大西 楢平 | NEC基礎研
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概要
関連著者
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大西 楢平
NEC基礎研
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大西 楢平
Nec基礎・環境研
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菅野 暁
東大物性研
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菅野 暁
物性研
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大西 楢平
日電基礎研
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NEC情報システムズ
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新上 和正
東大物性研
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姫路工大理
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新上 和正
物性研
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松下 貢
中大理工
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石井 靖
東大物性研
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石井 靖
物性研
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石井 靖
中大理工
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柘植 久尚
NEC機能デバイス材料研究本部
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仁科 雄一郎
東北大金研
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石井 靖
姫工大理
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浜田 典昭
物性研
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松下 貢
東北大 通研
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柘植 久尚
Nec機能材料研
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杉野 修
NEC基礎研
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斎藤 峯雄
株式会社nec情報システムズ
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斎藤 峯雄
Nec情報システムズ
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島 信幸
姫路工大理
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里子 允敏
分子研
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渋谷 哲
物性研
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島 信幸
東大理
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杉野 修
東京大学 物性研究所
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杉野 修
日電マイクロ研
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近藤 宏
東北大通研
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大西 楢平
日電基研
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大西 楢平
東邦大理
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杉野 修
日本電気(株)基礎研究所
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山本 武範
東大生研:東邦大理
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山本 武範
東邦大理:東大生研
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栗本 武
日電技術情報
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浜田 典昭
日本電気 (株) 基礎研究所
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大西 楢平
日本電気 (株) 基礎研究所
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斎藤 晋
日電基礎研
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大西 楢平
東大物性研
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塚田 健
分子研
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山本 武範
横浜国工
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田中 正俊
横浜国工
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斎藤 晋
NEC基研
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大西 楢平
NEC基研
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近藤 宏
東北大 通研
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亘 紀子
日電技術情報シス開
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田中 正俊
横浜国立大学大学院工学府物理情報工学
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島 信幸
東大・理・物理
著作論文
- 3p-E-4 侵入型化学吸着 II
- 30a-U-9 遷移金属における侵入型化学吸着
- 27p-N-4 STMにおける電子過程の諸問題
- 24aPS-7 スピントンネル接合における絶縁薄膜の第一原理計算
- 27p-QB-10 半導体におけるself-interaction correctionと(AlAs)_m(GaAs)_n超格子への応用
- 27p-QB-9 バンド計算のためのFourier展開法
- 固体の電子状態 ( 物性における計算物理)
- 3a-NGH-18 内殻励起された遷移金属化合物の電子構造とその圧力依存性
- 19.侵入型化学吸着 : N_2/Ti(0001)系でのcluster計算(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
- 29a-E-4 グラファイト層間化合物間の相互作用について
- 17aWD-2 W(001)表面上のWO_2表面化合物に関する計算
- 第1回NECシンポジウム : マイクロクラスター
- 4p-S-3 アルカリ金属クラスターに対するジェリウム模型
- 4p-S-2 半導体クラスターの安定構造II
- 3p-E-8 微粒子の構造に及ぼす電子状態の影響
- 25aYM-1 金属クラスター中の水素吸蔵(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 1a-D-10 方向性のあるDLAモデル
- 25a-YR-8 第一原理計算による水銀55量体の金属化の研究
- 12a-DJ-12 水銀クラスターの構造と電子状態