塚田 捷 | 分子研
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概要
関連著者
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塚田 捷
分子研
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塚田 捷
東大理
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里子 允敏
分子研
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足立 裕彦
兵教大
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足立 裕彦
阪大工
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東工大理
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NEC基礎研
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新上 和正
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井本 正介
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川合 知二
阪大産研
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菅野 暁
東大物性研
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菅野 暁
物性研
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谷村 克己
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松本 卓也
大阪大学産業科学研究所
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南 不二雄
無機材研
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松本 卓也
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高木 昭彦
大阪大学産業科学研究所
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高木 昭彦
阪大産研
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田上 勝則
東大理
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坂田 忠良
分子研
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川合 知二
分子研
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谷村 克己
分子研
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川合 知二
大阪大学 産業科学研究所
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川合 知二
大阪大 産科研
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永吉 秀夫
鹿児島大理
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永吉 秀夫
阪大基礎工
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佐々木 貞吉
原研
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星野 敏春
阪大理
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Kawai Tomoji
The Institute Of Science And Industrial Research Osaka University
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永吉 秀夫
東大理
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坂田 忠良
分子科研
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塩川 正二
阪大工
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北浦 和夫
分子研
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永吉 秀夫
東大・理
著作論文
- 1a-BH-11 TiO_2及びSrTiO_3表面の電子状態と水酸基の吸着機構
- 21aYE-5 固体表面上における DNA の変形と電気伝導
- 12p-Q-11 クラスターDV-Xα法による酸化物表面の電子状態の計算
- 4a-RJ-5 Si(111)7×7面のModified Milk Stool模型の電子論的検討
- Si(111)7×7再構成表面の原子構造(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
- 4p-NM-12 非断熱過程を含む動的吸着理論
- 3a-NM-10 金属面上における水素分子の解離吸着の力による解析
- 2a-NM-6 Si(III)表面上の空格子の形成エネルギーとそのまわりの歪-化学擬ポテンシャル法-
- 31a-J-8 Si(111)表面に吸着したAgの電子状態
- 30p-J-9 極性表面の電子状態
- 30p-J-3 亜鉛表面へのCO分子の吸着
- 4a-E-11 DV-X_αクラスター法によるSi表面の電子状態と吸着
- 4a-E-8 酸化物表面の電子状態理論 : ZnOの場合
- 3p-E-12 亜鉛表面への酸素の吸着
- 3p-E-6 吸着における束縛エネルギーの計算
- 3p-E-4 侵入型化学吸着 II
- J. C. Slater: The Calculation of Molecular Orbitals, John Wiley, New York, 1979, vi+104ページ, 23.5×16cm, 4,910円.
- 27p-Q-7 半導体表面の理論的研究の現状と将来
- 30a-U-9 遷移金属における侵入型化学吸着
- 30a-U-7 BCC遷移金属表面の電子状態と吸着
- 30a-U-3 Si表面の電子状態密度 : DV-Xαクラスター法
- 30a-U-1 DV-Xα法による固体および表面のバンド計算
- 1p-CA-7 金属におよび酸化物表面の電子状態と吸着理論
- 1p-CA-7 金属および酸化物表面の電子状態と吸着理論
- 29a-E-4 グラファイト層間化合物間の相互作用について
- 2a-NM-5 シリコン(111)面上空格子点の電子状態 II
- 2p-N-4 Combined OPW-TB法によるグラファイトのバンド計算 II
- 17. ReO_3の表面電子状態とオレフィンのメタセシス(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
- 2a-Q-8 層状遷移金属硫化物の電子状態
- 2a-Q-7 ReO_3の表面電子状態の理論
- 2a-Q-6 DV-Xα法による固体および表面のバンド計算
- 31a KA-7 金属酸化物表面の電子状態の理論
- 31a KA-6 TiO_2, SrTiO_3結晶の表面及び格子欠陥の電子状態
- 3p-AC-11 MgO結晶の表面格子欠陥と吸着の理論
- 3p-AC-10 SrTiO_3結晶の表面電子状態の理論
- 1a-BH-7 クラスターXα法によるMgO結晶の表面,エッジ,コーナの電子状態と吸着の理論