2p-M-3 陽電子消滅確率の理論的解析-電子・陽電子カーパリネロ法による計算
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-03-15
著者
関連論文
- Si(100)表面上のベンゼン分子吸着過程
- 24aPS-7 スピントンネル接合における絶縁薄膜の第一原理計算
- 30pXD-2 C_フラーレンの凝集相 : 超伝導発現の可能性
- 30pXD-1 最小フラーレンC_の理論的同定
- 25aWB-11 清浄ダイアモンド(111)表面の安定性
- 6p-S-3 陽電子消滅2次元角相関法による半導体中の原子空孔の研究(理論)
- 28a-S-8 LDA and GGA calculations on clean diamond(111)surface
- Si中N置換型不純物の原子及び電子構造
- 2p-M-3 陽電子消滅確率の理論的解析-電子・陽電子カーパリネロ法による計算
- 化合物半導体のDXセンターと双安定性
- 27a-N-9 Si中多原子空孔における陽電子寿命の計算
- 30p-YM-12 MgドープしたGaNの第一原理計算
- 29p-YL-2 化合物半導体中のDXセンター
- 3a-J-3 Si中複原子空孔における共鳴ボンド
- 12a-DF-6 GaAs中DXセンターにおけるsp^混成型原子配置
- 28a-K-11 半導体における陽電子消滅確率の第一原理計算
- 25aL-8 炭素クラスターに対する光電子分光振動微細構造の第一原理計算