20aXA-1 Ba_8@Ge_<46>クラスレートにおける欠陥形成機構(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-08-19

著者

• 円谷 和雄

  明大理工

• 円谷 和雄

  明治大理工

• 円谷 和雄

  明治大学理工学部機械情報工学科

• 円谷 和雄

  明治大理工 機構情報

• 坂井 克仁

  明大理工

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