浜田 典昭 | 日電基礎研
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概要
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著作論文
- 3p-G-3 NiSの電子状態
- 3p-WB-3 FLAPW法によるグラファイトの電子状態の計算
- 30p-Q-15 多孔質シリコンの虫喰い構造モデル II
- 25p-ZE-19 多孔質シリコンの虫喰い構造モデル
- 29p-W-5 チューブ状グラファイトのエネルギーと弾性的性質
- 29p-W-4 チューブ状グラファイトの電子構造
- 27p-QB-10 半導体におけるself-interaction correctionと(AlAs)_m(GaAs)_n超格子への応用
- 27p-QB-9 バンド計算のためのFourier展開法
- 固体の電子状態 ( 物性における計算物理)
- 3a-NGH-18 内殻励起された遷移金属化合物の電子構造とその圧力依存性
- 29p-W-1 フラーレン及びフラーレン化合物固体の電子状態
- 13p-DC-1 多孔質シリコンの"量子スポンジ"モデルによる発光過程の理論
- 6p-C-1 FLAPW法に基づく半導体バンドギャップの計算 : GW近似
- 3p-ZB-2 FLAPW法に基づくBa_K_xBiO_3の電子構造の計算
- 3p-ZB-1 FLAPW法に基づくNd_Ce_xCuO_4の電子構造の計算
- 30p-K-8 バンド計算の問題点と最近の発展
- 30p-K-8 バンド計算の問題点と最近の発展
- AlAs-GaAs (001) 超格子系のバンド構造
- 29a-B-3 Si中のFe不純物系におけるsuper-hyperfine結合定数とスピン-格子緩和時間の計算
- 28p-LE-3 Si中3d不純物系の超々微細構造定数に対する一般則(半導体)
- 30a-K-7 メンデレーエフ数と原子構造の関係(金属)
- 30p-BD-10 種々の結晶構造でのBNの電子状態(30p BD イオン結晶・光物性(低次元,層状物質))