円谷 和雄 | 明治大理工

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著作論文

• 27pQF-10 GPU並列とCPU並列による第一原理計算の高速化(電子系(密度汎関数法,その他),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 27pQF-9 GPUによるOrbital-free第一原理分子動力学法の高速化(電子系(密度汎関数法,その他),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• GPUによる Orbital-Free 第一原理分子動力学シミュレーションの高速化
• GPUによる平面波基底第一原理計算の高速化
• 28aRC-9 GPUによる第一原理計算の高速化(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aRC-2 シリコンの第一原理局所擬ポテンシャルの開発 : Orbital-Free第一原理分子動力学法への適用(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pVC-12 Orbital-Free第一原理分子動力学法における運動エネルギー汎関数の評価 : 共有結合系への適用(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 凹多面体領域のVoronoi多面体分割法とその応用
• 31p-PSB-42 アルミニウム中の水素の拡散機構の解析
• 6a-R-8 オービタルフリー密度汎関数を用いた第一原理分子動力学法による金属ガラスの圧力誘起結晶化の解析
• 6a-R-7 オービタルフリー密度汎関数を用いた第一原理分子動力学法による金属ガラスの圧力下での構造緩和の解析
• 29p-PSA-44 アモルファスシリコン中の局所電子状態の解析
• 29p-PSA-43 シリコン液体の拡散機構と集団熱運動の解析(II)
• 29p-PSA-42 Voronoi多面体を用いた3次元数値積分法の開発と電子構造計算への応用0003p510.txt(
• 26pYK-12 λ-MnO_2中におけるLi原子群の電子状態(シミュレーション,転位,点欠陥・照射損傷),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pXB-5 超イオン伝導体AgIにおけるAg原子位置の平均構造とその電子状態解析(超イオン導電体・イオン導電体II,領域5,光物性)
• 28aQF-14 高精度なBader解析アルゴリズム(電子系(強相関電子系,その他),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 30pYG-9 クラスレート形成における振動エントロピの寄与(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aXA-1 酸素分子のPd(111)への解離吸着過程における電荷移動(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXB-5 アルミニウム表面への酸素分子の解離吸着時における電荷移動(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXB-4 貴金属表面における水素分子の解離吸着機構(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pWF-15 Siクラスレートにおける内包Ba間結合エネルギー(22pWF クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pWF-14 クラスレートIにおける内包原子間の結合(22pWF クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aRJ-2 水素分子の解離吸着時における電荷移動 : Al(111)の場合(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aRJ-3 Pauli反発はエネルギー障壁を誘起するか : Cu(111)面上の水素分子を例として(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTD-13 エネルギー障壁と電荷移動の関係(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTD-14 酸素分子のPt(111)への解離吸着過程における電荷移動(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pTG-6 クラスレートIにおける内包原子のPeierls distortion(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pTH-9 クラスレートにおけるゲストーホスト間相互作用(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
• 19aRG-11 クラスレート中の内包原子間結合エネルギー(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
• B26pZB-4 クラスレートにおけるゲスト間の相互作用(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aRC-4 クラスレートIにおける13族元素の安定性(28aRC クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aPS-84 クラスレートにおける内包原子間の結合エネルギー(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20aXA-2 IV族クラスレートにおける内包機構の考察(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aYK-3 クラスレート形成機構に関する一考察そのI : 第一原理計算(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 15aWE-3 Si クラスレート I における内包 Na 原子位置相関 : 第一原理計算(クラスレート・ゼオライト, 領域 7)
