24aTE-11 HSE-LCハイブリッド汎関数による強相関電子系の磁気秩序とバンドギャップ(24aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-08-18

著者

• 押山 淳

  東大院工

• 中村 和磨

  東大工

• 中村 和磨

  東大院工

• 松下 雄一郎

  東大院工

• 中村 和磨

  東大工:JST-CREST

関連論文

• 21pGH-4 鉄系超伝導体の第一原理有効模型の導出とファミリー依存性(21pGH 鉄系超伝導(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aRB-12 シリコン結晶中の格子欠陥V_の原子構造と電子構造の第一原理的研究(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20pEL-17 動的遮蔽の評価と低エネルギー有効模型の妥当性について(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pEL-5 ハイブリッド汎関数近似法による窒化物半導体の構造定数とバンドギャップ(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22pGR-4 Kを吸蔵したゼオライトAの低エネルギー有効模型の構築と計算(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pRL-13 多変数変分波動関数を用いた鉄砒素系超伝導体に対する有効模型の解析(鉄系超伝導体4(理論),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 22aQE-9 多変数変分波動関数を用いた三角格子上の拡張ハバード模型の研究(22aQE 銅酸化物など(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28pXH-2 第一原理からのCNDOモデルハミルトニアンの構築 : グラファイトへの応用(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 26aYC-3 κ-(BEDT-TTF)_2Xの第一原理有効模型の数値解析(κ型,輸送測定,中性-イオン性転移,領域7,分子性固体・有機導体)
• 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 26aWZ-8 Car-Parrinello分子動力学法によるシリコン結晶内欠陥の拡散現象の再評価(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 25pWH-1 鉄系超伝導体の不純物ポテンシャルの第一原理計算(25pWH 鉄砒素系理論(不純物効果,超伝導機構),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aTE-11 HSE-LCハイブリッド汎関数による強相関電子系の磁気秩序とバンドギャップ(24aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 30aVE-3 磁性半導体(Ga,Mn)Asに対する量子モンテカルロ解析(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pPSA-24 h-BNシート中の原子空孔のエネルギー論(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aYE-11 眉間相互作用によるカーボンナノチューブ原子空孔の再構成転移(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30aVE-4 窒化ガリウム複空孔におけるスピン分極と構造緩和の第一原理計算(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aYD-10 アルカリクラスター充填ソーダライトの第一原理有効模型構築と磁性解析(クラスレート・ゼオライト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYD-7 Kクラスターを吸蔵したゼオライトAの第一原理電子構造計算2(クラスレート・ゼオライト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28aTC-1 鉄砒素系超伝導体母物質の反強磁性状態について(28aTC 鉄砒素超伝導体3(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pRB-9 層間スクリーニング効果を含めたκ-(BEDT-TTF)_2Xの第一原理有効模型の数値解析(24pRB 三角格子・スピン液体,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYF-8 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2およびκ-(BEDT-TTF)_2Cu_2(CN)_3の第一原理有効模型(28aYF κ-ET系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pTE-13 強相関電子系に対する第一原理計算: GW-based ab itnitio downfolding法の開発と実装(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 28aYG-4 Kクラスターを吸蔵したゼオライトLTAの第一原理電子構造計算(28aYG ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pRB-7 アルカリ金属クラスターを吸蔵したソーダライトのLDA+DMFT計算(ゼオライト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aWA-6 ウルトラソフト擬ポテンシャルの下でのconstrained DFT計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 24pTE-2 空間次元を縮約するための第一原理Downfolding法の開発 : LaFeAsOおよびκ-(BEDT-TTF)_2Xへの応用(24pTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21aYA-1 第一原理計算に基づく新超伝導体LaFeAsOの低エネルギー有効模型導出(21aYA 鉄オキシニクタイド(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aXD-5 Single CI計算による固体の光学吸収スペクトル(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28a-S-8 LDA and GGA calculations on clean diamond(111)surface
• 27a-N-9 Si中多原子空孔における陽電子寿命の計算
• 30p-YM-12 MgドープしたGaNの第一原理計算
• 29p-YL-2 化合物半導体中のDXセンター
• 3a-J-3 Si中複原子空孔における共鳴ボンド
• 12a-DF-6 GaAs中DXセンターにおけるsp^混成型原子配置
• 28a-K-11 半導体における陽電子消滅確率の第一原理計算
• 1p-T-3 半導体中の水素分子の振動数に関する非経験的計算
• 21aXA-1 ナノ・キャパシタの電気容量における静電遮蔽の効果(21aXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-12 C_-peapod の電子状態と安定性
• 29aZB-10 ピーポッドの安定性と電子状態
• 13p-Y-8 グラファイト表面上アルカリ原子吸着系の全エネルギー
• 30a-Y-14 グラファイト(001)面・アルカリ原子吸着系の電子状態
• 21aYK-9 窒化物半導体における陽イオン空孔による磁性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aYB-12 カーボンナノチューブ内氷結晶の構造とエネルギー論(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYN-6 金属表面上に吸着されたナノチューブの電子構造(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aXT-4 シリコン結晶中の複原子空孔の生成メカニズム : O(N)タイトバインディング法によるシミュレーション(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 29aZB-9 空隙充填によるチューブ電子構造制御
• 25pWD-15 BN-グラファイト界面における強磁性状態
• 25pW-7 グラファイトネットワークにおける表面状態 : カーボンからヘテロ系まで
• 藤原毅夫, 固体電子構造:物質設計の基礎, 朝倉書店, 東京, 1999, vi+214p., 21.5×15cm, \4,000, [大学院向,専門書]
• 27pW-5 Si(001)面上のGa細線による強磁性状態
• 30a-YK-10 Si結晶中の多原子空孔の魔法数 : tight-binding計算
• 27a-ZG-18 GaAs中DXセンターに対する3配位モデルの妥当性
• 29p-W-7 GaAs中Si不純物の問題におけるstate-of the-art techniqueの評価
• 28a-WC-6 Si(100)面のステップ構造と{311}ファセット出現の機構
• 27aPS-14 3d遷移金属のオンサイト有効クーロン相互作用の第一原理計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 15aTB-4 遍歴電子系及び強相関電子系のハバード U の第一原理計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 19pTH-11 密度反関数法によるセレンの赤外吸収スペクトルの計算
• 19pTH-10 アモルファスSeの構造と振動スペクトルに対する微視的モデル
• 27aYH-1 アモルファスSeにおける振動スペクトル
• 25aTF-8 アモルファスSeにおける赤外吸収スペクトルのワニア関数による解析
• 23aQ-2 液体及びアモルファスSeにおける赤外吸収スペクトル
• 25pYN-5 液体及びアモルファスSeにおける鎖間相互作用の効果
• 31a-YT-3 カルコゲンクラスターのab-initioの計算
• 31a-YX-1 グラファイトシートの折れ曲がりと歪み
• ステップを含むGaAs(001)面の第一原理計算
• 25pTJ-5 アルカリ金属を吸蔵したゼオライトにおけるスピン軌道相互作用の第一原理的評価(25pTJ ゼオライト・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTH-8 Si(001)ステップ表面におけるカーボンナノチューブの構造及び電子状態(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aTH-7 密度汎関数理論で解明するSiナノワイヤーの断面形状と電子状態の解明(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pTJ-6 炭素系超伝導体の有効相互作用の第一原理評価(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aTM-11 sp^3ネットワークの積層構造とバンドギャップの関係の密度汎関数理論に基づく解明(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aGE-12 超伝導密度汎関数理論による層状超伝導体MNCl (M=Ti, Zr, Hf)の転移温度評価(24aGE 超伝導物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pTR-1 スピン液体EtMe_3Sb[Pd(dmit)_2]_2の第一原理有効模型導出 : 単一軌道および二軌道模型の比較(22pTR モット絶縁体・スピン液体,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aTD-3 芳香族超伝導体とフラーレン超伝導体の有効模型の比較(24aTD 有機超伝導(その2),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aGM-13 次元縮約第一原理ダウンフォールディング法を用いて導出された鉄砒素系超伝導体の有効模型の解析(2)(23aGM 鉄砒素系(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aYA-10 鉄砒素系超伝導体におけるドーピングによる電子状態の変化(27aYA 鉄系超伝導理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pBB-1 Car-Parrinello分子動力学法によるシリコン(100)表面における初期酸化過程の解析(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aSB-8 グラフェンナノリボンの形状と電子状態の相関(27aSB 領域7,領域4合同 グラフェン(ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pSB-11 密度汎関数理論に基づくSiC表面におけるグラフェン形成過程の研究(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pCJ-10 SiC超格子における電子閉じ込め効果の第一原理計算(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pAD-5 動的平均場理論に対する有効相互作用の第一原理的評価(18pAD 電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 18pAD-7 第一原理有効模型のG0依存性(18pAD 電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 18pAD-4 電子・ホール非対称系のための超伝導密度汎関数理論(18pAD 電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 26aXM-5 電子格子相互作用項を含む低エネルギー模型の第一原理導出(26aXM 電子系1,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28pXZA-2 SiC(0001)表面におけるステップ構造の第一原理計算(28pXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXP-14 第一原理計算によるSi(001)ステップ表面上のカーボンナノチューブ配置の直径依存性の研究(26pXP ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pXP-8 変形したカーボンナノチューブの第一原理計算(26pXP ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aXM-6 動的遮蔽効果を考慮した超伝導密度汎関数理論(26aXM 電子系1,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aKM-13 NiOナノ結晶の高圧力下構造解析(表面磁性(表面・界面・ナノ粒子),領域3,領域9合同,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aEA-6 鉄系超伝導体における電子格子相互作用の軌道揺らぎへの影響(低温理論1(鉄砒素超伝導,Ru酸化物),領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pDJ-8 有機導体(TMTSF)_2PF_6に対する第一原理GW計算(擬一次元系,密度波,領域7(分子性個体・有機導体))
• 28aKM-13 NiOナノ結晶の高圧力下構造解析(表面磁性(表面・界面・ナノ粒子),領域3,領域9合同,領域3(磁性,磁気共鳴))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク