26pSB-11 密度汎関数理論に基づくSiC表面におけるグラフェン形成過程の研究(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))

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概要

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• 2012-03-05

著者

• 押山 淳

  東大院工

• 広田 翔

  東大院工

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