクスの解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
28pTE-8 不純物サイズの違いが成長カイネティクスに与える影響(28pTE 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24pTD-5 タンパク質結晶成長におけるモデル不純物の提案 : デンドリマーの不純物効果(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
リゾチーム結晶への不純物取り込みメカニズム : バイオクリスタルII
-
中エネルギーイオン散乱による表面分析
-
30aRD-8 酸化物・グラファイト上に担持した金ナノ粒子に対する終状態効果(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23aXB-6 6H-SiC(0001)3×3再構成表面の構造と初期酸化過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23aRB-6 中エネルギーH、Heイオンの固体最表面での荷電変換(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
25pTE-8 NiAl(110)上に形成された極薄Al_2O_x膜の構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21aXJ-8 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAI(110)表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
22aXJ-11 6H-SiC{0001}-3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21aXJ-2 Ni(111)の極薄Au膜成長とO_2,NOの吸着(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
26aYC-10 6H-SiC(1120)清浄表面の酸窒化過程 : 界面の構造とキネティクス(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26aYC-9 SiC(0001)-3×3表面の構造と電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aYB-5 Ni(0.2-10ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22pYE-2 極薄Ni/SiC(0001)表面における2√×2√構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22pYE-1 極薄Ni/SiC(0001)表面における擬3×1構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aWB-3 極薄Ni/SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(II)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
13aTG-9 低、及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果(放射線物理, 領域 1)
-
15pXG-2 極薄 Ni と 6H-SiC(0001) の界面反応過程(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
-
30aRD-13 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発II(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23PXB-1 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発I(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24pTR-4 単結晶X線回折法によるAg_3SIの研究(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,光物性)
-
17pWD-2 中エネルギーイオン散乱・光電子分光によるSi(001)-2xl表面初期酸化過程の研究
-
25pRD-11 高励起^Kおよび^Rbリドベルグ原子のシュタルク特性(25pRD 量子エレクトロニクス(量エレ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
03aD10 リゾチーム結晶のエピタキシャル成長を誘起する脂肪酸薄膜の表面構造(バイオ・有機マテリアル(3),第36回結晶成長国内会議)
-
03aD01 GaAs基板上に成長した有機薄膜に対する表面酸化物の影響(バイオ・有機マテリアル(2),第36回結晶成長国内会議)
-
02aD03 脂肪酸薄膜上におけるタンパク質結晶のエピタキシャル成長(バイオ有機材料の最新の話題について,バイオマテリアルシンポジウム(1),第36回結晶成長国内会議)
-
26aWS-4 TiO_2(110)及びAu/TiO_2(110)におけるCO酸化の反応パス(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23pRH-12 中エネルギー・ネオン入射による高感度水素検出(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
23pRF-4 動的カシミヤ効果検証実験 : 実験計画・装置(23pRF 量子エレクトロニクス(量子光学・量子推定・量子暗号),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
2p-G-11 CaF_2にイオン注入したTmのキャラクタリゼーション
-
6p-H-12 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"構造の超高分解能解析
-
6p-H-8 中エネルギー反跳H検出法によるSi表面水素の分析
-
6p-H-2 立命館大学放射光複合ビームライン : SORIS-II 高分解能中エネルギー散乱
-
5a-YC-4 単結晶Si中を軸及び面チャネリングするMeVHeイオンに対する阻止能
-
29p-F-9 中エネルギーイオン散乱・表面エネルギー損失分光によるSi(001)2×1-Ge相互拡散分析
-
27a-S-3 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiおよびGeの阻止能とストラグリング
-
30p-YB-6 MeV Heイオンに対する GaAs阻止能の衝突径数依存性
-
30p-YB-5 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiの阻止能とストラグリング
-
3p-B-14 MeV Heイオンに対する阻止能の衝突径数依存性
-
30p-YS-9 分子動力学法による金属表面格子振動特性の解析
-
23pT-9 新たな粒子サイズコントロール法と微粒子の形態変化
-
25pZ-5 ITO膜形成に関する構造的研究
-
25pZ-3 Si超微粒子上のカーボンのダイナミクス
-
金属とカーボンおよびシリコン酸化物同時ガス中蒸発法によるクラスターの構造 : 気相成長V
-
微粒子-薄膜反応によるシリコンカーバイドの生成 : 気相成長III
-
28pYH-8 金ナノ粒子とSrTiO_3(001)及びTiO_2(110)基板界面における電荷移動(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
25aYC-7 二光束干渉法によるリゾチームとアルブミンの二元系相図の作成及び熱力学的考察(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
25aYC-8 表面構造の異なる脂肪酸薄膜を用いたリゾチーム結晶の配向制御(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
25aYC-9 緩衝液がリゾチーム正方晶系結晶の核形成に及ぼす効果(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28pXJ-12 脂肪酸薄膜上におけるリゾチームのエピタキシャル成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20aXF-10 脂肪酸薄膜上に核形成したリゾチーム結晶の配向に対する不純物効果(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20aXF-8 直鎖脂肪酸蒸着膜の構造による炭酸カルシウムの核形成制御(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aXC-1 脂肪酸薄膜上に核形成したリゾチーム結晶の配向に対する脂肪酸の疎水基、及び親水基による影響(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
24pZ-3 KBr-NaCl逐次蒸着膜におけるNaBr層の形成
-
27aXC-3 リゾチーム単斜晶系結晶{010}面の成長カイネティクス(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
12pXG-5 脂肪酸薄膜上に核形成したリゾチーム結晶の配向に対する結晶化溶液の影響(結晶成長, 領域 9)
-
脂肪酸薄膜上に核形成したリゾチーム結晶の配向及び配向に対する過飽和度の影響(バイオクリスタルI)
-
29a-J-11 超高分解能MEISによるCu/Si(111)"5x5"の解析
-
28a-WB-7 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"の表面構造
-
15a-DJ-8 Si(111)"5×5"-Cuの表面構造解析 : 中エネルギ-イオン散乱法による
-
25p-L-5 MeV He^+ビーム使用水素定量分析における核力の効果
-
22aXB-4 TiO_2(110)及びSrTiO_3(001)上のAu超微粒子の成長過程と電子状態(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
金属酸化物基板上金ナノ粒子の成長過程と電子状態分析
-
18aXK-3 固体表面で散乱された中エネルギーHeイオンの荷電変換過程(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
23aYH-5 TiO_2(110)表面上Auナノ微粒子の電子状態(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24aYH-10 Ni(111)面の初期酸化とNiO(111)/Ni(111)表面・界面の構造(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aYB-2 NiO(001)およびTiO_2(110)表面における金ナノ微粒子の成長過程とその電子状態(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21pXF-7 NiO(001)単結晶上における金属微粒子の成長初期過程(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26pXD-3 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算による金属結晶表面格子ダイナミクスの解析(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
22aYD-4 NiO(001) 表面構造と格子ダイナミクスの温度依存性
-
31aWD-10 中エネルギーイオン散乱による NiO(001) 表面構造解析
-
18aTF-10 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるRbI(001)表面振動相関の検証
-
22aTA-2 アモルファスカーボン膜へのSR照射によるカルビン微結晶の生成
-
23pT-10 金属-カーボン、ガス中蒸発法による孤立粒子の形成とカーバイドの生成
-
22pB6 逐次蒸着におけるアルカリハライドの自発反応性(気相成長III)
-
22pB5 ガス中蒸発法における粒子生成、煙の形、電界の相関(気相成長III)
-
25p-P-13 リゾチームの結晶成長における不純物効果
-
27aTA-7 WO_3薄膜の結晶化
-
17pWD-5 電気化学AFMによるシリコン基板上におけるCu電析の"その場"観察
-
30aXE-7 NH_4F水溶液中におけるSi(111)表面の電気化学AFM観察
-
In_2O_3蒸着膜の構造,成長とITO膜の構造との相関 : 薄膜
-
シリコン超微粒子上の金属蒸着薄膜の挙動 : 微粒子
-
28pZE-2 脂肪酸薄膜上に核形成したリゾチーム結晶の配向
-
27aTA-2 Lysozyme分子の吸着現象におけるpHの影響
-
104 放射光照射による非晶質カーボン膜からのカルビン結晶の生成(セッション1)
-
904 SiO、Fe、Mg混合薄膜の構造とスペクトル(セッションIV-A)
-
903 固相反応によるシリコンカーバイドの創製(セッションIV-A)
-
19aFN-5 ベヘン酸基板上での斜方晶α-アミラーゼの結晶成長(19aFN 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長)
-
8aSN-12 リゾチーム結晶(110)面上の二次元島のAFM観察(結晶成長,領域9)
-
8aSM-6 Ni(1ML)/SiC(0001)熱処理による構造変化(表面界面構造・電子物性,領域9)
-
27pYF-11 熱処理に伴うNi(IML)Si(111)構造変化過程の(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク