1a-BH-11 TiO_2及びSrTiO_3表面の電子状態と水酸基の吸着機構

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1978-03-10

著者

• 足立 裕彦

  兵教大

• 足立 裕彦

  阪大工

• 里子 允敏

  分子研

• 塚田 捷

  分子研

関連論文

• 1a-BH-11 TiO_2及びSrTiO_3表面の電子状態と水酸基の吸着機構
• 21aYE-5 固体表面上における DNA の変形と電気伝導
• 2p-NK-12 遷移金属中における不純物原子間の相互作用
• 30p-J-4 遷移金属表面の吸着子の電子状態
• 2p-E-2 3d遷移金属中の水素及び炭素不純物の電子構造
• 12p-Q-11 クラスターDV-Xα法による酸化物表面の電子状態の計算
• 4a-RJ-5 Si(111)7×7面のModified Milk Stool模型の電子論的検討
• Si(111)7×7再構成表面の原子構造(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
• 4p-NM-12 非断熱過程を含む動的吸着理論
• 3a-NM-10 金属面上における水素分子の解離吸着の力による解析
• 2a-NM-6 Si(III)表面上の空格子の形成エネルギーとそのまわりの歪-化学擬ポテンシャル法-
• 31a-J-8 Si(111)表面に吸着したAgの電子状態
• 30p-J-9 極性表面の電子状態
• 30p-J-3 亜鉛表面へのCO分子の吸着
• 4a-E-11 DV-X_αクラスター法によるSi表面の電子状態と吸着
• 4a-E-8 酸化物表面の電子状態理論 : ZnOの場合
• 3p-E-12 亜鉛表面への酸素の吸着
• 3p-E-6 吸着における束縛エネルギーの計算
• 3p-E-4 侵入型化学吸着 II
• J. C. Slater: The Calculation of Molecular Orbitals, John Wiley, New York, 1979, vi+104ページ, 23.5×16cm, 4,910円.
• 27p-Q-7 半導体表面の理論的研究の現状と将来
• 30a-U-9 遷移金属における侵入型化学吸着
• 30a-U-7 BCC遷移金属表面の電子状態と吸着
• 30a-U-3 Si表面の電子状態密度 : DV-Xαクラスター法
• 30a-U-1 DV-Xα法による固体および表面のバンド計算
• 12p-L-5 クラスター法による貴金属中Si不純物の電子状態の計算
• 1p-CA-7 金属におよび酸化物表面の電子状態と吸着理論
• 1p-CA-7 金属および酸化物表面の電子状態と吸着理論
• Xαクラスタ-模型による遷移金属表面への水素の吸着 (触媒討論会特集号)
• 29a-E-4 グラファイト層間化合物間の相互作用について
• 2a-NM-5 シリコン(111)面上空格子点の電子状態 II
• 2p-N-4 Combined OPW-TB法によるグラファイトのバンド計算 II
• 4p-S-2 半導体クラスターの安定構造II
• 3p-E-3 Si表面上への遷移金属原子の吸着
• 17. ReO_3の表面電子状態とオレフィンのメタセシス(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
• 2a-Q-8 層状遷移金属硫化物の電子状態
• 2a-Q-7 ReO_3の表面電子状態の理論
• 2a-Q-6 DV-Xα法による固体および表面のバンド計算
• 31a KA-7 金属酸化物表面の電子状態の理論
• 31a KA-6 TiO_2, SrTiO_3結晶の表面及び格子欠陥の電子状態
• 3p-AC-11 MgO結晶の表面格子欠陥と吸着の理論
• 3p-AC-10 SrTiO_3結晶の表面電子状態の理論
• 1a-BH-7 クラスターXα法によるMgO結晶の表面,エッジ,コーナの電子状態と吸着の理論
• 29a-U-2 金属化合物における相対論的効果
• 3p-Q-5 ウラン化合物の電子構造
• 4p-AC-4 DV-Xαクラスター法による金属中水素の電子状態
• 4p-AC-3 DV-Xα法によるMAI_4(M=Th,U,Np,Pu)クラスターの電子構造
• 31a-Z-13 ZnSe中不純物の電子状態
• 2a-NU-7 Gaussian Quadrature Xα法によるCOの計算
• 31p-L-11 ウラン化合物中のU5d電子の励起に伴う光吸収スペクトル
• 3p-S-7 DV-Xd法による内殻光吸収断面積の解析
• 3a-Z-6 鉄中Vacancy周囲のスピン分布
• 28a-G-12 圧縮されたヘリウムクラスターの分子軌道計算
• 29p-P-2 DV-Xα法によるL_発揮スペクトルの強度計算
• 30a-U-8 遷移金属表面への原子・分子の化学吸着
• 18. Ni,Cu上への原子,分子吸着のクラスター計算(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
• 金属表面上への水素吸着 : クラスターモデルによる吸着理論
• 27a-C-4 超微粒子の構造と動的変化における原子間多体相互作用
• 3p-S-11 電場による表面原子に働く力の解析
• 3p-E-2 Al,Mg金属の酸化過程の力による解析
• 4a-RJ-8 Si表面上への遷移金属原子の吸着
• 2a-RJ-4 微粒子構造と表面張力
• 29a-Y-1 金属クラスターと微粒子のエネルギー解析
• 31p-H-3 金属表面と分子の相互作用の力による解析
• 3a-NM-11 金属面上におけるCO,NO,O_2分子の吸着構造の力による解析
• 3a-NM-9 Al,Mg面上における酸素原子の吸着過程の力による解析
• 31a-J-10 表面緩和・吸着構造の静電力理論
• 30a-Q-5 (CH)_xの電子状態-コメント-
• 13. DV-Xα法による固体及び表面のバンド計算(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
• クラスタ-モデルによる電子構造の研究
• 30a-SA-1 GQ-Xα法による分子軌道計算 III
• 30a-N-5 GQ-Xα法による分子軌道計算II
• 30p-D-11 鉄中炭素原子の電子状態
• 30a-K-3 ニッケル中ヘリウムの電子状態(金属)
• 30a-BG-5 半導体クラスターの安定構造III(30a BG 表面・界面)
• 30p-AA-6 半導体クラスターの形と電子構造 : 理論(30p AA 半導体,表面.界面合同シンポジウム 主題:マイクロクラスターの物理-分子から固体へ)
• 31p-G-6 GaAs中Znの電子状態とZnの異常拡散(31pG 半導体(深い不純物))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク