30p-YS-8 イオン散乱によるGaAs:Er(MBE)の構造決定

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1994-03-16

著者

• 城戸 義明

  立命館大理工

• 山口 浩司

  三菱重工業(株)

• 高幣 謙一郎

  Ntt基礎研究所

• 山本 安一

  立命館大理工

• 中田 穣治

  NTT LSI研

• 中井 英志

  立命館大理工

• 中村 康之

  立命館大理工

• 山口 浩司

  NTT 基礎研

• Jourdan N

  NTT 基礎研

• 高幣 謙一郎

  NTT 基礎研

• 中田 穣治

  Ntt Lsi研究所

• 山本 安一

  立命館大

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