29a-YS-6 MeV Heに対する阻止能の衝突径数依存性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1994-03-16

著者

• 城戸 義明

  立命館大理工

• 山口 浩司

  三菱重工業(株)

• 高幣 謙一郎

  Ntt基礎研究所

• 山本 安一

  立命館大理工

• 中田 穣治

  NTT LSI研

• 中井 英志

  立命館大理工

• 山口 浩司

  NTT 基礎研

• 高幣 謙一郎

  NTT 基礎研

• 中村 康行

  立命館大理工

• 中田 穣治

  Ntt Lsi研究所

• 山本 安一

  立命館大

関連論文

• レーザーレンジスキャナーを用いた都市の構築に関する研究
• 画像及び地図からの情報の抽出と都市空間の構築(人工現実感)
• 画像及び地図からの情報の抽出と都市空間の構築
• 画像および地図からの情報の抽出と都市空間の構築
• 実写画像からのカメラ位置・姿勢情報の抽出に基づく空間の構築
• 実写画像からのカメラ位置・姿勢情報の抽出に基づく空間の構築 (第11回〔日本バーチャルリアリティ学会〕「人工現実感」研究会)
• 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pXD-6 量子ホール強磁性状態における乱雑ポテンシャルによるスピン波の崩壊(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-5 量子ホール2次元電子系における光学遷移の占有数依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTX-3 v=1量子ホール状態近傍における量子ホール電子系のスピンダイナミクス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTX-2 量子ホール電子系の磁気光カー回転スペクトル(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTX-1 電子スピン分極イメージングによる量子ホールデバイス中の電流分布測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-4 2色ポンプ・プローブカー回転測定による量子ホール電子のスピンダイナミクス(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
• 24a-PS-38 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程
• 27pYG-5 高分解能イオン散乱と第1原理計算によるNiAl(110)表面の構造・ダイナミクスの解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 中エネルギーイオン散乱による表面分析
• 30aRD-8 酸化物・グラファイト上に担持した金ナノ粒子に対する終状態効果(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXB-6 6H-SiC(0001)3×3再構成表面の構造と初期酸化過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aRB-6 中エネルギーH、Heイオンの固体最表面での荷電変換(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 25pTE-8 NiAl(110)上に形成された極薄Al_2O_x膜の構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXJ-8 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAI(110)表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXJ-11 6H-SiC{0001}-3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXJ-2 Ni(111)の極薄Au膜成長とO_2,NOの吸着(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYC-10 6H-SiC(1120)清浄表面の酸窒化過程 : 界面の構造とキネティクス(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aYC-9 SiC(0001)-3×3表面の構造と電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-5 Ni(0.2-10ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pYE-2 極薄Ni/SiC(0001)表面における2√×2√構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pYE-1 極薄Ni/SiC(0001)表面における擬3×1構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aWB-3 極薄Ni/SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(II)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 13aTG-9 低、及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果(放射線物理, 領域 1)
• 15pXG-2 極薄 Ni と 6H-SiC(0001) の界面反応過程(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 30aRD-13 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発II(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23PXB-1 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発I(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 17pWD-2 中エネルギーイオン散乱・光電子分光によるSi(001)-2xl表面初期酸化過程の研究
• 25pRD-11 高励起^Kおよび^Rbリドベルグ原子のシュタルク特性(25pRD 量子エレクトロニクス(量エレ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aWS-4 TiO_2(110)及びAu/TiO_2(110)におけるCO酸化の反応パス(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pRH-12 中エネルギー・ネオン入射による高感度水素検出(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pRF-4 動的カシミヤ効果検証実験 : 実験計画・装置(23pRF 量子エレクトロニクス(量子光学・量子推定・量子暗号),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 2p-G-11 CaF_2にイオン注入したTmのキャラクタリゼーション
• 6p-H-12 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"構造の超高分解能解析
• 6p-H-8 中エネルギー反跳H検出法によるSi表面水素の分析
• 6p-H-2 立命館大学放射光複合ビームライン : SORIS-II 高分解能中エネルギー散乱
