29p-W-7 GaAs中Si不純物の問題におけるstate-of the-art techniqueの評価
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-03-12
著者
-
押山 淳
東大院工
-
杉野 修
NEC基礎研
-
杉野 修
東京大学 物性研究所
-
杉野 修
日電マイクロ研
-
押山 淳
日電マイクロエレクトロニクス研
-
杉野 修
日本電気(株)基礎研究所
-
斎藤 峯雄
日電技術情報
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