29p-YL-2 化合物半導体中のDXセンター

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1995-03-16

著者

• 押山 淳

  東大院工

• 斎藤 峯雄

  株式会社nec情報システムズ

• 斎藤 峯雄

  Nec情報システムズ

• 押山 淳

  Nec基礎研

関連論文

• 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aRB-12 シリコン結晶中の格子欠陥V_の原子構造と電子構造の第一原理的研究(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20pEL-5 ハイブリッド汎関数近似法による窒化物半導体の構造定数とバンドギャップ(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 26aWZ-8 Car-Parrinello分子動力学法によるシリコン結晶内欠陥の拡散現象の再評価(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• Si(100)表面上のベンゼン分子吸着過程
• 24aTE-11 HSE-LCハイブリッド汎関数による強相関電子系の磁気秩序とバンドギャップ(24aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21pPSA-24 h-BNシート中の原子空孔のエネルギー論(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aYE-11 眉間相互作用によるカーボンナノチューブ原子空孔の再構成転移(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30aVE-4 窒化ガリウム複空孔におけるスピン分極と構造緩和の第一原理計算(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aPS-7 スピントンネル接合における絶縁薄膜の第一原理計算
• 30pXD-2 C_フラーレンの凝集相 : 超伝導発現の可能性
• 30pXD-1 最小フラーレンC_の理論的同定
• 25aWB-11 清浄ダイアモンド(111)表面の安定性
• 6p-S-3 陽電子消滅2次元角相関法による半導体中の原子空孔の研究(理論)
• 28a-S-8 LDA and GGA calculations on clean diamond(111)surface
• Si中N置換型不純物の原子及び電子構造
• 2p-M-3 陽電子消滅確率の理論的解析-電子・陽電子カーパリネロ法による計算
• 化合物半導体のDXセンターと双安定性
• 27a-N-9 Si中多原子空孔における陽電子寿命の計算
• 30p-YM-12 MgドープしたGaNの第一原理計算
• 29p-YL-2 化合物半導体中のDXセンター
• 3a-J-3 Si中複原子空孔における共鳴ボンド
• 12a-DF-6 GaAs中DXセンターにおけるsp^混成型原子配置
• 28a-K-11 半導体における陽電子消滅確率の第一原理計算
• 4p-S-1 Norm-conserving Pseudo-potentialによるLCAO計算
• 1p-F-4 DXセンター:深い準位と浅い準位の交叉
• 1p-T-3 半導体中の水素分子の振動数に関する非経験的計算
• 21aXA-1 ナノ・キャパシタの電気容量における静電遮蔽の効果(21aXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-12 C_-peapod の電子状態と安定性
• 29aZB-10 ピーポッドの安定性と電子状態
• 13p-Y-8 グラファイト表面上アルカリ原子吸着系の全エネルギー
• 30a-Y-14 グラファイト(001)面・アルカリ原子吸着系の電子状態
• 29p-J-4 Si_20とC_20フラーレン化合物の電子構造
• 21aYK-9 窒化物半導体における陽イオン空孔による磁性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aYB-12 カーボンナノチューブ内氷結晶の構造とエネルギー論(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYN-6 金属表面上に吸着されたナノチューブの電子構造(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aXT-4 シリコン結晶中の複原子空孔の生成メカニズム : O(N)タイトバインディング法によるシミュレーション(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 29aZB-9 空隙充填によるチューブ電子構造制御
• 25pWD-15 BN-グラファイト界面における強磁性状態
• 25pW-7 グラファイトネットワークにおける表面状態 : カーボンからヘテロ系まで
• 藤原毅夫, 固体電子構造:物質設計の基礎, 朝倉書店, 東京, 1999, vi+214p., 21.5×15cm, \4,000, [大学院向,専門書]
• 27pW-5 Si(001)面上のGa細線による強磁性状態
• 25p-PS-59 酸化に伴うSi2p準位の変化
• 25p-PS-58 極度にミスマッチなSi/SiO_2界面での結晶化SiO_2の存在
• 30a-YK-10 Si結晶中の多原子空孔の魔法数 : tight-binding計算
• 25aL-8 炭素クラスターに対する光電子分光振動微細構造の第一原理計算
• 27a-ZG-18 GaAs中DXセンターに対する3配位モデルの妥当性
• 29p-W-7 GaAs中Si不純物の問題におけるstate-of the-art techniqueの評価
• 28p-YK-2 KドープC60-グラファイト層間化合物の電子状態
• 27p-J-2 Caドープ固体C_の電子状態
• 28a-WC-6 Si(100)面のステップ構造と{311}ファセット出現の機構
• 29p-WB-2 シリコンクラスレートの電子状態
• 2a-J-11 Si_の電子構造
• 13a-B-1 C60-グラファイト層間化合物の電子状態
• 31a-YX-1 グラファイトシートの折れ曲がりと歪み
• ステップを含むGaAs(001)面の第一原理計算
• 28aTH-8 Si(001)ステップ表面におけるカーボンナノチューブの構造及び電子状態(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aTH-7 密度汎関数理論で解明するSiナノワイヤーの断面形状と電子状態の解明(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24a-M-6 共役勾配法を用いたバンド計算法とそのSi Vacancy Migration Processへの応用
• 22aTM-11 sp^3ネットワークの積層構造とバンドギャップの関係の密度汎関数理論に基づく解明(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pBB-1 Car-Parrinello分子動力学法によるシリコン(100)表面における初期酸化過程の解析(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aSB-8 グラフェンナノリボンの形状と電子状態の相関(27aSB 領域7,領域4合同 グラフェン(ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pSB-11 密度汎関数理論に基づくSiC表面におけるグラフェン形成過程の研究(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pCJ-10 SiC超格子における電子閉じ込め効果の第一原理計算(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXZA-2 SiC(0001)表面におけるステップ構造の第一原理計算(28pXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXP-14 第一原理計算によるSi(001)ステップ表面上のカーボンナノチューブ配置の直径依存性の研究(26pXP ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pXP-8 変形したカーボンナノチューブの第一原理計算(26pXP ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性固体・有機導体))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク