杉野 修 | 日電マイクロ研

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概要

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関連著者

• 杉野 修

  日電マイクロ研

• 杉野 修

  東大物性研

• 杉野 修

  東京大学物性研究所

• 杉野 修

  東大 物性研

• 杉野 修

  東京大学 物性研究所

• 平井 宏俊

  東京大学物性研究所

• 杉野 修

  日本電気(株)基礎研究所

• 大谷 実

  産総研

• 胡 春平

  物材機構MANA

• 大谷 実

  東大物性研:産総研計算科学

• 杉野 修

  NEC基礎研

• 押山 淳

  東大院工

• 森川 良忠

  阪大院工

• 濱田 幾太郎

  東北大WPI-AIMR

• 大谷 実

  産総研計算科学

• 斎藤 峯雄

  株式会社nec情報システムズ

• 斎藤 峯雄

  Nec情報システムズ

• 森州 良忠

  阪大産研

• 押山 淳

  日電マイクロエレクトロニクス研

• 斎藤 峯雄

  日電技術情報

• 大谷 実

  東大物性研

• 胡 春平

  東大物性研

• 平井 宏俊

  東大物性研

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 渡辺 一之

  東理大理

• 館山 佳尚

  物材機構MANA

• 上村 洸

  東京理科大学総合研究機構

• 柘植 久尚

  NEC機能デバイス材料研究本部

• 渡邊 聡

  東大工

• 森川 良忠

  大阪大学産業科学研究所

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体

• 吉本 芳英

  東大物性研

• 亘 紀子

  NEC情報システムズ

• 大西 楢平

  日本電気基礎研究所

• 山内 淳

  慶大理工

• 塚田 捷

  東大理

• 柘植 久尚

  Nec機能材料研

• 住 明正

  東京大学CCSR

• 渡邊 聡

  新技団青野プロジェクト

• 滝本 佳成

  東大物性研

• 吉本 芳英

  東京大学物性研究所

• 濱田 幾太郎

  大阪大学産業科学研究所

• 上村 洸

  東大理物理

• 館山 佳尚

  物材機構mana:物材機構環境拠点:jstさきがけ:jst-crest

• 池庄司 民夫

  (独)産業技術総合研究所計算科学研究部門

• 大谷 実

  大阪大学産業科学研究所

• 岡本 穏治

  日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所

• 杉野 修

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 大西 楢平

  NEC基礎研

• 吉本 芳英

  東大物性研:(現)鳥取大工応数

• 中島 紳伍

  東大物性研

• 友成 六美

  日本電気・中央研究所

• 杉野 修

  東大・物性研

• 山内 淳

  東大理

• 野口 良史

  東大物性研

• 滝本 佳成

  東大物性研:産総研計算科学

• 胡 春平

  東理大理

• 胡 春平

  CREST-JST

• 杉野 修

  CREST-JST

• 大西 楢平

  Nec基礎・環境研

• 森下 徹也

  産総研

• 金岩 孝一

  東大物性研

• 池庄司 民夫

  (独)産業技術総合研究所

• 塚越 隆行

  東大物性研

• Bonnet Nicephore

  産総研:東大物性研

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著作論文

• 20pEL-11 周期セルを用いた電子状態計算の問題とその改善 : 永久多重極を持つ系の計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pEL-12 ディシペイティブエーレンフェストダイナミクス(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pEL-10 周期セルを用いた電子状態計算の問題とその改善点 : 動的感受率の計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 理学部研究ニュース
• 第一原理シミュレーションから見た電極界面と電荷移動反応 : 燃料電池・水電解の水素極を対象として
• 28aRC-8 TDDFTによる非断熱結合係数の全電子計算手法(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 24aPS-80 時間依存密度汎関数法によるチタニア表面における水の光分解の研究(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-7 スピントンネル接合における絶縁薄膜の第一原理計算
• 20aPS-36 有効遮蔽体法によるSi(001)表面の構造安定性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aRD-9 Pt電極上の吸着水素 : 被覆率と振動数の電位依存性(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26a-Z-1 ノルム非保存型擬ポテンシャルを用いた電子構造計算
• 28aPS-24 ボロンクラスターと水素原子の衝突問題における電子的非断熱効果 : 時間依存密度汎関数法からのアプローチ(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 20pVC-6 時間依存密度汎関数法を用いた非断熱分子動力学計算(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pPSA-25 TDDFT calculation of nonadiabatic couplings in the pseudopotential scheme : Successes and challenges
• 21pWA-7 非断熱結合のTDDFT計算手法(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 21pWA-10 時間依存密度汎関数法を用いた非断熱遷移を伴う化学反応のシミュレーション(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 24pTE-3 Jahn-TellerおよびRenner-Teller系の2次非断熱結合係数の考察(24pTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pWB-5 Spin-flipを伴う電子励起のTDDFT計算(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 計算物質科学に基づいた固液界面反応の理解 : 高性能電池のための理論基盤構築に向けて
• 25aL-8 炭素クラスターに対する光電子分光振動微細構造の第一原理計算
• 27a-ZG-18 GaAs中DXセンターに対する3配位モデルの妥当性
• 29p-W-7 GaAs中Si不純物の問題におけるstate-of the-art techniqueの評価
• バンド理論の最近の発展から(第47回物性若手夏の学校(2002年度),講義ノート)
• 28aPS-22 n型シリコン中の水素拡散における電子的非断熱効果(28aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aTE-2 電場下における炭素クラスタの励起状態の第一原理計算(28aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21pGT-1 TDDFTに基づく非断熱量子動力学計算手法と光化学反応における計算精度のテスト(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 18pAD-9 印加電圧一定の下での分子動力学法の開発(18pAD 電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))

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