14pXG-1 Ni-Silicide 反応に伴う Si の表面偏析(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 城戸 義明

  立命館大理工

• 星野 靖

  立命館大理工:神奈川大理

• 西村 智朗

  立命館大理工

• 星野 靖

  京大工

• 城戸 義明

  立命館大 理工

• 竹田 純子

  立命館大学・理工・物理

• 竹田 純子

  立命館大理工

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