森川 良忠 | 産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体

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概要

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関連著者

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体

• 森川 良忠

  阪大院工

• 森州 良忠

  阪大産研

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 柳澤 将

  阪大院工

• 森川 良忠

  阪大産研

• 柳澤 将

  阪大産研

• 稲垣 耕司

  阪大院工

• 濱田 幾太郎

  東北大WPI-AIMR

• 稲垣 耕司

  阪大院工:jst-crest

• 森川 良忠

  阪大工

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 林 智広

  Universitat Heidelberg

• 大門 寛

  奈良先端大

• 服部 賢

  奈良先端大物質

• 稲葉 雄一

  奈良先端大物質創成

• 安居 麻美

  奈良先端大物質創成

• 服部 賢

  奈良先端大

• 野副 尚一

  産業技術総合研 ナノテクノロジー研究部門

• 稲葉 雄一

  奈良先端大・物質創成

• 安居 麻美

  奈良先端大・物質創成

• 青木 優

  東大院総合文化

• 増田 茂

  東大院総合文化

• 十河 真生

  東大院総合文化

• 森川 良忠

  JRCAT

• 大門 寛

  奈良先端大物質

• 広瀬 喜久治

  阪大院工

• 八田 振一郎

  京大院理

• 奥山 弘

  京大院理

• 有賀 哲也

  京大院理

• 服部 賢

  奈良先端大物質創成

• 青木 優

  東大院総合

• 増田 茂

  東大教養

• 劉 子敬

  産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体

• 林 智広

  ハイデルベルク大

• 熊谷 崇

  京大院理

• 浜田 幾太郎

  東北大

• 有賀 哲也

  京大院理:jst-crest

• 奥山 弘

  京都大学大学院理学研究科

• 八田 振一郎

  京大院理:jst-crest

• 安武 潔

  大阪大学 大学院工学研究科

• 安武 潔

  阪大院工

• Lee Kyuho

  Rutgers Univ.

• 豊田 健治

  阪大産研

• 阿武 潔

  大阪大学大学院工学研究科

• 森村 英幸

  阪大産研

• 豊田 健治

  阪大産研:パナソニック(株)

• 浜田 幾太郎

  科技団:阪大基礎工

• 増田 茂

  東大院総合

• 劉 子敬

  産総研計算科学:SYNAF

• 佐々木 恵太

  東大院総合文化

• 坂本 雄一

  東大院総合文化

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所

• 濱田 幾太郎

  阪大産研

• 香山 正憲

  産総研ユビキタスエネルギー

• 野副 尚一

  産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門

• 劉 子敬

  産総研

• 野副 尚一

  産総研

• 野副 尚一

  物質研

• 大谷 実

  産総研計算科学

• 杉野 修

  東大物性研

• 岡崎 一行

  阪大工

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス

• 大谷 実

  東大物性研:産総研計算科学

• 大谷 実

  産総研

• 杉野 修

  東京大学物性研究所

• 森川 良忠

  産業技術総合研 計算科学研究部門

• 中野 洋輔

  阪大産研

• 上羽 弘

  富山大学工学部電子情報工学科

• 杉野 修

  日電マイクロ研

• 上羽 弘

  富山大工

• Frederiksen Thomas

  富山大

• 上羽 弘

  富山大

• 柳澤 将

  阪大工

• 西郷 登洋

  阪大院理

• Frederiksen Thomas

  富山大:dipc

• 杉野 修

  東大 物性研

• 柳澤 将

  大阪大学大学院工学研究科

• 柳澤 将

  琉球大理

• 井関 信太郎

  阪大院工

• 大上 まり

  阪大工

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス:JST-CREST

• 岡崎 一行

  産業技術総合研究所

• 上羽 弘

  富山大学工学部

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著作論文

• 21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pEL-11 周期セルを用いた電子状態計算の問題とその改善 : 永久多重極を持つ系の計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21aGL-2 Au(111)表面におけるHe^*の脱励起過程(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYG-1 C_-Pt(111)系の局所電子状態 : 金属波動関数の漸近特性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 金-チオール系自己組織化膜の第一原理分子動力学シミュレーション
• 19pWD-5 金(111)表面上のアルカンチオール自己組織化膜の構造
• 28aXE-11 第一原理分子動力学法による金表面上の自己組織化膜の研究
• 26pPSB-9 第一原理計算によるSi(111) 2x2表面でのN原子及びO原子吸着(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aGL-11 Alq_3/金属界面相互作用における非局所電子相関の役割に関する第一原理的研究(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pYH-1 Pt/グラフェンへののCO吸着(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYH-3 第一原理計算によるペンタセン/貴金属界面に関する理論的研究(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pZK-5 界面電気二重層の起源と理論予測(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aWS-7 TiO_2(110)表面の欠陥構造に関するGW近似による研究(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aWX-12 ファンデルワールス補正を入れた密度汎関数法によるナノチューブ/金属電極界面の構造と電子状態(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-83 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 有機/金属界面の電子状態の第一原理計算による研究
• 27pPSA-52 カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-46 HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pTG-7 TiO_2(110)表面の酸素欠陥による構造歪み・電子構造に関する第一原理的研究(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-4 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着II(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-23 HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析 : 飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-30 第一原理計算によるGaN(0001)表面の終端構造の解析(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

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