• 23pRJ-5 水液中におけるメタン分子周りの局所状態(溶液・液体,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 22aXK-12 Pt(111)における酸素分子吸着機構(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pXK-9 Au(111)への水素分子解離吸着過程におけるエネルギー障壁形成機構(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aWE-13 Bader法による局所スピン状態の解析(磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 18pTG-12 金属表面への水素分子解離吸着過程におけるエネルギー障壁の形成機構(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pZB-5 高圧下のクラスレートNa_8 @Si_における欠陥形成機構(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYK-9 遷移金属表面への水素分子解離吸着過程における電荷移動(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aRC-10 シリコンクラスレートIIにおける内包原子周囲の電子状態(28aRC クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aRC-5 Ba_8@Ge_クラスレートにおける欠陥形成機構(28aRC クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aXA-1 Ba_8@Ge_クラスレートにおける欠陥形成機構(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXL-1 Bader電荷解析法(電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 19aPS-86 水溶液中におけるメタン分子間の相互作用(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25aYK-2 クラスレート形成機構に関する一考察そのII(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYF-14 Ba_8@Ge_クラスレートにおける空孔形成 : 第一原理計算(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 15aTB-12 イオン結晶における電荷移動量 : 第一原理計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 27aYF-12 Na(H_20)_とCl(H_20)_の荷電状態 : 第一原理計算(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 15aTB-13 水中における Na イオンおよび Cl イオンの荷電状態 : 第一原理計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 27aYF-13 グラファイト片における水素原子の付着位置 : 第一原理計算(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 15aWE-2 Ba_8@Ge_ クラスレートにおける空孔形成 : 第一原理計算(クラスレート・ゼオライト, 領域 7)
• 15aTB-11 Si クラスレート I における圧縮率への内包原子の効果(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 15aWE-4 M@Si_、M@Si_ クラスター群における安定形状の第一原理計算 : クラスレート形成機構の理解のために(クラスレート・ゼオライト, 領域 7)
• 第一原理解析による機能材料の創製 (数値シミュレーション小特集号)
• F02-(4) 第一原理解析による新しい熱電材料の開発(ナノへの挑戦)(材料力学部門企画)
• 29p-PSA-22 LAPW基底における汎関数の動力学的最小化
• 24aXL-6 LiMn_2O_4におけるLi原子の電子状態(24aXL 準結晶,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
• 23pWZ-12 鉄結晶における炭素原子間相互作用の解析(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 23pWZ-2 Al-Cu合金におけるGP-IIの電子状態解析(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 24pRG-14 超イオン導電体CuIにおける電子状態解析(24pRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 24pTE-12 GPU超並列とMPI並列の併用による第一原理計算法の高速化(24pTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 24pTE-6 新しい擬ポテンシャルを用いた大規模オービタル・フリー第一原理計算(24pTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 31a-XE-7 シリコンクラスレートの電子状態の計算
• 31a-XE-6 LDAとGGAによるシリコンクラスターと結晶の電子状態の計算III
• 28a-PS-130 Quantum Monte Carlo法を用いた電子状態の計算(II)
• 30p-YF-8 Quantum Monte Carlo法を用いたNa_2の電子状態の計算
• 8a-PS-109 Quantum Monte Carlo法を用いた2原子分子の電子状態の計算
• 27p-PSA-49 シリコン液体の拡散機構と集団熱運動の解析
• 27p-ZD-5 非平衡分子動力学法による平行板間流れの解析(II)
• 27p-PS-97 分子動力学法によるSiにおける圧力構図相変態の解析
• 30p-YF-4 LDAとGGAによるシリコンクラスターの電子状態の計算II
• 8a-YJ-12 LDAとGGAによるシリコンクラスターの電子状態の計算
• 27p-PSA-50 モデルシリコンガラスにおける局所振動状態密度の解析
• 17aRC-3 時間依存密度汎関数法によるシリコンクラスタの振動状態の解析
• 29p-PSA-25 混合基底を用いたKohn-Sham汎関数の動力学的最小化
• 29a-YD-1 平行板間における2原子分子の流れ解析
• 12a-P-1 2次元LJ流体の緩和時間
• 27p-PSB-51 結晶Siの圧力構造相変態の解析
• 27a-ZM-5 SiO_2ガラス表面における水分子吸着
• 22aRB-13 CaF_2結晶における超イオン伝導機構(22aRB 顕微・近接場光学,超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 22aRB-12 超イオン伝導体Ag_2Sにおける瞬間同時占有位置(22aRB 顕微・近接場光学,超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 22pRB-9 水の高温・高圧状態における超イオン伝導(22pRB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 22pRB-10 高温高圧下におけるHF結晶の超イオン状態(22pRB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 20aHC-10 ペロブスカイト型酸化物におけるプロトン拡散(20aHC 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 20aHC-2 第一原理分子動力学法による窒化リチウムの超イオン伝導機構の解明(20aHC 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 7aSC-1 第一原理計算によるアルカリ土類金属原子とシリコン原子間の電荷移動 : クラスレート形成機構の理解のために(クラスレート化合物,ゼオライト,その他,領域7)

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