大西 楢平 | 日電基礎研
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概要
関連著者
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大西 楢平
日電基礎研
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大西 楢平
日本電気基礎研究所
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千葉 芳江
日電基礎研
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青木 優
明大理工
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円谷 和雄
明治大理工 機構情報
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青木 優
静岡産業大経営
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青木 優
静岡産業大学経営学部
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円谷 和雄
明大理工
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斎藤 晋
日電基礎研
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小高 秀文
明大理工
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大西 楢平
NEC基礎研
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菅野 暁
物性研
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亘 紀子
NEC情報システムズ
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池田 隆志
Nsis
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亘 紀子
NSIS
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菅野 暁
東大物性研
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石井 靖
物性研
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浜田 典昭
日電基礎研
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里子 允敏
分子研
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栗本 武
日電技術情報
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円谷 和雄
明治大理工
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円谷 和雄
日電基礎研
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石井 靖
東大物性研
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石井 靖
姫路工大理
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長野 正道
日電基礎研
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押山 淳
Nec基礎研
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押山 淳
日電基礎研
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斉藤 晋
日電基礎研
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栗本 武
NSIS
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里子 允敏
日大文理
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斉藤 晋
Nec基礎研
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池田 隆志
日電技術情報
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斎藤 晋
日電基礎研、物性研
著作論文
- 29p-PSA-42 Voronoi多面体を用いた3次元数値積分法の開発と電子構造計算への応用0003p510.txt(
- 28p-BPS-29 LMTO法におけるinterstitial補正の計算方法II
- 27a-J-2 LMTO法におけるinterstitial補正の計算方法
- 25p-T-6 LMTO法による格子欠陥の電子状態の解析
- 4p-PS-60 LMTO法によるmost localized orbitalの構造依存性
- 28a-PS-30 Harris汎関数法についての検討
- 4p-PS-61 局在電子状態計算のための有効モデルポテンシャル法
- 30a-TM-2 Wigner-Seity cell中の原子の電子状態
- 27p-QB-10 半導体におけるself-interaction correctionと(AlAs)_m(GaAs)_n超格子への応用
- 27p-QB-9 バンド計算のためのFourier展開法
- LMTO法による電子状態の計算
- 30a-TM-12 A New Method for the Quantum Molecular Dynamics
- 3a-C-17 3次元量子井戸形状効果
- 5a-A2-6 GaAs/AlGaAs球形量子井戸中の励起子に対する量子サイズ効果及び電界効果の非断熱的解析
- 27a-P-12 STM探索針先端の電場分布とその試料表面の電子分布への影響
- 27p-QB-3 球対称ポテンシャルの量子系に電場をかけた場合のエネルギー・スペクトル
- 27a-C-1 Naクラスターの質量スペクトルの微細構造
- 4p-S-1 Norm-conserving Pseudo-potentialによるLCAO計算
- 4p-S-3 アルカリ金属クラスターに対するジェリウム模型
- 4p-S-2 半導体クラスターの安定構造II
- 1p-L1-9 GaAs/AIAs一次元量子井戸及び球形量子井戸に対する電界効果(半導体,(表面・界面・超格子))
- 29p-H-11 ジェリウム球クラスター模型によるNanの安定性・反応性の解析(表面・界面)
- 31p-F4-15 STMにおける表面への電界効果(表面・界面)
- 27p-JE-10 AlAsに埋め込まれたGaAs cluster中のexcitonic stateと電界効果(統計力学・物性基礎論)
- 29a-AD-9 電場中の一次元量子系のエネルギー・スペクトラム(統計力学・物性基礎論)
- 29a-TG-4 NiのSi(111)表面への吸着の理論解析(29aTG 表面・界面(超微粒子))
- 30a-BG-5 半導体クラスターの安定構造III(30a BG 表面・界面)