• 5a-YC-4 単結晶Si中を軸及び面チャネリングするMeVHeイオンに対する阻止能
• 29p-F-9 中エネルギーイオン散乱・表面エネルギー損失分光によるSi(001)2×1-Ge相互拡散分析
• 27a-S-3 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiおよびGeの阻止能とストラグリング
• 30p-YB-6 MeV Heイオンに対する GaAs阻止能の衝突径数依存性
• 30p-YB-5 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiの阻止能とストラグリング
• 3p-B-14 MeV Heイオンに対する阻止能の衝突径数依存性
• 30p-YS-9 分子動力学法による金属表面格子振動特性の解析
• 28pYH-8 金ナノ粒子とSrTiO_3(001)及びTiO_2(110)基板界面における電荷移動(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29a-J-11 超高分解能MEISによるCu/Si(111)"5x5"の解析
• 28a-WB-7 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"の表面構造
• 15a-DJ-8 Si(111)"5×5"-Cuの表面構造解析 : 中エネルギ-イオン散乱法による
• 25p-L-5 MeV He^+ビーム使用水素定量分析における核力の効果
• 22aXB-4 TiO_2(110)及びSrTiO_3(001)上のAu超微粒子の成長過程と電子状態(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 金属酸化物基板上金ナノ粒子の成長過程と電子状態分析
• 18aXK-3 固体表面で散乱された中エネルギーHeイオンの荷電変換過程(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 23aYH-5 TiO_2(110)表面上Auナノ微粒子の電子状態(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aYH-10 Ni(111)面の初期酸化とNiO(111)/Ni(111)表面・界面の構造(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-2 NiO(001)およびTiO_2(110)表面における金ナノ微粒子の成長過程とその電子状態(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXF-7 NiO(001)単結晶上における金属微粒子の成長初期過程(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXD-3 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算による金属結晶表面格子ダイナミクスの解析(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 22aYD-4 NiO(001) 表面構造と格子ダイナミクスの温度依存性
• 31aWD-10 中エネルギーイオン散乱による NiO(001) 表面構造解析
• 18aTF-10 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるRbI(001)表面振動相関の検証
• 18pTD-2 中エネルギーHeイオンの大角・単回衝突における荷電変換
• 22aWB-12 SR光電子分光と中エネルギーイオン散乱によるSi(001)-2×2表面の初期酸化過程
• 22aWB-7 イオン散乱法と分子動力学計算によるRbI(001)表面構造解析
• 先端追跡
• 30p-YS-8 イオン散乱によるGaAs:Er(MBE)の構造決定
• 29a-YS-6 MeV Heに対する阻止能の衝突径数依存性
• 6p-H-1 立命館大学放射光複合ビームライン : SORIS I 放射光利用光電子分光
• 21pXJ-5 NiSi_2/Si(001)の表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 14pXG-1 Ni-Silicide 反応に伴う Si の表面偏析(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 30a-ZG-4 チャネリングフラックスピーキングとチャネリング粒子の阻止能(放射線物理)
• 弾性反跳法（ERDA）による表面水素の定量
• 28aWP-3 6H-SiC(0001^^-)-2x2表面構造と初期酸化過程(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 弾性反跳法(ERDA)による表面水素の定量
• 22aYD-6 熱処理による極薄 Ni/SiC(0001) 界面の初期反応過程
• 22aYD-5 6H-SiC(0001)-√x√ 表面上における極薄 Ni 膜のエピタキシャル成長
• 29aZF-1 6H-SiC(1120) 表面の初期酸化過程
• 26pTH-5 TiO_2(110)のバンドギャップ内に現れるTi3d defect stateの起源(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30a-ZG-3 イオンチャネリングスペクトルのモンテカルロシミュレーション
• 21pEB-3 中エネルギーイオン散乱による立方晶SiC(001)再構成表面の構造解析(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 22aJB-8 TiO_2(110)及びAu/TiO_2(110)に対するCO酸化の反応機構(22aJB 水素ダイナミクス+表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pEA-5 中エネルギーNe^+、N^+入射・弾性反跳による表面水素の検出(24pEA 原子分子(イオン衝突),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 5p-B-8 水素終端されたSi(111)表面上でのCuの成長
• 23pYN-3 中エネルギーHeイオン散乱スペクトルに現れる異常表面ピークの解析
• 28a-XK-8 a-Si/Si(111), SiO_2/Si(001)及びGraphiteからの後方散乱表面ピークの解析
• Si(111)表面上Auの初期反応過程
• 高分解能中エネルギーイオン散乱と第一原理計算による3C-SiC(001)-3×2再構成表面の原子構造解析
• 8aSM-7 6H-SiC(1120)の表面構造と初期酸化過程(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 6pWE-1 KI(001)及びRbI(001)表面格子ダイナミクスの高分解能イオン散乱による解析(放射線物理,領域1)
• 8aSM-6 Ni(1ML)/SiC(0001)熱処理による構造変化(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 24aZA-9 単回・大角散乱におけるHe,Neイオンの荷電変換(24aZA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
• 27pYF-11 熱処理に伴うNi(IML)Si(111)構造変化過程の(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 27pYF-4 中エネルギーイオン散乱と光電子分光による6H-Sic(0001)-√×√表面初期酸化過程の研究(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク