24aPS-7 スピントンネル接合における絶縁薄膜の第一原理計算
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-03-10
著者
-
柘植 久尚
NEC機能デバイス材料研究本部
-
亘 紀子
NEC情報システムズ
-
大西 楢平
日本電気基礎研究所
-
柘植 久尚
Nec機能材料研
-
杉野 修
NEC基礎研
-
斎藤 峯雄
株式会社nec情報システムズ
-
斎藤 峯雄
Nec情報システムズ
-
杉野 修
東京大学 物性研究所
-
杉野 修
日電マイクロ研
-
大西 楢平
NEC基礎研
-
杉野 修
日本電気(株)基礎研究所
-
大西 楢平
Nec基礎・環境研
関連論文
- 20pEL-11 周期セルを用いた電子状態計算の問題とその改善 : 永久多重極を持つ系の計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 20pEL-12 ディシペイティブエーレンフェストダイナミクス(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 20pEL-10 周期セルを用いた電子状態計算の問題とその改善点 : 動的感受率の計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 29p-PSA-42 Voronoi多面体を用いた3次元数値積分法の開発と電子構造計算への応用0003p510.txt(
- 28p-BPS-29 LMTO法におけるinterstitial補正の計算方法II
- 27a-J-2 LMTO法におけるinterstitial補正の計算方法
- 25p-T-6 LMTO法による格子欠陥の電子状態の解析
- 4p-PS-60 LMTO法によるmost localized orbitalの構造依存性
- 27aPS-24 強磁場下におけるトンネル接合素子のノイズ強度(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- トンネルMR素子の角度依存ノイズ特性
- 21pPSA-5 強磁性トンネル接合におけるノイズ強度の磁場依存性 III
- 28pPSA-23 強磁性トンネル接合におけるノイズ強度の磁場依存性 II
- 17pPSA-2 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性II
- 17pPSA-1 強磁性トンネル接合のジャンクション形状効果
- 低インピーダンス強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ測定
- 27aPS-27 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性
- 24pPSB-15 NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズおよびトンネルスペクトル
- 強磁性トンネル接合 NiFe/Al_2O_3/NiFe のノイズ測定
- 二段階自然酸化法による強磁性トンネル接合
- 低抵抗スピントンネル接合
- 強磁性トンネル接合の界面構造とMR特性
- その場自然酸化法による交換バイアス型強磁性トンネル接合
- その場自然酸化法を用いた強磁性トンネル接合の作製
- ヘテロボンドフィリック構造をもつCuPdナノクラスターの構造と触媒作用
- 27pWB-10 第一原理計算によるグラフェンリボンからのダイヤモンド合成
- 25aYF-13 水素終端のないグラフェンリボンの安定性と反応性
- 磁気ヘッド用スピントンネル素子
- スピントンネルの現状と課題
- 理学部研究ニュース
- 第一原理シミュレーションから見た電極界面と電荷移動反応 : 燃料電池・水電解の水素極を対象として
- 研究所の挑戦・筑波の挑戦 : 科学技術基本計画の実質化に向けて
- Si(100)表面上のベンゼン分子吸着過程
- 24aPS-80 時間依存密度汎関数法によるチタニア表面における水の光分解の研究(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pK-4 理論が予測する半導体中のダイナミカルな現象
- 24aPS-7 スピントンネル接合における絶縁薄膜の第一原理計算
- 28a-PS-127 Lippmann-Schwinger方程式の効率的解法
- TMR接合における接合部ミリング深さと接合特性
- 26pPSA-48 強磁性トンネル接合CoFe/Al_2O_3/NiFeの微分抵抗測定
- 低抵抗強磁性トンネル接合の温度・バイアス特性
- 強磁性トンネル接合の温度・バイアス特性
- 29a-WB-10 FeCo/Al_2O_3/Fe強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- 28a-PS-30 Harris汎関数法についての検討
- 計算物理と新素材(新素材とシミュレーション)
- 4p-PS-61 局在電子状態計算のための有効モデルポテンシャル法
- 30a-TM-2 Wigner-Seity cell中の原子の電子状態
- LMTO法による電子状態の計算
- 30pXD-2 C_フラーレンの凝集相 : 超伝導発現の可能性
- 30pXD-1 最小フラーレンC_の理論的同定
- 25aWB-11 清浄ダイアモンド(111)表面の安定性
- 6p-S-3 陽電子消滅2次元角相関法による半導体中の原子空孔の研究(理論)
- 28a-S-8 LDA and GGA calculations on clean diamond(111)surface
- Si中N置換型不純物の原子及び電子構造
- 2p-M-3 陽電子消滅確率の理論的解析-電子・陽電子カーパリネロ法による計算
- 化合物半導体のDXセンターと双安定性
- 27a-N-9 Si中多原子空孔における陽電子寿命の計算
- 30p-YM-12 MgドープしたGaNの第一原理計算
- 29p-YL-2 化合物半導体中のDXセンター
- 3a-J-3 Si中複原子空孔における共鳴ボンド
- 12a-DF-6 GaAs中DXセンターにおけるsp^混成型原子配置
- 28a-K-11 半導体における陽電子消滅確率の第一原理計算
- 民間企業内研究者の共同研究
- 30a-TM-12 A New Method for the Quantum Molecular Dynamics
- 3a-C-17 3次元量子井戸形状効果
- 5a-A2-6 GaAs/AlGaAs球形量子井戸中の励起子に対する量子サイズ効果及び電界効果の非断熱的解析
- 27a-P-12 STM探索針先端の電場分布とその試料表面の電子分布への影響
- 27p-QB-3 球対称ポテンシャルの量子系に電場をかけた場合のエネルギー・スペクトル
- 27a-C-1 Naクラスターの質量スペクトルの微細構造
- 4p-S-1 Norm-conserving Pseudo-potentialによるLCAO計算
- 1p-F-4 DXセンター:深い準位と浅い準位の交叉
- 17aWD-2 W(001)表面上のWO_2表面化合物に関する計算
- 24pPSA-7 クラスターモデル計算によるW(001)表面の酸素吸着構造の研究
- 25a-YR-8 第一原理計算による水銀55量体の金属化の研究
- 12a-DJ-12 水銀クラスターの構造と電子状態
- CO/Pt(111),CO/W(110)系のクラスタ-モデルによる理論計算-3-PtとWの比較 (〔触媒学会〕第70回触媒討論会予稿)
- Pt(111)表面へのCO吸着のクラスタ-モデルによる理論計算 (第67回触媒討論会講演(予稿))
- 26p-P-1 水素化シリコン表面 : 拡散と動的過程
- 30p-YF-9 鈴木Trotter公式を用いた電子・イオン系のダイナミックス
- 29p-F-4 Trotter formulaに基づくTDLDAの定式化と微細系の電気伝導度等への応用
- 26a-Z-1 ノルム非保存型擬ポテンシャルを用いた電子構造計算
- 28aPS-24 ボロンクラスターと水素原子の衝突問題における電子的非断熱効果 : 時間依存密度汎関数法からのアプローチ(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 20pVC-6 時間依存密度汎関数法を用いた非断熱分子動力学計算(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 3p-K-1 探針による表面吸着原子操作の理論
- 計算物質科学に基づいた固液界面反応の理解 : 高性能電池のための理論基盤構築に向けて
- 25aL-8 炭素クラスターに対する光電子分光振動微細構造の第一原理計算
- 27a-ZG-18 GaAs中DXセンターに対する3配位モデルの妥当性
- 29p-W-7 GaAs中Si不純物の問題におけるstate-of the-art techniqueの評価
- バンド理論の最近の発展から(第47回物性若手夏の学校(2002年度),講義ノート)
- 表面拡散におけるexchange mechanismの重要性
- 24a-M-6 共役勾配法を用いたバンド計算法とそのSi Vacancy Migration Processへの応用
- 20aRH-7 Bernoulli展開法を用いた界面の密度汎関数計算
- 電極の界面構造・安定性の設計-電極の界面構造, 安定性, ショットキー障壁の原子レベルでの理解と実効的予測-
- TiSi_2の相図の第一原理計算
- 29a-X-13 第一原理分子動力学による鎖状炭素相の予言
- 第1原理からの自由エネルギ-計算に基づく物質の相図
- 9aSE-6 カイラルナノチューブの伸縮とねじれに関するTight-Binding計算(成長,構造,ガス吸着,領域7)
- 8pPSA-6 強磁性トンネル接合におけるノイズ強度の磁場依存性(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
- 27aXN-13 細いナノチューブの融合反応(27aXN ナノチューブ(ピーポッド,二層ナノチューブ),領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 8pSH-3 一次相転移の第一原理計算-Si結晶の融解(主題:結晶の相転移と計算物理(第一原理計算と分子動力学等の計算機シミュレーション),領域10,領域4合同シンポジウム,領域10)
- 25pPSA-26 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性III(25pPSA 薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性,スピングラス・ランダム系,アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
- 25aXN-9 グラフェンリボン:反応前駆体としての可能性(25aXN 領域7シンポジウム主題:グラファイト関連物質における新しい展開,領域7(分子性固体・有機導体分野))