星野 敏春 | 阪大理

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著作論文

• 30a-U-3 Si表面の電子状態密度 : DV-Xαクラスター法
• 4p-U-7 半導体中の深い不純物準位の"d"の効果
• 29p-U-14 化学擬ポテンシャル法によるSi表面再構成の電子論
• 7. Si(111)2×1再構成表面での原子配位と電子状態密度 : 化学擬ポテンシャル法(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
• 2p-Q-7 Si表面の電子状態密度 : 化学擬ポテンシャル法
• 31a GD-2 クラスター・ベーテ・格子法による半導体の電子構造II. : Si中の格子間遷移金属不純物
• 31a GD-1 クラスター・ベーテ格子法による半導体の電子構造I. : IV族結晶の電子状態密度
• 3p-DS-1 半導体中の不純物のd軌道と母体との相互作用-化学擬ポテンシャル法-
• 31p-BJ-1 半導体中の遷移金属不純物の電子状態-不純物原子の電子配置
• 10p-R-7 半導体中の遷移金属不純物の電子状態
• 金属合金中の原子の電子状態と原子対相互作用(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
• 12a-F-7 クラスター模型によるSi中の深い不純物準位の電子構造

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