微粒子-薄膜反応によるシリコンカーバイドの生成 : 気相成長III
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概要
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Silicon carbide formation by reactions of carbon Particle - silicon oxide film(caseI and silicon particle-carbon film(case II) was studied electron microscopically. In the caseI, diffusion of silicon atoms from silicon crystal in silicon oxide film took place above 900℃ in vacuum. In the case II, diffusion of carbon atoms to the silicon particles took place even at room temperature. Singularity of nano-substance has been elucidated experimentally.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
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